500V-950V CoolMOS™ N-沟道功率 MOSFET
创新型 CoolMOS™ 超结 MOSFET 在能效领域树立全新标准。
不论是低功率产品还是高功率产品，CoolMOS™ 晶体管产品都已得到广泛应用。英飞凌 MOSFET 晶体管采用最均衡的技术，使产品在有出色的性能和合理的价格的同时，还不失易用性。
此外，符合汽车行业标准的超结 MOSFET 具有业界最高的可靠性，并符合汽车的使用寿命要求。英飞凌 N-沟道功率 MOSFET 正让汽车内的应用变得更紧凑，且性能更优。
在低功率开关模式电源 (SMPS) 领域，CoolMOS™ 高压超结 MOSFET 可适用于智能手机/平板电脑充电器、笔记本电脑适配器、LED 照明以及音箱和电视电源等应用。尤其是 CoolMOS™ P7 功率晶体管在实现高性能的同时，价格也颇具竞争力，从而树立了全新标杆。产品具备出色的换向稳健性、高效率、易用性，并可显著降低开关和导通损耗。
在高功率应用中，如服务器、电信、PC 电源、太阳能、UPS 或工业应用，英飞凌的新款 CoolMOS™P7 超结 MOSFET 系列以及 C7、G7、CFD7、P7、PFD7 和 S7的产品组合均可满足客户需要。通过加倍开关频率，高压 MOSFET 得以缩减尺寸并降低磁性元件成本。选择 CoolMOS™ MOSFET 就是选择了卓越效率与出色性价比!
汽车级 CoolMOS™ 系列 600V CPA、650V CFDA、800V C3A 及新款 650V CoolMOS™ 汽车 CFD7A MOSFET 集丰富工业用品的经验、卓越性能表现与出色质量标准 AECQ-101 于一体。而 N 通道 MOSFET 则可实现更高功率密度的设计。既然道路上电动载具已随处可见，还不赶快在快速增长的车载充电器和 DC-DC 转换器市场中抢占份额!
英飞凌 CoolMOS™ 超结 MOSFET 技术因其高品质和高可靠性而在业界享有盛名。多年来，我们的质量已经在数十亿台设备上得到了验证，而且 DPM 在持续改进后低于 0.10 DPM。在可靠性方面，相同的性能已被证明在 1.3 亿个设备小时内测量值低于 0.15 FIT。英飞凌从一开始就实施了坚定的、经过验证的方案，设定质量计划并持续改进生产。技术团队、设计团队、质量团队、可靠性团队和制造团队之间不断地积极合作，以实现这一目标。这一努力使得所有英飞凌工厂都通过了 ISO/TS16949 认证甚至高于所规定的标准。
