Infineon CoolGaN™ BDS 40 V G3-Familie reduziert PCB-Platzbedarf für portable Leistungsdesigns um bis zu 82 Prozent

Market News

May 20, 2026

München, 20. Mai 2026 – Die Infineon Technologies AG erweitert ihre CoolGaN™ BDS 40 V G3-Familie für bidirektionale Schalter (BDS) um zwei neue Halbleiterbauteile: den IGK048B041S und den IGK120B041S. Die neuen Bauelemente reduzieren den PCB-Platzbedarf um bis zu 82 Prozent und halbieren die Komponentenanzahl. Für Ingenieure, die unter den engen räumlichen Anforderungen moderner Smartphones, Notebooks und Wearables entwickeln, ist dies ein bedeutender und messbarer Fortschritt. Die neuen Bauelemente sind auf kompakte Consumer-Geräte ausgerichtet und bieten Power-System-Designern mehr Flexibilität, um Effizienz zu optimieren und Designs zu verschlanken, ohne Abstriche bei der Performance.

„Da Consumer-Geräte immer kompakter werden, während die Leistungsanforderungen steigen, stehen Ingenieure unter zunehmendem Druck, mehr aus weniger zu machen. Die neuen CoolGaN BDS-Bauteile adressieren genau diese Herausforderung", sagt Johannes Schoiswohl, GaN Business Line Head bei Infineon. „Jedes Bauelement integriert die Funktion zweier back-to-back-verschalteter Silizium-MOSFETs in einem einzigen Bauteil, reduziert die Komponentenanzahl um die Hälfte und vereinfacht das PCB-Layout. Entwicklungsteams können vorhandene Treiber-Layouts weiterverwenden und vermeiden damit kostspielige Neudesigns, was die Time-to-Market verkürzt. Das Ergebnis ist eine schlankere und kosteneffizientere Stromversorgung."

Der BDS ist, wie andere GaN-Bauteile, kompatibel mit 5-V-Gate-Ansteuerung. Die angebotenen WLCSP-Chip-Scale-Gehäuse mit den Abmessungen 2,1 × 2,1 mm² und 1,7 × 1,2 mm² sind für die engen räumlichen Anforderungen von Smartphones, Notebooks und Wearables konzipiert. Das größere GaN-Bauelement erreicht einen RDD(on)-Wert von 4,2 mΩ, das kleinere einen Wert von 9 mΩ. Die CoolGaN BDS-Schalter zeichnen sich zudem durch überlegene Schalt- und Leckstromperformance aus. Die Gate-Ladung ist um bis zu rund 40 Prozent geringer als bei vergleichbaren Wettbewerbsprodukten. Eine geringere Gate-Ladung führt direkt zu schnelleren Schalttransitionen, reduzierten Schaltverlusten und einer verbesserten Systemeffizienz in Schnellladeanwendungen. Darüber hinaus ist der Drain-Drain-Leckstrom um mehr als 85 Prozent geringer als bei Wettbewerbslösungen – ein Beleg für die inhärenten Leckstromvorteile der GaN-Technologie. Zusammen reduzieren diese Eigenschaften den thermischen Anstieg, unterstützen die Langzeitzuverlässigkeit und helfen Herstellern dabei, zunehmend strengere Sicherheitsanforderungen zu erfüllen.

Im Gegensatz zu Silizium-MOSFETs, die auf eine Body-Diode angewiesen sind, die unbeabsichtigten Stromfluss ermöglichen kann, erlauben die CoolGaN BDS-Schalter eine bidirektionale Spannungs- und Stromblockierung. Diese echte bidirektionale Sperrfähigkeit ist essenziell für Anwendungen wie den USB-Überspannungsschutz in Smartphones und portablen Geräten, bei denen die Verhinderung unerwünschter Rückströme zum Schutz empfindlicher nachgelagerter Komponenten entscheidend ist. Die Bauelemente eignen sich gleichermaßen für Last-Schalt- und Power-Multiplexing-Funktionen in Multi-Rail-Leistungsarchitekturen, bei denen eine präzise Steuerung der Stromrichtung über mehrere Versorgungsschienen erforderlich ist.

Mit der Ergänzung dieser beiden Schalter umfasst die Infineon CoolGaN BDS 40 V G3-Familie nun drei Bauelemente – den IGK048B041S, den IGK120B041S sowie den bereits früher vorgestellten IGK080B041S – und deckt damit das gesamte Spektrum mobiler Leistungsschalteranforderungen ab: von kompakten Wearables bis hin zu leistungsstarken Notebooks.

Infineon verfügt über ein starkes Portfolio mit mehr als 40 neuen GaN-Produktankündigungen im vergangenen Jahr und ist ein bevorzugter Partner für Kunden, die hochwertige GaN-Lösungen suchen. Das Unternehmen liegt mit der Umsetzung der skalierbaren GaN-Fertigung auf 300-Millimeter-Wafern im Plan; erste Muster werden bereits an Kunden ausgeliefert. Die 300-mm-GaN-Fertigung ermöglicht höhere Produktionskapazitäten und eine schnellere Bereitstellung hochwertiger GaN-Produkte, was Infineons Position im GaN-Markt weiter stärkt.

Verfügbarkeit

Der IGK048B041S und der IGK120B041S sind ab sofort über die autorisierten Distributionskanäle von Infineon erhältlich. Detaillierte Produktinformationen, Datenblätter und Bestellmöglichkeiten sind hier verfügbar.

Über Infineon

Die Infineon Technologies AG ist ein weltweit führender Anbieter von Halbleiterlösungen für Power Systems und das Internet der Dinge (IoT). Mit seinen Produkten und Lösungen treibt Infineon die Dekarbonisierung und Digitalisierung voran. Das Unternehmen hat weltweit rund 57.000 Beschäftigte (Ende September 2025) und erzielte im Geschäftsjahr 2025 (Ende September) einen Umsatz von rund 14,7 Milliarden Euro. Infineon ist in Frankfurt unter dem Symbol „IFX“ und in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International unter dem Symbol „IFNNY“ notiert.

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Infineon CoolGaN BDS 40 V G3-Familie

Infineon CoolGaN BDS 40 V G3-Familie

Die Infineon CoolGaN BDS 40 V G3-Familie deckt das gesamte Spektrum mobiler Leistungsschalteranforderungen ab, von kompakten Wearables bis hin zu leistungsstarken Notebooks.

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