Infineon erweitert CoolSiC™ JFET-Portfolio um Normally-Off-Varianten für KI-Rechenzentren und industrielle Anwendungen

Market News

Jun 02, 2026

München, 2. Juni 2026 – Die Infineon Technologies AG erweitert ihr CoolSiC™ JFET-Portfolio als Antwort auf die wachsende Nachfrage aus KI-Rechenzentren und adressiert damit den Trend hin zu halbleiterbasierten Schutzanwendungen. Mit neuen Bauteilen, Gehäuseoptionen und Konfigurationen unterstützt das Unternehmen leistungsfähige Systeme für Stromverteilung und -schutz. Die ersten 750 V- und 1200 V-CoolSiC JFET-Bauelemente im Q-DPAK-Gehäuse, die im vergangenen Jahr vorgestellt wurden, gehen nun in Serienproduktion. Auf der PCIM Europe 2026 präsentiert Infineon zusätzliche Gehäuseoptionen sowie Normally-Off-Varianten. Das Unternehmen stärkt damit sein Portfolio an diskreten Bauelementen für Anwendungen wie Halbleiter-Leistungsschalter, Batterie-Trennschalter und Stromverteilungsarchitekturen in KI-Rechenzentren, darunter Netzteile, Power-Backup-Units sowie Hot-Swap- und eFuse-Designs für Zwischenbuswandler.

Leistungshalbleiter arbeiten in diesen Anwendungen überwiegend im eingeschalteten Zustand, während Fehlerereignisse nur kurzzeitig und selten auftreten. Entsprechend zählen Leitungsverluste, Robustheit im linearen Betrieb und Avalanche-Fähigkeit zu den entscheidenden Designparametern. Um diese Anforderungen zu erfüllen, führt Infineon einen CoolSiC JFET mit 1200 V im weit verbreiteten TO-247-4-Gehäuse ein. Mit einem Einschaltwiderstand (R(DSon)) ab 5,0 mΩ ermöglicht er einen Drop-in-Ersatz in bestehenden SiC-MOSFET-Designs mit Standard-Durchsteckgehäuse ohne notwendige Leiterplattenänderungen. Das Portfolio wird zudem durch Normally-Off-Konfigurationen erweitert, die einen CoolSiC JFET mit einem OptiMOS™ Niederspannungs-Silizium-MOSFET in einem einzigen Gehäuse kombinieren: 

  • Die Dual-Drive-Konfiguration bietet separaten Zugriff auf die Gates sowohl des SiC JFET als auch des Si MOSFET und ermöglicht damit maximale Kontrolle und Designflexibilität auf Leiterplattenebene. Sie unterstützt zudem den Overdrive-Betrieb bei VGS = 2 V, wodurch sich der RDS(on) um rund 10 Prozent reduzieren lässt. Die 750-V-Variante ist in TOLL- und Q-DPAK-Gehäusen erhältlich, die 1200-V-Variante im Q-DPAK. 
  • Bei der Cascode-Konfiguration ist das Gate des SiC JFET intern integriert, sodass nur das Gate des MOSFET nach außen geführt wird. Dies ermöglicht einen einfachen Plug-and-Play-Betrieb mit Standard-Gate-Treibern, ohne dass spezielle Schaltungen erforderlich sind. Die Lösung eignet sich für Anwendungen, bei denen sowohl Schalt- als auch Leitverluste relevant sind. Die 750-V-Variante ist im TOLL-Gehäuse erhältlich.

Die serienreifen CoolSiC JFETs im Q-DPAK-Gehäuse liefern RDS(on)-Werte von nur 1,6 mΩ (750 V) bzw. 2,3 mΩ (1200 V) und gehören damit zu den niedrigsten am Markt verfügbaren Werten in diesen Spannungsklassen bei SiC-Bauteilen.

Alle Bauelemente basieren auf der .XT-Verbindungstechnologie von Infineon mit Diffusionslöten, was die thermische Leistung und Robustheit unter gepulsten und zyklischen Lasten verbessert. Sie sind unter realen Betriebsbedingungen qualifiziert, um eine zuverlässige Leistung bei Überlast- und Fehlerereignissen zu gewährleisten. Halbleiterbasierter Schutz auf Basis von CoolSiC JFETs ermöglicht Schaltgeschwindigkeiten, die um ein Vielfaches schneller sind als bei elektromechanischen Systemen. Dadurch lassen sich Schadensrisiken reduzieren, Ausfallzeiten minimieren und die Lebensdauer von System verlängern. In KI-Rechenzentren trägt diese Fehlerisolation zum Schutz wertvoller Rechen- und Speicherressourcen bei und unterstützt gleichzeitig eine höhere Leistungsdichte sowie Verfügbarkeit. In industriellen Anwendungen wie Halbleiter-Leistungsschaltern, Relais und Batteriemanagementsystemen ermöglichen die Bauteile eine langfristige Leitungszuverlässigkeit in Kombination mit schneller Fehlerisolierung.

Mit den Q-DPAK-, TO-247-4- und TOLL-Gehäusen sowie Normally-On-, Dual-Drive- und Cascode-Varianten bietet Infineon nun ein breites CoolSiC JFET-Portfolio, das ein großes Spektrum an Einschaltwiderständen, Gate-Ansteuerungskonzepten und Montageanforderungen abdeckt. 

Verfügbarkeit

Die CoolSiC JFETs mit 750 V und 1200 V in Q-DPAK-Gehäuse gehen 2026 in Serienproduktion. Entwicklungsmuster weiterer Varianten, darunter TO-247-4-, Dual-Drive- und Cascode-Konfigurationen, sind ab sofort verfügbar und werden ebenfalls 2026 in Serienproduktion gehen.

Infineon präsentiert sein CoolSiC JFET-Portfolio auf der PCIM Europe 2026 in Nürnberg in Halle 7, Stand 470.

Weitere Informationen sind verfügbar unter www.infineon.com/jfet.

Infineon auf der PCIM Europe 2026

Die PCIM Europe findet vom 9. bis 11. Juni 2026 in Nürnberg statt. Infineon wird seine Produkte und Lösungen für die Dekarbonisierung und Digitalisierung in Halle 7, Stand 470 präsentieren. Für Presseanfragen wenden Sie sich bitte an media.relations@infineon.com. Industrieanalystinnen und -analysten können sich per E-Mail an MarketResearch.Relations@infineon.com wenden. Informationen über die Highlights von Infineon auf der PCIM 2026 sind erhältlich unter www.infineon.com/pcim.

Über Infineon

Die Infineon Technologies AG ist ein weltweit führender Anbieter von Halbleiterlösungen für Power Systems und das Internet der Dinge (IoT). Mit seinen Produkten und Lösungen treibt Infineon die Dekarbonisierung und Digitalisierung voran. Das Unternehmen hat weltweit rund 57.000 Beschäftigte (Ende September 2025) und erzielte im Geschäftsjahr 2025 (Ende September) einen Umsatz von rund 14,7 Milliarden Euro. Infineon ist in Frankfurt unter dem Symbol „IFX“ und in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International unter dem Symbol „IFNNY“ notiert.

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Pressefotos

CoolSiC JFET 1200 V

CoolSiC JFET 1200 V

Die 750 V- und 1200 V-CoolSiC™ JFET-Bauelemente im Q-DPAK-Gehäuse gehen nun in Serienproduktion. Zusätzlich führt Infineon einen CoolSiC JFET mit 1200 V im weit verbreiteten TO-247-4-Gehäuse ein.

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Das CoolSiC™ JFET Portfolio von Infineon wird durch Normally-Off-Konfigurationen erweitert, die einen CoolSiC JFET mit einem OptiMOS™ Niederspannungs-Silizium-MOSFET in einem einzigen Gehäuse kombinieren

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Information Number : infgip202606-095

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Veronika Seifried

Spokesperson Industrial and Infrastructure, GIP Division

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