Infineon präsentiert neue Generation leistungsfähiger und energieeffizienter IGBT- und RC-IGBT-Bauteile für Elektrofahrzeuge

Market News

Apr 16, 2025

München, 16. April 2025 – Der Markt für Elektrofahrzeuge gewinnt weiter an Fahrt: Sowohl batteriebetriebene Elektrofahrzeuge (BEVs) als auch Plug-in-Hybridfahrzeuge (PHEVs) verzeichnen ein starkes Volumenwachstum. Der Anteil an produzierten Elektrofahrzeugen wird bis 2030 voraussichtlich deutlich steigen – auf rund 45 Prozent gegenüber 20 Prozent im Jahr 2024 [1]. Die Infineon Technologies AG reagiert auf die steigende Nachfrage nach Hochvolt-IGBT-Chips für den Automotive-Bereich mit der Einführung einer neuen Produktgeneration. Zu diesen Produkten gehören die EDT3-Chips (Electric Drive Train der 3. Generation), die für 400-V- und 800-V-Systeme ausgelegt sind, sowie RC-IGBT-Chips, die speziell für 800-V-Systeme entwickelt wurden. Die Bauteile verbessern die Leistung elektrischer Antriebssysteme und eignen sich ideal für Anwendungen in der Automobil-Branche.

Die EDT3- und RC-IGBT-Bare-Dies wurden designt, um zuverlässig hohe Leistung zu liefern und Kunden die Möglichkeit zu geben, kundenspezifische Leistungsmodule zu entwickeln. Die neue Generation des EDT3 stellt einen bedeutenden Fortschritt gegenüber dem EDT2 dar: Die Bauteile erzielen bei hoher Last bis zu 20 Prozent geringere Gesamtverluste und behalten gleichzeitig die Effizienz bei niedriger Last bei. Erreicht wurde das durch Optimierungen, die die Chipverluste minimieren und die maximale Sperrschichttemperatur erhöhen. Auf diese Weise entsteht ein ausgewogenes Verhältnis zwischen der Leistungsfähigkeit bei hoher Last und der Energieeffizienz bei niedriger Last. Elektrofahrzeuge, die mit EDT3-Chips ausgestattet sind, profitieren dadurch von einer höheren Reichweite und einem geringeren Energiebedarf, was zu einem nachhaltigeren und kostengünstigeren Fahrerlebnis führt.

„Als führender Anbieter von IGBT-Technologie ist Infineon bestrebt, herausragende Leistung und Zuverlässigkeit zu bieten“, sagt Robert Hermann, Vice President für Automotive High Voltage Chips and Discretes bei Infineon Technologies. „Unsere EDT3-Lösung basiert auf unserem unermüdlichen Engagement für Innovation und Dekarbonisierung und ermöglicht es unseren Kunden, in ihren Anwendungen optimale Ergebnisse zu erzielen.“

Die EDT3-Chipsätze sind in den Spannungsklassen 750 V und 1200 V erhältlich und liefern höhere Ausgangsströme. Damit eignen sie sich ideal für Hauptwechselrichteranwendungen in einer Vielzahl von Elektrofahrzeugen, darunter batteriebetriebene Elektrofahrzeuge, Plug-in-Hybrid-Elektrofahrzeuge und Elektrofahrzeuge mit erweiterter Reichweite (REEVs). Durch die reduzierte Chipgröße und das optimierte Design ermöglichen sie die Herstellung kompakterer Module, was wiederum zu niedrigeren Gesamtsystemkosten führt. Mit einer maximalen virtuellen Sperrschichttemperatur von 185°C und einer maximalen Kollektor-Emitter-Spannung von bis zu 750 V oder 1200 V sind die Bauteile zudem hervorragend für Hochleistungsanwendungen geeignet. Sie unterstützen Automobilhersteller dabei, effizientere und zuverlässigere Antriebsstränge zu entwickeln, die zu einer größeren Reichweite und geringeren Emissionen beitragen können.

„Als Hauptlieferant und Partner von Leadrive im Bereich IGBT-Chips liefert Infineon kontinuierlich fortschrittliche Lösungen, die auch auf Systemebene spürbare Vorteile bieten“, sagt Dr. Ing. Jie Shen, Gründer und General Manager von Leadrive. „Die neuen EDT3-Chips zeichnen sich durch eine optimierte Verlustleistung und Verlustverteilung aus, unterstützen höhere Betriebstemperaturen und bieten mehrere Metallisierungsoptionen. Dadurch wird nicht nur die Siliziumfläche pro Ampere reduziert, sondern auch die Einführung fortschrittlicher Gehäusetechnologien beschleunigt.“

Der 1200 V RC-IGBT verbessert die Leistung durch die Integration von IGBT- und Diodenfunktionen auf einem einzigen Chip. Auf diese Weise wird eine deutlich höhere Stromdichte erreicht als bei Lösungen mit separaten IGBT- und Dioden-Chipsatzlösungen. Daraus ergibt sich ein Kostenvorteil für das System, der auf die höhere Stromdichte, die skalierbare Chipgröße und den reduzierten Montageaufwand zurückzuführen ist.

Die neue EDT3-IGBT-Chiptechnologie von Infineon ist jetzt im HybridPACK™ Drive G2-Automotive-Leistungsmodul integriert, wodurch die Leistung und die Funktionen des gesamten Modulportfolios verbessert werden. Das Modul bietet einen Leistungsbereich von bis zu 250 kW in den Klassen 750 V und 1200 V. Außerdem zeichnet es sich durch eine verbesserte Benutzerfreundlichkeit aus und umfasst neue Funktionen wie eine Integrationsoption für Phasenstromsensoren der nächsten Generation sowie eine On-Chip-Temperaturmessung, die zur Senkung der Systemkosten beiträgt.

Alle Chip-Bauteile werden mit kundenspezifischen Chip-Layouts angeboten, einschließlich On-Chip-Temperatur- und Stromsensoren. Zusätzlich sind Metallisierungsoptionen für das Sintern, Löten und Bonden auf Anfrage erhältlich.

Verfügbarkeit

Die neuen EDT3- und RC-IGBT-Bauteile sind zur Bemusterung bereits verfügbar. Weitere Informationen sind erhältlich unter www.infineon.com/edt3.

 

[1] Infineon Schätzungen

 

Über Infineon

Die Infineon Technologies AG ist ein weltweit führender Anbieter von Halbleiterlösungen für Power Systems und das Internet der Dinge (IoT). Mit seinen Produkten und Lösungen treibt Infineon die Dekarbonisierung und Digitalisierung voran. Das Unternehmen hat weltweit rund 58.060 Beschäftigte (Ende September 2024) und erzielte im Geschäftsjahr 2024 (Ende September) einen Umsatz von rund 15 Milliarden Euro. Infineon ist in Frankfurt unter dem Symbol „IFX“ und in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International unter dem Symbol „IFNNY“ notiert.

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Oliver Scharfenberg

Spokesperson Automotive

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