Active and preferred

IRHMK57160

データシート
パッケージ

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRHMK57160
IRHMK57160
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 3B
  • Generation
    R5
  • ID (@100°C) max
    45 A
  • ID (@25°C) max
    45 A
  • QG
    160 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    13 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF max
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300 500
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    TO-254AA Tabless SMD
  • 極性
    N
  • 認定
    COTS
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
IRHMK57160 R4 rad hard HEXFET MOSFET is a 200V, 35A N-channel device that delivers high performance in space applications. With electrical performance up to 100krad(TID) and COTS classification, its low RDS(on) and gate charge minimize power losses in DC-DC converters and motors. It retains MOSFET advantages like voltage control, fast switching, ease of paralleling, and temperature stability.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }