CoolSiC™ MOSFETs 1400 V G2 im TO-247PLUS-4-Reflow-Gehäuse: Mehr Leistungsdichte für Hochleistungsanwendungen

Market News

Oct 17, 2025

München, 17. Oktober 2025 – Hochleistungsanwendungen wie das Laden von Elektrofahrzeugen, Batterie-Energiespeichersysteme sowie Nutz-, Bau- und Landwirtschaftsfahrzeuge (CAVs) stellen immer höhere Anforderungen an Leistungsdichte und Effizienz auf Systemebene. Gleichzeitig entstehen neue Herausforderungen im Design: Zuverlässiger Betrieb unter rauen Umgebungsbedingungen, Robustheit gegenüber transienten Überlasten und eine optimierte Systemleistung sind gefragt. Um diesen Anforderungen gerecht zu werden, bringt die Infineon Technologies AG die CoolSiC™ MOSFETs 1400 V G2 im TO-247PLUS-4-Reflow-Gehäuse auf den Markt. Die Bauteile unterstützen höhere Zwischenkreisspannungen und ermöglichen eine verbesserte thermische Leistung, eine geringere Systemgröße sowie eine höhere Zuverlässigkeit.
 
Die Gehäusetechnologie erlaubt Reflow-Löten bei 260°C für bis zu drei Zyklen sowie einen zuverlässigen Betrieb bei Sperrschichttemperaturen bis zu 200°C – bei gleichzeitig hoher Spitzenstromfähigkeit. Dank der .XT-Verbindungstechnologie von Infineon bieten die Bauteile eine verbesserte Wärmeleistung und erhöhte mechanische Robustheit für anspruchsvolle Einsatzbereiche. Die neue 1400-V-Spannungsklasse schafft zusätzlichen Spielraum für schnelleres Schalten und vereinfacht Schutzmaßnahmen gegen Überspannung. Das macht ein Leistungsderating überflüssig und trägt zur Robustheit des Gesamtsystems bei. 
 
Die CoolSiC MOSFETs 1400 V G2 im TO-247PLUS-4-Reflow-Gehäuse sind in RDS(on)-Klassen von 6 bis 29 mΩ verfügbar und eignen sich ideal für Anwendungen, bei denen es auf eine hohe Leistungsdichte ankommt – etwa in CAVs, beim Laden von Elektrofahrzeugen und in Batterie-Energiespeichersystemen. Zusätzlich bietet Infineon CoolSiC MOSFETs 1400 V auch im TO-247-4-Gehäuse mit erhöhter Kriechstrecke an. Die RDS(on)-Klassen reichen dabei von 11 bis 38 mΩ. Diese Bauelemente eignen sich zusätzlich auch für Anwendungen wie Photovoltaik.
 
Verfügbarkeit


Die CoolSiC MOSFETs 1400 V G2 in den Gehäusen TO-247PLUS-4-Reflow und TO-247-4 sind ab sofort erhältlich. Weitere Informationen sind verfügbar unter: www.infineon.com/part/IMYR140R006M2H.

Über Infineon

Die Infineon Technologies AG ist ein weltweit führender Anbieter von Halbleiterlösungen für Power Systems und das Internet der Dinge (IoT). Mit seinen Produkten und Lösungen treibt Infineon die Dekarbonisierung und Digitalisierung voran. Das Unternehmen hat weltweit rund 58.060 Beschäftigte (Ende September 2024) und erzielte im Geschäftsjahr 2024 (Ende September) einen Umsatz von rund 15 Milliarden Euro. Infineon ist in Frankfurt unter dem Symbol „IFX“ und in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International unter dem Symbol „IFNNY“ notiert.

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Die CoolSiC MOSFETs 1400 V G2 im TO-247PLUS-4-Reflow-Gehäuse eignen sich ideal für Anwendungen, bei denen es auf eine hohe Leistungsdichte ankommt – etwa in CAVs, beim Laden von Elektrofahrzeugen und in Batterie-Energiespeichersystemen.

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Veronika Seifried

Spokesperson Industrial & Infrastructure, GIP Division

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