Infineon optimiert TRENCHSTOP™ H7 IGBTs mit neuem DTO247-Gehäuse für höhere Leistungsfähigkeit

München, 28. März 2025 – Die Infineon Technologies AG entwickelt TRENCHSTOP™ 7 H7 IGBTs im neuen DTO247-Gehäuse, das doppelt so groß ist wie ein TO247-Gehäuse. Mit einem Nennstrom von bis zu 350 A werden die neuen Bauteile die leistungsstärksten diskreten IGBTs auf dem Markt sein. Damit sind sie ideal für Solarwechselrichter, unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV) und Energiespeichersysteme (ESS) geeignet.

Der DTO247 mit einem einzelnen Hochstrom-IGBT kann mehrere standardmäßige TO247-IGBTs mit geringerer Stromstärke ersetzen, die normalerweise parallelgeschaltet sind. Das ermöglicht eine hohe Leistungsdichte und schließt die Lücke zwischen TO247-basierten Designs und Modularchitekturen. Darüber hinaus lassen sich DTO247-basierte und Standard-TO247-basierte Architekturen innerhalb desselben Systems flexibel kombinieren, was ein hohes Maß an Flexibilität und Anpassungsfähigkeit bietet. Die Integration von DTO247 in das bestehende TO247-Portfolio vereinfacht die Entwicklung kostengünstiger, skalierbarer Architekturen. Dadurch sinkt die Designkomplexität, während sich die Entwicklungszeit verkürzt und der Parallelisierungsaufwand verringert. Gleichzeitig werden die Leistung, Zuverlässigkeit und Wirtschaftlichkeit des Systems verbessert. Das Portfolio umfasst H7-IGBTs in 1200-V- und 750-V-Versionen mit Nennströmen von 200 A, 250 A, 300 A und 350 A. Diese für Hochstromanwendungen entwickelten Bauteile verfügen über 2 mm breite Anschlüsse für optimale Leitfähigkeit sowie einen 7-mm-Pin-zu-Pin-Abstand und eine 10-mm-Kriechstrecke für erhöhte Sicherheit und Zuverlässigkeit. Zusätzlich sorgt ein integrierter Kelvin-Emitter-Pin für eine schnellere und effizientere Schaltleistung.

Infineon wird das DTO247-Portfolio kontinuierlich erweitern und plant, CoolSiC™ MOSFETs in einer Halbbrückenkonfiguration aufzunehmen, die Pin-zu-Pin-kompatibel mit ähnlichen Produkten auf dem Markt sein sollen.

Verfügbarkeit

Erste technische Muster der 200-A- und 350-A-Varianten der TRENCHSTOP™ 7 H7 IGBTs im DTO247-Gehäuse sind ab sofort verfügbar. Die Serienproduktion ist für Mitte 2026 geplant.

Die Infineon Technologies AG ist ein weltweit führender Anbieter von Halbleiterlösungen für Power Systems und das Internet der Dinge (IoT). Mit seinen Produkten und Lösungen treibt Infineon die Dekarbonisierung und Digitalisierung voran. Das Unternehmen hat weltweit rund 58.060 Beschäftigte (Ende September 2024) und erzielte im Geschäftsjahr 2024 (Ende September) einen Umsatz von rund 15 Milliarden Euro. Infineon ist in Frankfurt unter dem Symbol „IFX“ und in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International unter dem Symbol „IFNNY“ notiert.

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