Infineon stellt RIC70115 strahlungsgehärteten GaN-HEMT-Treiber für Satelliten- und Raumfahrtanwendungen vor

Technology News

Jul 15, 2026

München, 15 Juli 2026 – Die Infineon Technologies AG stellt den RIC70115 vor, einen strahlungsgehärteten Galliumnitrid-HEMT-Treiber (GaN High-Electron Mobility Transistor), der für Satelliten- und hochzuverlässige Raumfahrtanwendungen entwickelt wurde, bei denen Leistungsumwandlungseffizienz und langfristige Betriebssicherheit kritische Anforderungen darstellen. Der RIC70115 unterstützt sowohl Silizium- (Si) als auch GaN-MOSFET-Designs in Low-Side- und High-Side-Konfigurationen und gibt Entwicklern von Leistungssystemen größere Flexibilität bei der Einführung GaN-basierter Architekturen  in Raumfahrtplattformen, ohne den sicheren Betrieb bei variierenden Vorspannungsbedingungen zu beeinträchtigen. Mit dem weiteren Wachstum der New-Space-Wirtschaft und zunehmender Komplexität und Anzahl von Satellitenkonstellationen steigt die Nachfrage nach strahlungsgehärteten Leistungsbauelementen, die den Übergang von Si zu GaN unterstützen.

„GaN-Halbleiterlösungen werden zu einem integralen Bestandteil des Designökosystems für New-Space-Anwendungen, und das Adoptionsniveau nimmt rapide zu", sagt Mike Mills, Senior Vice President und General Manager HiRel bei Infineon. „Der RIC70115 spiegelt Infineons Engagement wider, die Integration, Leistungsfähigkeit und Strahlungshärte bereitzustellen, die Entwickler von Raumfahrt-Leistungssystemen benötigen, um mit Zuversicht auf GaN-basierte Systeme umzusteigen. Wir bieten Entwicklern einen bewährten, qualifizierten Weg zu höherer Effizienz und größerer Designflexibilität in einer der anspruchsvollsten Umgebungen der Industrie."

Der RIC70115 integriert eine unabhängige Miller-Clamp-Funktion, die ein parasitär induziertes Einschalten verhindert und gleichzeitig die gewünschte Schaltgeschwindigkeit beibehält, wodurch Schaltverluste reduziert und der Gesamtwirkungsgrad verbessert werden. Eine Truly Differential Input (TDI) Logikschaltung bietet hohe Störfestigkeit durch Unterdrückung von Gleichtaktstörungen und mindert die Auswirkungen von elektromagnetischen Störungen und Hochfrequenzstörungen, die beide im elektrisch anspruchsvollen Umfeld eines Satelliten-Leistungsbusses besonders relevant sind. Ein integrierter Low-Dropout-Regler (LDO) erzeugt eine präzise geregelte 4,8-V-Treiberspannung aus einer 5-V- oder 12-V-Quelle, reduziert den Bedarf an externen Regelkomponenten und unterstützt einen Leistungseingangsbereich von 4,75 V bis 15 V. 
Zusammen reduzieren diese integrierten Funktionen die Anzahl externer Komponenten, vereinfachen das Schaltungsdesign und verbessern die Systemzuverlässigkeit in Raumfahrt-Leistungsanwendungen mit hohen Schaltzykluszahlen.

Der RIC70115 erfüllt die Anforderungen von MIL-PRF-38535 über einen erweiterten Betriebstemperaturbereich von -55°C bis 125°C. Das Bauelement ist bis zu einer Gesamtionisierungsdosis (TID) von 100 krad (Si) strahlungsgehärtet und wurde für Einzelereigniseffekte (SEE) bis zu einem linearen Energietransfer (LET) von 81,9 MeV·cm²/mg charakterisiert, womit es die erforderlichen Strahlungsleistungsreserven für niedrige Erdumlaufbahnen und darüber hinaus bereitstellt.

Verfügbarkeit
Der GaN-HEMT-Treiber RIC70115 von Infineon ist ab sofort erhältlich, zusammen mit dem Evaluierungsboard RIC70115EVAL1. Weitere Informationen sind verfügbar unter www.infineon.com/promo/ric70115.

Über Infineon

Die Infineon Technologies AG ist ein weltweit führender Anbieter von Halbleiterlösungen für Power Systems und das Internet der Dinge (IoT). Mit seinen Produkten und Lösungen treibt Infineon die Dekarbonisierung und Digitalisierung voran. Das Unternehmen hat weltweit rund 57.000 Beschäftigte (Ende September 2025) und erzielte im Geschäftsjahr 2025 (Ende September) einen Umsatz von rund 14,7 Milliarden Euro. Infineon ist in Frankfurt unter dem Symbol „IFX“ und in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International unter dem Symbol „IFNNY“ notiert.

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Mit Unterstützung für Silizium- und GaN-MOSFET-Designs in Low-Side- und High-Side-Konfigurationen gibt der Infineon RIC70115 Entwicklern von Leistungssystemen die Flexibilität, GaN-basierte Leistungsarchitekturen in Raumfahrtplattformen einfacher und sicherer einzuführen.

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Michael Burner

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