比類のない信頼性、多様性、システムの利点。インフィニオンのSiC技術!

炭化ケイ素 (SiC) 技術の開発で20年以上の伝統を持つ大手電力供給者として、私たちはよりスマートで効率的なエネルギー生成、伝送、消費のニーズに応える準備ができています。当社の専門家は、システムの複雑さを軽減し、中電力から高電力システムのシステムコストとサイズを削減するために何が必要かを理解しています。

CoolSiC™について深く掘り下げる

当社の広範な製品ポートフォリオにより、最高の品質基準を満たし、長いシステム寿命と信頼性が保証されています。インフィニオンは、完全なサプライチェーンを所有し、Si、GaN、SiCの公平なデザインインサポートを提供しています。

信頼されるSiCサプライヤであるインフィニオンにお任せください。お客様の個々の設計やシステム要件に関係なく、頼りになる革命の一翼を担いましょう。

CoolSiC™技術の詳細 CoolSiC™ターゲットアプリケーション
CoolSiC™ JFETテクノロジー
CoolSiC™ JFET
CoolSiC™ JFET
CoolSiC™ JFET

インフィニオンのCoolSiC™ JFET技術を選択することで、お客様はパワーエレクトロニクスの未来を形作る革命の一部となることができます。

CoolSiC™ JFETの詳細
ワイドバンドギャップ開発者フォーラム2026
ワイドバンドギャップ開発者フォーラム2026
ワイドバンドギャップ開発者フォーラム2026
ワイドバンドギャップ開発者フォーラム2026

フォーラムは、中央ヨーロッパ時間 (CET) 午前9時から終日行われるバーチャルイベントです。無料でご参加いただけます。

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シリコンカーバイドソリューションの詳細

当社は、革新的なCoolSiC™ MOSFET in trench technologyを含むSiCベースの製品を、既存のSi製品群に継続的に追加しています。現在、同社は、超低電圧から高電圧のパワーデバイスまで、業界で最も包括的なパワーポートフォリオの1つを提供しています。

最適なソリューションの可用性を確保するだけでなく、特定のアプリケーション要件を満たすためにSiCベースの製品提供を最適化するために、さらに一歩進んでいきました。CoolSiC™ MOSFETのような超高速スイッチングパワートランジスタは、絶縁されたゲート出力セクションを利用することで取り扱いが容易になったことを受け、当社のコアレストランス技術をベースにした、ガルバニック絶縁されたEiceDRIVER™ゲートドライバーICをお客様に提供しています。

近年、数百万個のハイブリッドモジュール (高速シリコンベースのスイッチとCoolSiC™ ショットキー ダイオードの組み合わせ) を製造したことで、膨大なノウハウと容量が蓄積され、当社の技術リーダーシップにさらに貢献しました。

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SiC MOSFET用のゲートドライバソリューションをご覧ください
CoolSiC™ MOSFET Generation 2

トレンチテクノロジーを採用した新しいCoolSiC™ MOSFET G2は、SiCテクノロジーに新たなレベルの高性能を実現しました。一般的な電力変換スキームであるAC/DC、DC/DC、DC/ACのあらゆる組み合わせで、最高の品質基準を満たしています。太陽光発電インバーター、蓄電システム、EV充電、産業用電源、モーター駆動など、SiC MOSFETがSiの代替品に比べて、高い性能を提供する多くのユースケースがあります。

詳細はこちら

CoolSiC™に関するビデオを見る

炭化ケイ素は鉄道輸送のイノベーションの推進に貢献できるのか?

今回の「Ask the Expert」では、当社の専門家であるセバスチャンが、炭化ケイ素がどのようにしてより効率的でコンパクトなトラクションコンバーターを可能にし、鉄道輸送の電化と脱炭素化をサポートするかを説明します。

インフィニオンは20年以上にわたり、製品の省エネ、小型化、システム統合、信頼性向上の要求に対応するソリューションの開発の最前線に立ってきました。最も革新的な開発の1つは、一部のデバイスでSiCを主化合物として使用することでした。インフィニオンは、世界初の炭化ケイ素 (SiC) ディスクリート半導体製品のサプライヤーです。SiC技術と商品化における世界的なパイオニアでした。このトレーニングでは、インフィニオンがこの分野で開発した最も成功したソリューションの1つを紹介します。

インフィニオンは20年以上にわたり、製品の省エネ、小型化、システム統合、信頼性向上の要求に対応するソリューションの開発の最前線に立ってきました。最も革新的な開発の1つは、一部のデバイスでSiCを主化合物として使用することでした。インフィニオンは、世界初の炭化ケイ素 (SiC) ディスクリート半導体製品のサプライヤーです。SiC技術と商品化における世界的なパイオニアでした。このトレーニングでは、インフィニオンがこの分野で開発した最も成功したソリューションの1つを紹介します。

持続可能なエネルギーの生成と消費に向けた変革をリードするために、炭化ケイ素技術がこの方向の主要な市場動向に対処するための戦略的な中核にあることをご存知でしょう。そのために、インフィニオンのSiCデバイスを選ぶべき5つの理由をご紹介します。

このビデオでは、お客様の目を通して見たCoolSiC™の利点に焦点を当てています。alpitronic、Tritium、Lite-On、Siemens Mobility、Froniusの事例を交えながら、SiCがエネルギーの生成、貯蔵、消費におけるイノベーションをどのように推進しているかをご紹介します。

このトレーニングでは、SiC Easyモジュール用にDCリンクを最適化することの重要性に焦点を当て、DCリンクの寄生素子の大きな影響を調査し、DCリンクをEasyモジュールに接続するための主要な考慮事項について詳しく説明します。

勝利を収めたチーム:CoolSiC™ MOSFETとEiceDRIVER™

SiC MOSFETを使用してシステムのメリットを最大限に引き出すためには、インフィニオンのCoolSiC™ MOSFETをインフィニオンのEiceDRIVER™ゲートドライバーICで補完し、SiC技術の利点を十分に活用することをお勧めします。効率の向上、スペースと重量の節約、部品数の削減、システムの信頼性の向上がプラスの効果を発揮します。

お客様は、以下のようなEiceDRIVER™ゲートドライバータイプからお選びいただけます。

  • シングルチャネル・ハイサイド・コンパクト・ゲート・ドライバ
  • 短絡保護を備えたシングルおよびデュアル出力拡張ドライバ
  • 最も過酷な要件に対応するスルーレート制御ハイサイドドライバー
EiceDRIVER™ ゲートドライバIC

20年以上の現場経験により、私たちは信頼できるパートナーです

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