IRHMK57160
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データシート
パッケージ

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IRHMK57160
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データシート


製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 3B
  • Generation
    R5
  • ID (@100°C) (最大)
    45 A
  • ID (@25°C) (最大)
    45 A
  • QG
    160 nC
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    13 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300 500
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    TO-254AA Tabless SMD
  • 極性
    N
  • 認定
    COTS

推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
M-TO254-3
パッケージ名 TO-254AA TABLESS LO GW LF
梱包サイズ N/A
梱包形態 N/A
MSL (湿度感受性レベル) N/A
防湿梱包 N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 No

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
M-TO254-3
パッケージ名 TO-254AA TABLESS LO GW LF
梱包サイズ 0
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
IRHMK57160 R4 rad hard HEXFET MOSFET is a 200V, 35A N-channel device that delivers high performance in space applications. With electrical performance up to 100krad(TID) and COTS classification, its low RDS(on) and gate charge minimize power losses in DC-DC converters and motors. It retains MOSFET advantages like voltage control, fast switching, ease of paralleling, and temperature stability.

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ