Infineon und DG Matrix nutzen Siliziumkarbid-Technologie zur Weiterentwicklung von Energieinfrastruktur für KI-Rechenzentren

Wirtschaftspresse

Mar 24, 2026
  • Infineon und DG Matrix treiben gemeinsam Solid-State-Transformer-Technologie für KI-Rechenzentren und industrielle Anwendungen voran
  • Solid-State-Transformer (SSTs) sind fortschrittliche Leistungsumrichter, die konventionelle Transformatoren durch halbleiterbasierte Elektronik ersetzen und dadurch eine wesentlich effizientere Energieumwandlung ermöglichen
  • Siliziumkarbid‑Leistungshalbleiter von Infineon verbessern Effizienz, Leistungsdichte und Zuverlässigkeit der Solid‑State‑Transformer‑Plattform von DG Matrix

München, Deutschland – 24. März 2026 – Die Infineon Technologies AG und DG Matrix, ein weltweit führender Anbieter von Solid‑State‑Transformatoren (SSTs), steigern gemeinsam die Effizienz der Stromumwandlung bei der Anbindung von KI‑Rechenzentren und industriellen Anwendungen an das öffentliche Stromnetz. Im Rahmen der Zusammenarbeit setzt DG Matrix in seiner Multi-Port-Solid-State-Transformer-Plattform Interport™ modernste Siliziumkarbid (SiC)-Technologie von Infineon ein. Dies stärkt die Halbleiter‑Lieferkette von DG Matrix und erhöht die Effizienz, Leistungsdichte und Zuverlässigkeit seiner SST‑Systeme weltweit.
 
„KI‑Rechenzentren und Elektrifizierungssysteme der nächsten Generation erfordern eine höhere Effizienz, größere Leistungsdichte und kompromisslose Zuverlässigkeit. Solid-State-Technologie kann mithilfe der führenden SiC-Leistungshalbleiter von Infineon dieses neue Leistungsniveau bereitstellen. Wir freuen uns daher, DG Matrix mit unserer Siliziumkarbid‑Technologie zu unterstützen, um eine skalierbare, leistungsstarke Energieinfrastruktur zu ermöglichen. Die Multi-Port-Solid-State-Transformer-Architektur von DG Matrix stellt einen innovativen Ansatz für die Stromumwandlung dar“, sagt Andreas Weisl, Executive Vice President und Chief Sales Officer Industrial & Infrastructure bei Infineon.
 
Ein Solid‑State‑Transformer ist ein fortschrittlicher, halbleiterbasierter Leistungsumrichter, der konventionelle Transformatoren auf Kupfer‑ und Eisenbasis ersetzt. Er ermöglicht eine höhere Effizienz, deutlich größere Leistungsdichte (verringerte Größe und geringeres Gewicht) und verbesserte Skalierbarkeit. Im Vergleich zu konventionellen Transformatoren sind SSTs bis zu 14‑mal kleiner und bis zu 40‑mal leichter [1] und können deutlich schneller bereitgestellt werden. SSTs gelten als zentrale Zukunftstechnologie, um das öffentliche Stromnetz mit energieintensiven und industriellen Anwendungen wie KI-Rechenzentren zu verbinden und dabei aktiv Spannung, Stromqualität und Energiefluss zu steuern. Sie ermöglichen eine direkte Umwandlung von Mittelspannungen aus dem Netz in Niederspannungen, wie sie unter anderem von KI-Rechenzentren, Ladeinfrastruktur für Elektrofahrzeuge, erneuerbaren Energiesystemen und industriellen Mikronetzen benötigt werden. Infineon geht davon aus, dass das Marktvolumen für Halbleiter im Bereich der SSTs in den nächsten fünf Jahren bis zu eine Milliarde US-Dollar erreichen könnte.
 
„Unsere Multi-Port-Architektur wurde entwickelt, um das volle Leistungspotenzial von Siliziumkarbid auszuschöpfen. Die SiC‑Leistungshalbleiter von Infineon stärken unsere Lieferkette und verbessern Effizienz, Leistungsdichte und Zuverlässigkeit unserer Interport-Plattformen. Die Zusammenarbeit unterstützt unsere Mission, weltweit eine schnellere und effizientere Energieinfrastruktur für KI‑Rechenzentren und Elektrifizierung bereitzustellen“, sagt Haroon Inam, CEO und Co‑Founder von DG Matrix.
 
Mit der zunehmenden Elektrifizierung und Digitalisierung steigt der weltweite Strombedarf und entstehen energieintensive Anwendungen wie KI-Rechenzentren. Um dieser Entwicklung zu begegnen, müssen moderne Stromnetze bei gleichbleibender Stabilität skalierbar sein. Hierfür sind leistungsstarke Halbleitertechnologien entscheidend. Halbleiterbasierte Energieinfrastrukturlösungen der nächsten Generation, wie die SST‑Plattformen von DG Matrix, ermöglichen intelligentere, effizientere und zuverlässigere Netze. Die neuesten SiC‑Leistungshalbleiter von Infineon fungieren dabei als Schlüsseltechnologie. Sie bieten die Effizienz und Leistungsdichte, die für KI‑Rechenzentren, Ladeinfrastruktur für Elektrofahrzeuge, erneuerbare Energiesysteme und Mikronetze erforderlich sind.
 
Mit Blick auf die Zukunft erwarten beide Unternehmen eine fortgesetzte enge Abstimmung bei der Entwicklung der nächsten Generation von SiC-Bauelementen, während DG Matrix seine Technologie auf höhere Spannungsklassen und größere Produktionsvolumina ausrichtet. Die Integration der SiC‑Technologie von Infineon in die wachsende Interport‑Produktfamilie von DG Matrix unterstützt das gemeinsame Ziel, den weltweiten Einsatz skalierbarer, resilienter und effizienter Energieinfrastruktur für KI‑Rechenzentren und industrielle Anwendungen zu beschleunigen.

[1] Vergleich basiert auf Schätzungen von Infineon und bezieht sich auf einen Multi-Modular Inverter (Dual-Stage mit Hochfrequenztransformator)

Über Infineon

Die Infineon Technologies AG ist ein weltweit führender Anbieter von Halbleiterlösungen für Power Systems und das Internet der Dinge (IoT). Mit seinen Produkten und Lösungen treibt Infineon die Dekarbonisierung und Digitalisierung voran. Das Unternehmen hat weltweit rund 57.000 Beschäftigte (Ende September 2025) und erzielte im Geschäftsjahr 2025 (Ende September) einen Umsatz von rund 14,7 Milliarden Euro. Infineon ist in Frankfurt unter dem Symbol „IFX“ und in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International unter dem Symbol „IFNNY“ notiert.

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Siliziumkarbid‑Leistungshalbleiter von Infineon verbessern Effizienz, Leistungsdichte und Zuverlässigkeit der Solid‑State‑Transformer‑Plattform von DG Matrix

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Veronika Seifried

Spokesperson Industrial and Infrastructure, GIP Division

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