IRHNJC67230
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パッケージ

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IRHNJC67230
IRHNJC67230
データシート


製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 3A
  • Generation
    R6
  • ID (@25°C) (最大)
    16 A
  • QG
    50 nC
  • QPL型番
    2N7591U3C
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    130 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    SMD-0.5C
  • 極性
    N
  • 認定
    COTS

推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-0.5 Ceramic Lid
梱包サイズ N/A
梱包形態 N/A
MSL (湿度感受性レベル) N/A
防湿梱包 N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 No

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-0.5 Ceramic Lid
梱包サイズ 0
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
IRHNJC67230 N-channel MOSFET is a rad hard, 200V, 16A single device with low RDS(on) and low gate charge, housed in a SMD-0.5 package with ceramic lid. This R6 COTS MOSFET has electrical performance up to 300krad(Si) TID. Ideal for space applications, it offers fast switching, voltage control, and high reliability in satellite bus and payload power systems.

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ