Siliziumkarbid-Leistungsmodule im EasyPACK™ C-Gehäuse steigern Effizienz und Lebensdauer von industriellen Anwendungen

Market News

Oct 29, 2025

München, 29. Oktober 2025 – Industrielle Anwendungen wie das schnelle Laden von Elektrofahrzeugen mit Gleichstrom (DC-Laden), Ladesysteme im Megawattbereich, Energiespeichersysteme und unterbrechungsfreie Stromversorgungen arbeiten unter rauen Bedingungen und schwankenden Lastprofilen. Diese Systeme erfordern eine hohe Effizienz, eine hohe Belastbarkeit bei thermischen Lastwechseln sowie eine lange Lebensdauer. Um diese Anforderungen zu erfüllen, bringt die Infineon Technologies AG EasyPACK™ C auf den Markt, die nächste Generation ihrer EasyPACK-Gehäusefamilie. Die ersten Produkte im neuen Gehäuse sind Siliziumkarbid (SiC)-Leistungsmodule, die die CoolSiC™ MOSFETs 1200 V G2 und die .XT-Verbindungstechnologie von Infineon integrieren. Indem sie statische Verluste reduzieren und die Zuverlässigkeit verbessern, adressieren die Module den wachsenden Energiebedarf und die Nachhaltigkeitsziele in industriellen Anwendungen.

Die neuen Produkte basieren auf der CoolSiC MOSFET G2-Technologie von Infineon und ermöglichen Designs mit einer mehr als 30 Prozent höheren Leistungsdichte und einer bis zu 20-mal längeren Lebensdauer im Vergleich zur vorherigen Generation von CoolSiC MOSFETs. Darüber hinaus bieten sie eine deutliche Verringerung des RDS(on), mit einer Verbesserung von rund 25 Prozent. Das neue EasyPACK C-Gehäusekonzept erhöht zudem die Leistungsdichte, ermöglicht flexiblere Layouts und ebnet den Weg für zukünftige Designs mit höheren Spannungsklassen. Die .XT-Verbindungstechnologie von Infineon verlängert zusätzlich die Lebensdauer der Bauteile.

Die Module halten Überlast-Schaltbedingungen bis zu Tvj(over) = 200°C stand. Neue PressFIT-Pins verdoppeln die Strombelastbarkeit, senken die Temperatur auf der Leiterplatte und erleichtern den Montageprozess. Ein neues Kunststoffmaterial und Silikongel unterstützen Betriebstemperaturen von bis zu Tvj(op) = 175°C. Darüber hinaus bieten die Module eine Isolationsleistung von 3 kV AC für eine Minute. Diese Eigenschaften tragen zu einer hervorragenden Modul- und Systemeffizienz, einer verlängerten Lebensdauer und einer hohen Temperaturbeständigkeit bei.

Die neuen Module im EasyPACK C-Gehäuse sind in verschiedenen Topologien erhältlich, darunter 3-Level- und H-Brücken-Konfigurationen, sowie mit und ohne Wärmeleitmaterial.

Verfügbarkeit

Die ersten Module mit der CoolSiC MOSFET G2-Technologie im EasyPACK C-Gehäuse sind ab sofort erhältlich. Weitere Informationen sind verfügbar unter www.infineon.com/products/power/mosfet/silicon-carbide/modules.  

Infineon plant, das Produktportfolio weiter auszubauen, um den sich wandelnden Anforderungen verschiedener Anwendungen zu entsprechen.

Über Infineon

Die Infineon Technologies AG ist ein weltweit führender Anbieter von Halbleiterlösungen für Power Systems und das Internet der Dinge (IoT). Mit seinen Produkten und Lösungen treibt Infineon die Dekarbonisierung und Digitalisierung voran. Das Unternehmen hat weltweit rund 58.060 Beschäftigte (Ende September 2024) und erzielte im Geschäftsjahr 2024 (Ende September) einen Umsatz von rund 15 Milliarden Euro. Infineon ist in Frankfurt unter dem Symbol „IFX“ und in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International unter dem Symbol „IFNNY“ notiert.

Follow us: Facebook - LinkedIn

Pressefotos

Die ersten Produkte im neuen EasyPACK™ C-Gehäuse sind SiC-Leistungsmodule, die die CoolSiC™ MOSFETs 1200 V G2 und die .XT-Verbindungstechnologie von Infineon integrieren.

PNG

1500x1032 px

Herunterladen
×
img-model

Information Number : INFGIP202510-016

avatar

Veronika Seifried

Spokesperson Industrial & Infrastructure, GIP Division

T +49 89 234 61662

E-Mail senden