700V CoolMOS™ P7

概要

フライバックトポロジへインフィニオンからの提案

700VCoolMOS™ P7スーパージャンクション（SJ）MOSFETシリーズは、現在および特に将来のフライバックトポロジの動向に合わせて開発されました。このテクノロジーは、低電力スイッチング電源市場に対応し、携帯電話充電器およびノートパソコンアダプタを主な用途としていますが、照明アプリケーションおよびホームエンターテインメント（テレビ、ゲーム機、オーディオ）で使われる電源、さらには補助電源にも適しています。

700V CoolMOS™ P7 SJ MOSFETファミリーは、競合製品と比較して、最大4%の効率向上、最大16°Cのデバイス温度低下という顕著な性能を示しています。従来の650V CoolMOS™ C6テクノロジーと比べると、スイッチング速度140kHzのフライバックベースの充電器アプリケーションで、2.4%高い効率、12°C低いデバイス温度となっています。>詳細はこちら

 

製品
詳細
Infineon graph picture 700V CoolMOS P7
Infineon graph picture 700V CoolMOS P7

使いやすさを考慮して、インフィニオンは、VGS(th)が3V、さらにその誤差がわずか±0.5Vとなるテクノロジーを開発することに注力しました。そのためP7は、デザインインが容易であり、より低いゲートソース電圧を使用できるため、駆動しやすく、アイドル損失の低減につながります。

00V CoolMOS™ P7は、ツェナーダイオードを内蔵することにより、ESD耐性をHBMクラス2レベルに高めています。その結果、組立の歩留まりが向上し、生産関連の不具合が減少するため、最終的には、お客様の製造コスト削減につながります。

主な特長

  • 高性能のテクノロジー
    • 低いスイッチング損失 (Eoss)
    • 高効率
    • 卓越した温度特性
  • 高速スイッチングが可能
  • 保護ツェナーダイオード最適化された3VのVGS(th)、±0.5Vという非常に少ないばらつき
  • 細かく設定されたポートフォリオ

主な利点

  • コスト競争力のある設計
  • より高いスイッチング速度でさらなる効率向上
  • 磁性体部品の小型化により部品コスト削減
  • HBMクラス2の高いESD耐性
  • 駆動しやすくデザインインが容易
  • より小さいフォームファクタと高電力密度の設計を実現
  • 最も適した製品を選ぶための優れた選択
シミュレーション
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