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IRHNJC67230

データシート
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IRHNJC67230
IRHNJC67230
データシート

Product details

  • ESDクラス
    Class 3A
  • Generation
    R6
  • ID (@25°C) max
    16 A
  • QG
    50 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    130 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • VF max
    1.2 V
  • オプションのTIDレート
    100 300
  • パッケージ
    SMD-0.5C
  • 極性
    N
推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-0.5 Ceramic Lid
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスチャーパッキン N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-0.5 Ceramic Lid
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
IRHNJC67230 N-channel MOSFET is a rad hard, 200V, 16A single device with low RDS(on) and low gate charge, housed in a SMD-0.5 package with ceramic lid. This R6 COTS MOSFET has electrical performance up to 300krad(Si) TID. Ideal for space applications, it offers fast switching, voltage control, and high reliability in satellite bus and payload power systems.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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