Infineon GaN Insights 2026: Technologische Innovationen ebnen Weg für GaN-Wachstum in Leistungshalbleitern

Market News

Feb 10, 2026
  • Galliumnitrid-Markt bis 2030 bei rund 3 Milliarden US-Dollar; jährliche Wachstumsrate (CAGR) 44 Prozent
  • Innovations-Fortschritte durch Hochvolt-GaN-Bidirektionalschalter von Infineon mit revolutionärem Common-Drain-Design und Double-Gate-Struktur
  • GaN-Leistungshalbleiter erschließen neue Anwendungen, darunter KI, Robotik und Quantencomputing

München, 10. Februar 2026 – Die Leistungselektronik befindet sich im Wandel, angetrieben von der zunehmenden Verbreitung von Halbleiterlösungen auf Basis von Galliumnitrid (GaN). Die Infineon Technologies AG, ein weltweit führender Anbieter von Leistungshalbleitern und IoT, hat heute die jährlichen „GaN Insights 2026“ veröffentlicht und gibt darin einen fundierten Überblick zu GaN-Technologie, Anwendungen und Zukunftsaussichten.
 
„GaN ist marktreif und gewinnt in zahlreichen Branchen deutlich an Dynamik“, sagt Johannes Schoiswohl, Leiter des Geschäftsbereichs GaN Systems bei Infineon. „Wir liefern unseren Kunden schnell und effizient Mehrwert. Unser Product-to-System-Ansatz, kombiniert mit führender Fertigungskompetenz und einem breiten GaN-Portfolio, erlaubt uns, passgenaue Lösungen für erfolgreiche Markteinführungen anzubieten. Wir wollen Infineon als vertrauenswürdigen Partner weiter stärken, der Kunden sicher durch die Komplexität von GaN führt und das volle Potenzial dieser Technologie erschließt.“
 
Analysten erwarten, dass der Markt für GaN-Leistungshalbleiter bis 2030 auf knapp drei Milliarden Dollar wächst – ein Zuwachs von rund 400 Prozent gegenüber 2025 [1]. Getragen wird das Wachstum durch die seit 2025 laufenden Produktionsanläufe, die eine GaN-Adaption in viele Branchen ausweiten und neue Anwendungen erschließen. Für den Zeitraum 2025 bis 2030 wird eine jährliche Wachstumsrate (CAGR) von 44 Prozent prognostiziert [2]; die Umsätze sollen 2026 bei 920 Millionen US-Dollar liegen, was einem Plus von 58 Prozent gegenüber 2025 entspricht [3].
 
Fortschritte in GaN-Produktinnovation
2026 werden Entwickler zusätzliche Einsatzfelder für GaN-Bidirektionalschalter (BDS) über Solarwechselrichter und On-Board-Lader von Elektrofahrzeugen hinaus erschließen. Die Hochvolt-GaN-Bidirektionalschalter (HV BDS) von Infineon setzen auf ein revolutionäres Common-Drain-Design mit Double-Gate-Struktur auf Basis der bewährten Gate Injection Transistor (GIT)-Technologie. Diese Architektur nutzt dieselbe Driftregion zum Sperren in beide Richtungen und reduziert die Chipfläche (Die) gegenüber konventionellen Back-to-Back-Anordnungen signifikant. Beispielsweise ermöglichen Mikrowechselrichter mit Infineons CoolGaN™ BDS und Schaltfrequenzen bis 1 MHz 40 Prozent mehr Leistung im gleichen Gehäuse bei gleichzeitig sinkenden Systemkosten.
 
GaN-Technologie erschließt neue Anwendungen
GaN dringt in zahlreiche Bereiche vor – von KI-Rechenzentren und Robotik über Elektrofahrzeuge und erneuerbare Energien bis hin zu digitalen Gesundheitsanwendungen und Quantencomputing. In Rechenzentren erzielen GaN-basierte Stromversorgungen mit neuen Topologien bislang unerreichte Wirkungsgrade und Leistungsdichten, senken Verluste um bis zu 30 Prozent und ermöglichen effizientere, kompaktere Architekturen. GaN-basierte Motorantriebe in humanoiden Robotern können um bis zu 40 Prozent kleiner ausfallen und die Feinbewegungssteuerung verbessern.
 
Warum Infineon und Infineon GaN?
Infineon ist als globaler Marktführer in Leistungshalbleitern für innovative Lösungen auf Basis von Silizium (Si), Siliziumkarbid (SiC) und GaN bekannt. Die IDM-Strategie (Integrated Device Manufacturing) und das branchenführende Systemverständnis ermöglichen es Infineon, Spitzentechnologien für die sich wandelnden Anforderungen der Industrie zu entwickeln. Angetrieben durch die GaN-Wafer-Produktion auf 300 Millimetern, liefern die GaN-Produkte von Infineon herausragende Leistung mit klaren Anwendungsvorteilen. Als Beispiele:

  • Die neue CoolGaN Transistor 650-V-G5-Generation weist eine Figure of Merit (Produkt aus Leit- und Schaltverlusten) auf, die um 30 bis 40 Prozent besser ist als der Branchendurchschnitt – für deutlich höhere Systemleistung und mehr Designoptionen.
  • Die innovativen CoolGaN Transistor-MV-G5 Produkte integrieren monolithisch eine Schottky-Diode und erzielen 15 Prozent geringere Verluste sowie über 10 Prozent niedrigere Gerätetemperaturen – das reduziert Größe und Kosten bei höherer Effizienz und Zuverlässigkeit.
  • Als weltweit führender Automobil-Halbleiterhersteller adressiert Infineon mit dem neuen CoolGaN Automotive 100-V-Produkt die Umstellung von 12-V- auf 48-V-Bordnetze; das Bauteil erfüllt die strengen Anforderungen der Norm AEC‑Q101.

Mit einem breiten Portfolio von über 50 GaN-Produkten – von diskreten bis hin zu hochintegrierten Lösungen, spannungsseitig von 40 V bis 700 V – für Consumer-, Industrie- und Automotive-Anwendungen bietet Infineon umfassende Lösungen für eine Vielzahl von Leistungsanwendungen.
 
GaN setzt seinen Aufstieg in der Leistungselektronik 2026 fort – getragen von überlegener Performance, Effizienz und Zuverlässigkeit. Als eines der führenden Unternehmen im GaN-Markt unterstützt Infineon seine Kunden und Partner dabei, diese neue Ära zu gestalten und die energieeffizienten Technologien von morgen zu entwickeln.
 
Verfügbarkeit
Das „GaN Insights 2026“-eBook auf der Infineon Website beleuchtet den aktuellen Stand der GaN-Technologie, Produkte, Anwendungen sowie Chancen und Herausforderungen. Jetzt herunterladen.

[1] Yole Group: Power GaN 2025 report. https://www.yolegroup.com/product/report/power-gan-2025/
[2] TrendForce: 2025 Global GaN Power Device Market Analysis. https://www.trendforce.com/research/download/RP250731KZ
[3] Yole Group: Power GaN 2025 Report.  https://www.yolegroup.com/product/report/power-gan-2025/

Über Infineon

Die Infineon Technologies AG ist ein weltweit führender Anbieter von Halbleiterlösungen für Power Systems und das Internet der Dinge (IoT). Mit seinen Produkten und Lösungen treibt Infineon die Dekarbonisierung und Digitalisierung voran. Das Unternehmen hat weltweit rund 57.000 Beschäftigte (Ende September 2025) und erzielte im Geschäftsjahr 2025 (Ende September) einen Umsatz von rund 14,7 Milliarden Euro. Infineon ist in Frankfurt unter dem Symbol „IFX“ und in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International unter dem Symbol „IFNNY“ notiert.

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Angetrieben durch die GaN-Wafer-Produktion auf 300 Millimetern, liefern die GaN-Produkte von Infineon herausragende Leistung mit klaren Anwendungsvorteilen.

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Michael Burner

Spokesperson Consumer, Compute and Communication, PSS Division

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