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白皮书-英飞凌如何控制和保证基于 SiC 的功率半导体器件的可靠性

本文为英飞凌关于 SiC 可靠性与鲁棒性保证白皮书的更新版本,详细阐述了 SiC 特有的失效模式和相关试验流程,并介绍了如何通过识别和有效筛查关键缺陷,来确保高现场可靠性。文中探讨了若干与具体技术相关的议题,例如:静态和动态运行应力下的栅极氧化层 可靠性、抗辐射能力及与湿度相关的失效机理等。

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Apr 28, 2026