功率mosfet-英飞凌(infineon)官网

英飞凌在高效发电、电源和功耗解决方案市场占据领先地位，旗下拥有众多先进功率 MOSFET 产品组合。新一代大功率 MOSFET 旨在提供非凡性能，在提高效率的同时，还可优化热性能和 EMI 特性。作为全球领先的 MOSFET 制造商和供应商，英飞凌提供高质量金属氧化物-硅晶体管以满足各类需求。我们的一系列产品组合涵盖众多可靠解决方案，旨在应对设计人员和制造商在各种应用场合下所面临的巨大考验。

针对需要高电压阻断能力和低损耗快速开关的 AC-DC 应用，突破性CoolMOS™ 超结技术可打造出更为高效的电源。英飞凌的超结 MOSFET 凭借不同拓扑结构把握住当下和未来趋势，从简单的反激式结构到 TCM 图腾柱 PFC 均有涵盖。该产品也为设计人员提供了耐高温性能、更佳的外形尺寸和更高效率。

DC-DC 应用的特点在于需要低损耗的极快开关能力，或者中等频率下的稳健开关特性。英飞凌的独特 OptiMOS™ 功率 MOSFET 技术可大幅降低 100 kHz 以上电源应用的开关损耗，为设计人员提供较高效率，拓宽了硬开关应用的设计思路。 OptiMOS™ 产品系列包括多种低压 MOSFET 组合，助力系统设计人员在保持高可靠性的同时，提高功率密度，降低成本。

在诸如电机控制等需要强大雪崩保护的应用中，高度稳健的 StrongIRFET™ 功率 MOSFET 可为开发人员带来众多优势。 此类 MOSFET 可在需要高能效但空间有限的终端应用中实现卓越效率，如电动和园艺工具、轻型电动车、无人机和电动自行车。英飞凌旗下的创新型 MOSFET 晶体管兼顾低成本和优异性能，使其成为性能驱动型 DC-DC 转换器的理想选择。

对于需要高质量和增强型保护功能的设计，英飞凌的汽车级 N 沟道和 P 沟道 MOSFET 便是理想解决方案。此类大功率 MOSFET 拥有远超 AEC-Q101 行业标准的质量，是迄今为止市场上高可靠性 MOSFET 产品之一。

英飞凌拥有品类齐全的 N 沟道和 P 沟道功率 MOSFET 及系统产品，为客户所需应用带来创新设计、性能和效率，其中包括开关模式电源 (SMPS)、计算、电机控制和驱动器、消费品、移动设备、照明解决方案、汽车等应用。 

欲了解英飞凌功率 MOSFET 封装系列，请查看下方产品组合。

凭借创新型 OptiMOS™ 和 StrongIRFET™ 中低压功率 MOSFET，以及突破性 CoolMOS™ 超结 MOSFET 产品系列，英飞凌为业界树立了全新标杆。 与此同时，汽车 MOSFET 产品组合依托英飞凌的领先 MOSFET 技术、卓越质量和耐用封装实现了优异性能。针对系统设计人员，碳化硅 CoolSiC™ MOSFET 系列表现出优异的性能、可靠性和易用性。 

英飞凌功率 MOSFET 产品组合丰富，涵盖各类功率 MOSFET 和 MOSFET 分立器件，包括 4 引脚 MOSFET (MOSFET 4) 分立器件。以下是大功率和 IRF MOSFET 的完整列表：

• 汽车 MOSFET
• P 沟道 MOSFET
• N 沟道 MOSFET
• 12 V-40 V N 沟道 MOSFET
• 45 V-80 V N 沟道 MOSFET
• 85 V-300 V N 沟道 MOSFET
• 500 V-950 V N 沟道 MOSFET
• -250 V-600 V 小信号/小功率 MOSFET
• 60 V-600 V N 沟道耗尽型 MOSFET
• 20 V-60 V 互补式 MOSFET
• 650 V-1700 V 碳化硅 MOSFET

对于想要购买先进 MOSFET 晶体管的设计和开发人员而言，作为领先功率 MOSFET 制造商的英飞凌公司是理想之选。查看我们的产品组合，了解满足多样需求的各类 MOSFET 封装尺寸和大电流 MOSFET。

功率 MOSFET 对各类工业应用而言必不可少，为此英飞凌提供先进解决方案以满足诸多需求。英飞凌的创新型 OptiMOS™、CoolMOS™ 和 StrongIRFET™ 中低压功率 MOSFET 始终满足电力系统设计关键规范中的严苛质量和性能要求，例如导通电阻特性和品质因数特性。 OptiMOS™ 功率 MOSFET 产品组合辅以 StrongIRFET™ 成就强强组合。 StrongIRFET™ MOSFET的稳健性和出色性价比结合OptiMOS™ MOSFET的卓越技术，优势众多。两款产品系列均具备显著优势，具体如下：

• 通过减少多相转换中的相数来降低整体系统成本
• 在各类负载条件下均可降低功耗，提高效率
• 依托超小型封装或系统级封装解决方案节省空间
• 减少系统 EMI，无需使用外部缓冲器网络，产品更容易设计导入

英飞凌产品组合涵盖多种工业用功率 MOSFET，包括 P 沟道 MOSFET 和 N 沟道 MOSFET，电压等级有 12 V-40 V、45 V-80 V 和 85 V-300 V。我们的产品组合还包括 500 V-950 V CoolMOS™ N 沟道 功率 MOSFET、-250 V-600 V 小信号/小功率 MOSFET、60 V-600 V N 沟道耗尽型 MOSFET、20 V-60 V 互补式 MOSFET 以及650 V-1700 V 碳化硅 MOSFET。

搭配先进的 OptiMOS™ 技术与稳固封装，英飞凌汽车级功率 MOSFET 产品组合可提供卓越性能与出色电流能力。 汽车级 MOSFET 封装系列型号众多，不仅具备大电流特性，还可在 20 V-800 V 电压范围内实现标杆质量。与此同时，其出色的 R_DS(on) 性能亦可显著提高系统效率。选用英飞凌汽车用功率 MOFSET 产品组合，将具备以下优势：

• TOLL (10x12 mm) 和 sTOLL (7x8 mm) 封装的大电流特性
• 适用于 5x6 mm 半桥结构的超小尺寸架构
• 顶部冷却型 10x15 mm TOLT 封装
• 极低的开关和传导功率损耗，可提高各类封装的热系统可靠性
• 稳固的环保封装，便于加工处理

依托英飞凌的卓越汽车级 CoolMOS™ 超结技术，600 V-800 V 功率 MOSFET 实现优异性能。英飞凌的超结 MOSFET 凭借满足当下和未来趋势需求，为设计人员提供更低温度，更佳的外形尺寸和更高效率。

在本次培训中，我们将通过详细了解如何驱动高速功率 MOSFET 来帮助您提高效率。

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观看的网络研讨会，了解更多关于硅、碳化硅和氮化镓功率器件在高功率和低功率应用中的技术定位。

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• 进一步了解英飞凌适用于 48 V 轻度混合动力电动汽车 (MHEV) 应用的广泛 MOSFET 选择
• 了解英飞凌巩固其在 40 V MOSFET 市场地位的原因和方式，并了解英飞凌最新的 60 V MOSFET

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您是否正在寻找功率 MOSFET 替代品，并想了解英飞凌产品？从未如此简单。

Do you want to learn about switched mode power supplies (SMPS), but have little to no background in electrical engineering? Then watch this training series!

It will take you on a journey: You will start with the basics of electrical engineering and learn the principles of semiconductors so you are fully prepared to dive into the world of SMPS.

Part 1 - Electrical engineering fundamentals
Part 2 - Principles of semiconductors
Part 3 - Introduction to SMPS
Part 4 - SMPS topologies