Infineon präsentiert CoolGaN-basierte HV-IBC-Referenzdesigns für 800-VDC-Architekturen in KI-Rechenzentren

Market News

Mar 17, 2026

München, 17. März 2026 – Die Infineon Technologies AG bringt zwei neue Referenzdesigns für Hochvolt-Zwischenbuswandler (High Voltage Intermediate Bus Converter, HV IBC) auf den Markt, um Kunden den Übergang zu KI-Server-Stromversorgungsarchitekturen mit +/-400 V und 800 V Gleichstrom (VDC) zu erleichtern. Die Designs basieren auf den 650-V-CoolGaN™-Schaltern von Infineon und richten sich an Hyperscaler, Power-Architekten und Server-OEMs, die angesichts steigender KI-Workloads höhere Rack-Leistungen, geringere Verluste bei der Stromverteilung und eine verbesserte thermische Leistung anstreben. 
 
Die Referenzdesigns adressieren zwei unterschiedliche Architekturen: Das 800-VDC-zu-50-V-Design dient als Zwischenstufe für nachgelagerte 48-V-IBC-Module, während das 800-VDC-zu-12-V-Design eine direkte Wandlung für kompakte Server-Boards ermöglicht. Für kundenspezifische Implementierungen bietet Infineon den digitalen Controller XDPP1188-200C, der flexible Ausgangsspannungen von 48 V, 24 V oder 12 V unterstützt.
 
„Infineon setzt seinen Weg als führender Anbieter in der Energieversorgung von Anwendungen, die auf künstlicher Intelligenz basieren, konsequent fort“, sagt Christian Burrer, Vice President Systems bei Infineon. „Unsere HV-IBC-Referenzdesigns eröffnen Kunden einen schnelleren Zugang zu Hochvolt-Architekturen für Rechenzentren und verbinden dabei die hochwertigen Leistungshalbleiter von Infineon mit umfassender Systemdesign-Expertise. Durch die Bereitstellung vollständiger, hocheffizienter Implementierungen können Kunden Entwicklungsrisiken minimieren, die Leistungsdichte erhöhen und die Energieeffizienz in großem Maßstab verbessern.“
 
Das 800-VDC- oder +/-400-V- bis 50-V-HV-IBC-Referenzdesign wurde für KI-Rechenzentren der nächsten Generation entwickelt und erreicht bei Volllast einen Wirkungsgrad von über 98 Prozent. Es basiert auf für hohe und mittlere Spannungen optimierten CoolGaN-Schaltern, EiceDRIVER™-Gate-Treibern sowie einem PSOC™-Mikrocontroller von Infineon und besteht aus zwei 3-kW-400-V-bis-50-V-Wandlerbauteilen, die in einer ISOP-Anordnung (Input-Series-Output-Parallel) konfiguriert sind. Der Ansatz ist auf eine thermische Auslegungsleistung (Thermal Design Power, TDP) von 6 kW ausgelegt und unterstützt Leistungsspitzen von bis zu 10,8 kW für 400 µs. Dabei kommt ein planarer, in die Leiterplatte integrierter Transformator mit mehreren synchronen Gleichrichterstufen sowie Soft-Switching über den gesamten Lastbereich zum Einsatz, wodurch elektromagnetische Störungen (EMI) reduziert werden. Die kompakte Implementierung hat einen Formfaktor von 60 x 60 x 11 mm und erreicht eine Leistungsdichte von 2,5 kW/in³.

Bei dem zweiten Referenzdesign handelt es sich um ein ultradünnes HV-IBC-Demoboard, das eine 800-V-DC-Busspannung direkt in eine 12-V-Zwischenleitung umwandelt. Das Design liefert eine TDP von 6 kW und unterstützt bis zu 10,8 kW für 400 µs. Es arbeitet als ISOP-Halbbrücken-LLC-Wandler und nutzt einen innovativen Matrixtransformator, um eine Höhe von 8 mm bei einer Grundfläche von 130 × 40 mm² zu erreichen. Das ultradünne Design hat eine Leistungsdichte von über 2300 W/in³ und ermöglicht neue Konzepte zur Kühlung von Serverplatinen. Das Design erreicht einen Spitzenwirkungsgrad von 98,2 Prozent und einen Wirkungsgrad von 97,1 Prozent bei Volllast. Zur Erfüllung dieser strengen Spezifikationen kommen bei der Lösung die hochwertigen 650-V-CoolGaN- und 40-V-OptiMOS™-7-Schalter von Infineon sowie EiceDRIVER-Gate-Treiber und ein PSOC-Mikrocontroller zum Einsatz.
 
Beide HV-IBC-Referenzdesigns sind für den Einsatz mit dem breiten Stromversorgungsportfolio für KI-Server von Infineon – vom Stromnetz bis zum Prozessor. Das Portfolio umfasst Halbleitertransformatoren und Leistungsschalter, Hochvolt- und Zwischenbus-Wandlung sowie Leistungsmodule für die DC-Konvertierung der zweiten Stufe. Hierbei nutzt Infineon die Vorteile von Silizium (Si), Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN), um höchste Effizienz, Dichte und Robustheit zu erzielen. Darüber hinaus bietet das Unternehmen seinen Kunden einen klaren Weg zu End-to-End-Stromversorgungsarchitekturen mit bewährten, hochwertigen Komponenten, konsistenter Designunterstützung und skalierbarer Leistungsfähigkeit für KI-Serverplattformen der nächsten Generation.
 
Verfügbarkeit
Erfahren Sie mehr über die Stromversorgungslösungen für KI-Rechenzentren von Infineon hier.
 
APEC 2026
Besuchen Sie Infineon auf der APEC 2026 vom 22. bis 26. März 2026 im Henry B. Gonzalez Convention Center in San Antonio, Texas. Sie finden Infineon bei der Standnummer 1619 und können dort Informationen zu einem der branchenweit breitesten Portfolios an Leistungshalbleitern erfahren; mit allen relevanten Technologien in Silizium (Si), Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN). Für Presseanfragen wenden Sie sich bitte an media.relations@infineon.com.
 
Infineon AI Days Taiwan
Der Infineon We Power AI Day ist eine Branchenveranstaltung für Business- und Technologieführer in Taiwan. Gemeinsam mit unseren Ökosystempartnern und Kunden erkunden wir die neuesten Fortschritte im Feld der Leistungstechnologien. Das Ziel ist eine nachhaltige KI-Infrastruktur gestaltet mit den innovativen Lösungen von Infineon – vom Netz bis zum Kern („grid to core“). Die Veranstaltung findet am 31. März in Taipeh statt.

Über Infineon

Die Infineon Technologies AG ist ein weltweit führender Anbieter von Halbleiterlösungen für Power Systems und das Internet der Dinge (IoT). Mit seinen Produkten und Lösungen treibt Infineon die Dekarbonisierung und Digitalisierung voran. Das Unternehmen hat weltweit rund 57.000 Beschäftigte (Ende September 2025) und erzielte im Geschäftsjahr 2025 (Ende September) einen Umsatz von rund 14,7 Milliarden Euro. Infineon ist in Frankfurt unter dem Symbol „IFX“ und in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International unter dem Symbol „IFNNY“ notiert.

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Pressefotos

Die Infineon Intermediate Bus Converter (HV IBC)-Referenzdesigns helfen Kunden, den Übergang zu KI-Server-Stromarchitekturen zu beschleunigen, die mit +/-400 V und 800 Volt DC (VDC) betrieben werden.

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Michael Burner

Spokesperson Consumer, Compute and Communication, PSS Division

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