Infineon erweitert 750V CoolSiC™-Portfolio um Top-Side-Cooled H-DPAK Half-Bridge für höhere Systemdichte und Zuverlässigkeit

Market News

Jun 02, 2026

München, 02. Juni 2026 – Architekturen zur Leistungsumwandlung in Automobil- und Industrieanwendungen entwickeln sich rasant weiter und stellen neue Anforderungen an Schalttopologien, Wärmemanagement und Systemintegration. Um diesen Anforderungen gerecht zu werden, stellt die Infineon Technologies AG (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) das H-DPAK vor – eine neue Ergänzung der oberseitig gekühlten Gehäusefamilie, die integrierte Halbbrückenbauelemente (HB) in der 750V CoolSiC™ G2-Technologie beherbergt.

Die 750V CoolSiC G2 bietet die Zuverlässigkeitsreserven, die moderne Netze und Energiesysteme fordern. Das H-DPAK integriert eine vollständige, unidirektionale Halbbrücken-Leistungsstufe in einem einzigen Gehäuse. Ein geteiltes Leadframe-Design mit optimierten Drain-Pads verbessert die Wärmeverteilung und gewährleistet die Einhaltung der erforderlichen Kriechstrecken in dichten, hochleistungsfähigen Leiterplattenlayouts. Gleichzeitig entspricht das Gehäuse der industrieüblichen Bauhöhe von 2,3 mm der bewährten Q-DPAK- und TOLT-Gehäuse von Infineon und ermöglicht so eine nahtlose Integration auf Leiterplattenebene. Das Ergebnis ist eine flüssigkeitskühlungsfähige, skalierbare und pin-kompatible Lösung, die parasitäre Schleifeninduktivitäten für saubereres Schnellschalten reduziert, passive Bauelemente verkleinert und die bewährte Leistungsfähigkeit der CoolSiC™-Technologie bietet – einschließlich hervorragender RDS(on) × QOSS-, branchenführender RDS(on) × Qfr-Werte sowie überlegener Robustheit unter Lawinendurchbruch-, Überlast- und Kurzschlussbedingungen.

Die H-DPAK-Halbbrücke ist als zentrale Schaltzelle konzipiert, die für ein breites Spektrum an Leistungsumwandlungstopologien geeignet ist. Die integrierte Architektur ermöglicht kompaktere Applikationen, bei denen Flächennutzung und Gesamtbetriebskosten im Vordergrund stehen. Durch den Betrieb bei höheren Schaltfrequenzen als diskrete Lösungen auf Leiterplattenebene erzielt das H-DPAK messbare Verbesserungen in der Dynamik, ermöglicht kompaktere Magnetikdesigns und steigert den Gesamtwirkungsgrad des Systems. 

Die Zielanwendungen umfassen das gesamte Spektrum industrieller und automobiler Leistungssysteme:

  • HVDC AI PSU (5L ANPC)
  • HVDC-Batterie- und Kondensator-Backup-Einheiten
  • Solid-State-Transformatoren
  • Solaranlagen und Energiespeicher für den Wohnbereich
  • Laden von Humanoiden Robotern
  • Zwei- und einstufige Onboard-Ladegeräte (OBCs)
  • DC-DC-Wandler
  • Nebenaggregate für Elektrofahrzeuge (xEVs)

Die 750V CoolSiC G2 bietet eine niedrige Gateladung (Qg) für reduzierte Gate-Treiberverluste, eine hohe dv/dt-Festigkeit für den Hochfrequenzbetrieb sowie eine breite Gate-Bias-Toleranz für größere Designreserven und Kompatibilität mit bestehenden Gate-Treiberarchitekturen. Damit ist sie besonders gut für leistungsstarke Industrie- und Automobilanwendungen geeignet, bei denen Robustheit und Schaltungseffizienz entscheidend sind.

Das H-DPAK erweitert Infineons oberseitig gekühlte Gehäusefamilie und ermöglicht native Flüssigkeitskühlung in den anspruchsvollsten und sich am schnellsten entwickelnden Anwendungen von heute.

Verfügbarkeit

Muster sind ab sofort erhältlich. Weitere Informationen finden Sie unter www.infineon.com/coolsic-750v.

Infineon auf der PCIM 2026

Die PCIM Europe findet vom 9. bis 11. Juni 2026 in Nürnberg statt. Infineon präsentiert seine Produkte und Lösungen für Dekarbonisierung und Digitalisierung in Halle 7, Stand 470. Presseanfragen richten Sie bitte an media.relations@infineon.com. Branchenanalysten, die an einem Briefing interessiert sind, können sich per E-Mail an MarketResearch.Relations@infineon.com wenden. Informationen zu den Messehighlights von Infineon auf der PCIM 2026 finden Sie unter www.infineon.com/pcim.

Über Infineon

Die Infineon Technologies AG ist ein weltweit führender Anbieter von Halbleiterlösungen für Power Systems und das Internet der Dinge (IoT). Mit seinen Produkten und Lösungen treibt Infineon die Dekarbonisierung und Digitalisierung voran. Das Unternehmen hat weltweit rund 57.000 Beschäftigte (Ende September 2025) und erzielte im Geschäftsjahr 2025 (Ende September) einen Umsatz von rund 14,7 Milliarden Euro. Infineon ist in Frankfurt unter dem Symbol „IFX“ und in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International unter dem Symbol „IFNNY“ notiert.

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Pressefotos

H-DPAK ist eine Ergänzung der oberseitig gekühlten Gehäusefamilie von Infineon, die integrierte Halbbrückenbauelemente in der 750V CoolSiC™ G2-Technologie beherbergt

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Michael Burner

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