Infineon präsentiert CoolSiC™ MOSFET 750 V G2 mit ultra-niedrigem RDS(on) für Automotive- und Industrieanwendungen

Market News

Apr 29, 2025

München, 29. April 2025 – Die Infineon Technologies AG bringt die neue CoolSiC™ MOSFET 750 V G2-Technologie auf den Markt, die für eine verbesserte Systemeffizienz und höhere Leistungsdichte in Automotive- und Industrieanwendungen entwickelt wurde. Die CoolSiC MOSFET 750 V G2-Technologie bietet ein differenziertes Portfolio mit typischen R DS(on)-Werten bis zu 60 mΩ bei 25°C und ist damit ideal für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter On-Board-Charger, DC-DC-Wandler, Zusatzgeräte für Elektrofahrzeuge (xEVs) sowie industrielle Anwendungen in den Bereichen EV-Ladetechnik, Solarwechselrichter, Energiespeichersysteme, Telekommunikation und Schaltnetzteile.

Die extrem niedrigen R DS(on)-Werte von 4 und 7 mΩ ermöglichen eine hervorragende Leistung in statischen Schaltanwendungen, wodurch sich die MOSFETs ideal für Anwendungen wie eFuse, Hochspannungs-Batterietrennschalter, Halbleiter-Leistungsschalter und Halbleiterrelais eignen. Der branchenweit niedrigste R DS(on) von 4 mΩ ist in dem top-side cooling Q-DPAK-Gehäuse von Infineon untergebracht, das für optimale thermische Performance und Zuverlässigkeit ausgelegt ist.

Die Technologie zeichnet sich außerdem durch einen exzellenten R DS(on) x Q OSS und einen branchenführenden R DS(on) x Q frr aus, was zu reduzierten Schaltverlusten sowohl in Hard- als auch in Soft-Switching-Topologien beiträgt – insbesondere in Hard-Switching-Anwendungsfällen mit hervorragender Effizienz. Durch die reduzierte Gate-Ladung ermöglicht die Technologie ein schnelleres Schalten und reduziert Gate-Ansteuerungsverluste, wodurch sie in Hochfrequenzanwendungen noch effizienter ist.

Überdies bieten CoolSiC MOSFETs 750 V G2 eine Kombination aus hoher Schwellenspannung V GS(th),typ von 4,5 V bei 25°C und einem extrem niedrigen Q GD/Q GS-Verhältnis, was die Robustheit gegenüber parasitärem Einschalten erhöht. Zudem ermöglicht die Technologie erweiterte Gate-Ansteuerungsfunktionen und unterstützt statische Gate-Spannungen von bis zu -7 V und transiente Gate-Spannungen von bis zu
-11 V. Durch diese verbesserte Spannungstoleranz profitieren Entwickler von größeren Design-Spielräumen und einer optimalen Kompatibilität mit anderen Bauteilen auf dem Markt.

Der CoolSiC 750 V G2 bietet eine hervorragende Schaltleistung, einfache Handhabung und höchste Zuverlässigkeit unter strikter Einhaltung der AEC Q101-Normen für Automobilkomponenten und der JEDEC-Normen für Industriekomponenten. Damit ermöglicht das Produkt effizientere, kompaktere und kostengünstigere Designs, die den ständig wachsenden Marktanforderungen gerecht werden, und unterstreicht das Engagement des Unternehmens für Zuverlässigkeit und Langlebigkeit in sicherheitskritischen Automobilanwendungen.

Verfügbarkeit

Muster des CoolSiC MOSFET 750 V G2 Q-DPAK 4/7/16/25/60 mΩ von Infineon können ab sofort bestellt werden. Weitere Informationen sind erhältlich unter www.infineon.com/coolsic-750v

Infineon auf der PCIM Europe 2025
Die PCIM Europe findet vom 6. bis 8. Mai 2025 in Nürnberg statt. Infineon wird seine Produkte und Lösungen für die Dekarbonisierung und Digitalisierung in Halle 7, Stand 470 präsentieren. Vertreterinnen und Vertreter des Unternehmens halten außerdem mehrere Vorträge auf den Stages der PCIM Expo und der begleitenden PCIM Conference, gefolgt von Diskussionen mit den Referierenden. Interessierte, die mit Fachleuten sprechen möchten, können unter media.relations@infineon.com einen Termin vereinbaren. Industrieanalystinnen und -analysten können sich per E-Mail an   MarketResearch.Relations@infineon.com wenden. Informationen über die Highlights von Infineon auf der PCIM 2025 sind erhältlich unter www.infineon.com/pcim.

Die Infineon Technologies AG ist ein weltweit führender Anbieter von Halbleiterlösungen für Power Systems und das Internet der Dinge (IoT). Mit seinen Produkten und Lösungen treibt Infineon die Dekarbonisierung und Digitalisierung voran. Das Unternehmen hat weltweit rund 58.060 Beschäftigte (Ende September 2024) und erzielte im Geschäftsjahr 2024 (Ende September) einen Umsatz von rund 15 Milliarden Euro. Infineon ist in Frankfurt unter dem Symbol „IFX“ und in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International unter dem Symbol „IFNNY“ notiert.

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CoolSiC 750V G2

CoolSiC 750V G2

The CoolSiC 750 V G2 from Infineon delivers unparalleled switching performance with firm adherence to standards for automotive-grade parts and industrial-grade parts.

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Information Number : INFPSS202504-092

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Michael Burner

Spokesperson Consumer, Compute and Communication, PSS Division

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