Infineon stellt EiceDRIVER™ 2EDL90xG3 Gate-Treiber für Silizium- und GaN-Designs in KI-Rechenzentren vor

Market News

Jun 02, 2026

München, 02. Juni 2026 – Die Infineon Technologies AG stellt den EiceDRIVER™ 2EDL90xG3 vor, einen 120-V-Gate-Treiber mit gemeinsamem Footprint, der Silizium- (Si) und Galliumnitrid-Designs (GaN) auf derselben Leiterplatte ermöglicht. Da KI-Rechenzentren auf immer höhere Leistungsdichten skalieren, gewinnt die Fähigkeit, Silizium- und GaN-Lösungen ohne Leiterplattenüberarbeitung zu evaluieren und zwischen diesen zu wechseln, für Ingenieure in der Leistungselektronik zunehmend an Bedeutung. Der 2EDL90xG3 adressiert diesen Bedarf direkt: Er unterstützt 48-V- und Hochspannungs-Zwischenkreiswandler-Anwendungen (HV-IBC) und eliminiert gleichzeitig den Entwicklungsaufwand bei der Technologieevaluierung. Eine einzigartige 5-V-Gate-Clamp-Funktion vereinfacht zusätzlich das Design der Gate-Treiber-Versorgung für GaN und trägt zur Verbesserung des Systemwirkungsgrads bei.

Der 2EDL90xG3 bietet fünf konfigurierbare Betriebsmodi und unterstützt damit eine breite Palette von Leistungstopologien. Die duale Floating-Output-Architektur ermöglicht in Kombination mit der 5-V-Gate-Clamp die hybride Switched-Capacitor-Topologie (HSC) für Silizium- und GaN-Designs gleichermaßen. Eine hohe Treiberleistung von 4 A Source und 6 A Sink bietet die erforderliche Flexibilität, um die Sekundärseite von HV-IBC-Stufen anzusteuern. Ein integrierter Stromsensing-Verstärker mit hoher Bandbreite von typisch 5 MHz und einer hohen Gleichtaktspannungsfestigkeit von bis zu 35 V reduziert die Systemstückliste (BoM) und verbessert die Leistungsdichte. Der Stromsensing-Verstärker liefert eine hohe Genauigkeit von typisch 1 Prozent bei Vollaussteuerung und unterstützt damit eine präzise Regelkreissteuerung sowie einen schnellen Überstrom- und Kurzschlussschutz. Eine integrierte Bootstrap-Diode reduziert den Platzbedarf auf der Leiterplatte und die Systemstückliste in Halbbrücken- und Vollbrückenanwendungen zusätzlich. Der 2EDL90xG3 ist in einem kompakten 16-Pin-QFN-Gehäuse mit 3 mm x 3 mm erhältlich.

Das Treiberdesign ist für den Einsatz mit Infineons umfangreichem Portfolio für die Leistungsversorgung von KI-Servern optimiert, das die gesamte Leistungskette vom Netz bis zum Prozessorkern abdeckt. Dazu gehören Festkörpertransformatoren und Leistungsschalter, Netzteile und Batterie-Backup-Einheiten, IBCs sowie DC-Wandler-Leistungsmodule der zweiten Stufe. Durch die Kombination der komplementären Stärken von Silizium, Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid bietet Infineon Kunden einen klaren und bewährten Weg zu durchgängigen Leistungsarchitekturen. Das Portfolio wird durch einheitliche Entwicklungsressourcen und skalierbare, qualitativ hochwertige Komponenten unterstützt, die auf KI-Serverplattformen der nächsten Generation zugeschnitten sind.

Verfügbarkeit

Muster des 2EDL900G3 und 2EDL901G3 sind ab sofort erhältlich. Weitere Informationen sind verfügbar unter www.infineon.com/part/2EDL900G3 und www.infineon.com/part/2EDL901G3.

Infineon auf der PCIM 2026

Die PCIM Europe findet vom 9. bis 11. Juni 2026 in Nürnberg statt. Infineon präsentiert seine Produkte und Lösungen für Dekarbonisierung und Digitalisierung in Halle 7, Stand 470. Presseanfragen richten Sie bitte an media.relations@infineon.com. Branchenanalysten, die an einem Briefing interessiert sind, können sich per E-Mail an MarketResearch.Relations@infineon.com wenden. Informationen zu den Messehighlights von Infineon auf der PCIM 2026 finden Sie unter www.infineon.com/pcim.

Über Infineon

Die Infineon Technologies AG ist ein weltweit führender Anbieter von Halbleiterlösungen für Power Systems und das Internet der Dinge (IoT). Mit seinen Produkten und Lösungen treibt Infineon die Dekarbonisierung und Digitalisierung voran. Das Unternehmen hat weltweit rund 57.000 Beschäftigte (Ende September 2025) und erzielte im Geschäftsjahr 2025 (Ende September) einen Umsatz von rund 14,7 Milliarden Euro. Infineon ist in Frankfurt unter dem Symbol „IFX“ und in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International unter dem Symbol „IFNNY“ notiert.

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Der EiceDRIVER™ 2EDL90xG3 von Infineon ermöglicht Silizium- und Galliumnitrid-Designs auf derselben Leiterplatte

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Michael Burner

Spokesperson Consumer, Compute and Communication, PSS Division

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