IRHNJC67230
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IRHNJC67230
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製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 3A
  • Generation
    R6
  • ID (@25°C) (最大)
    16 A
  • QG
    50 nC
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    130 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート
    100 300
  • パッケージ
    SMD-0.5C
  • 極性
    N
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
IRHNJC67230 N-channel MOSFET is a rad hard, 200V, 16A single device with low RDS(on) and low gate charge, housed in a SMD-0.5 package with ceramic lid. This R6 COTS MOSFET has electrical performance up to 300krad(Si) TID. Ideal for space applications, it offers fast switching, voltage control, and high reliability in satellite bus and payload power systems.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ