功率mosfet-英飞凌(infineon)官网

英飞凌在高效发电、电源和功耗解决方案市场占据领先地位，旗下拥有众多先进功率 MOSFET 产品组合。新一代大功率 MOSFET 旨在提供非凡性能，在提高效率的同时，还可优化热性能和 EMI 特性。作为全球领先的 MOSFET 制造商和供应商，英飞凌提供高质量金属氧化物-硅晶体管以满足各类需求。我们的一系列产品组合涵盖众多可靠解决方案，旨在应对设计人员和制造商在各种应用场合下所面临的巨大考验。

针对需要高电压阻断能力和低损耗快速开关的 AC-DC 应用，突破性CoolMOS™ 超结技术可打造出更为高效的电源。英飞凌的超结 MOSFET 凭借不同拓扑结构把握住当下和未来趋势，从简单的反激式结构到 TCM 图腾柱 PFC 均有涵盖。该产品也为设计人员提供了耐高温性能、更佳的外形尺寸和更高效率。

DC-DC 应用的特点在于需要低损耗的极快开关能力，或者中等频率下的稳健开关特性。英飞凌的独特 OptiMOS™ 功率 MOSFET 技术可大幅降低 100 kHz 以上电源应用的开关损耗，为设计人员提供较高效率，拓宽了硬开关应用的设计思路。 OptiMOS™ 产品系列包括多种低压 MOSFET 组合，助力系统设计人员在保持高可靠性的同时，提高功率密度，降低成本。

在诸如电机控制等需要强大雪崩保护的应用中，高度稳健的 StrongIRFET™ 功率 MOSFET 可为开发人员带来众多优势。 此类 MOSFET 可在需要高能效但空间有限的终端应用中实现卓越效率，如电动和园艺工具、轻型电动车、无人机和电动自行车。英飞凌旗下的创新型 MOSFET 晶体管兼顾低成本和优异性能，使其成为性能驱动型 DC-DC 转换器的理想选择。

对于需要高质量和增强型保护功能的设计，英飞凌的汽车级 N 沟道和 P 沟道 MOSFET 便是理想解决方案。此类大功率 MOSFET 拥有远超 AEC-Q101 行业标准的质量，是迄今为止市场上高可靠性 MOSFET 产品之一。

英飞凌拥有品类齐全的 N 沟道和 P 沟道功率 MOSFET 及系统产品，为客户所需应用带来创新设计、性能和效率，其中包括开关模式电源 (SMPS)、计算、电机控制和驱动器、消费品、移动设备、照明解决方案、汽车等应用。 

欲了解英飞凌功率 MOSFET 封装系列，请查看下方产品组合。

凭借创新型 OptiMOS™ 和 StrongIRFET™ 中低压功率 MOSFET，以及突破性 CoolMOS™ 超结 MOSFET 产品系列，英飞凌为业界树立了全新标杆。 与此同时，汽车 MOSFET 产品组合依托英飞凌的领先 MOSFET 技术、卓越质量和耐用封装实现了优异性能。针对系统设计人员，碳化硅 CoolSiC™ MOSFET 系列表现出优异的性能、可靠性和易用性。 

英飞凌功率 MOSFET 产品组合丰富，涵盖各类功率 MOSFET 和 MOSFET 分立器件，包括 4 引脚 MOSFET (MOSFET 4) 分立器件。以下是大功率和 IRF MOSFET 的完整列表：

• 汽车 MOSFET
• P 沟道 MOSFET
• N 沟道 MOSFET
• 12 V-40 V N 沟道 MOSFET
• 45 V-80 V N 沟道 MOSFET
• 85 V-300 V N 沟道 MOSFET
• 500 V-950 V N 沟道 MOSFET
• -250 V-600 V 小信号/小功率 MOSFET
• 60 V-600 V N 沟道耗尽型 MOSFET
• 20 V-60 V 互补式 MOSFET
• 650 V-1700 V 碳化硅 MOSFET

对于想要购买先进 MOSFET 晶体管的设计和开发人员而言，作为领先功率 MOSFET 制造商的英飞凌公司是理想之选。查看我们的产品组合，了解满足多样需求的各类 MOSFET 封装尺寸和大电流 MOSFET。

功率 MOSFET 对各类工业应用而言必不可少，为此英飞凌提供先进解决方案以满足诸多需求。英飞凌的创新型 OptiMOS™、CoolMOS™ 和 StrongIRFET™ 中低压功率 MOSFET 始终满足电力系统设计关键规范中的严苛质量和性能要求，例如导通电阻特性和品质因数特性。 OptiMOS™ 功率 MOSFET 产品组合辅以 StrongIRFET™ 成就强强组合。 StrongIRFET™ MOSFET的稳健性和出色性价比结合OptiMOS™ MOSFET的卓越技术，优势众多。两款产品系列均具备显著优势，具体如下：

• 通过减少多相转换中的相数来降低整体系统成本
• 在各类负载条件下均可降低功耗，提高效率
• 依托超小型封装或系统级封装解决方案节省空间
• 减少系统 EMI，无需使用外部缓冲器网络，产品更容易设计导入

英飞凌产品组合涵盖多种工业用功率 MOSFET，包括 P 沟道 MOSFET 和 N 沟道 MOSFET，电压等级有 12 V-40 V、45 V-80 V 和 85 V-300 V。我们的产品组合还包括 500 V-950 V CoolMOS™ N 沟道 功率 MOSFET、-250 V-600 V 小信号/小功率 MOSFET、60 V-600 V N 沟道耗尽型 MOSFET、20 V-60 V 互补式 MOSFET 以及650 V-1700 V 碳化硅 MOSFET。

搭配先进的 OptiMOS™ 技术与稳固封装，英飞凌汽车级功率 MOSFET 产品组合可提供卓越性能与出色电流能力。 汽车级 MOSFET 封装系列型号众多，不仅具备大电流特性，还可在 20 V-800 V 电压范围内实现标杆质量。与此同时，其出色的 R_DS(on) 性能亦可显著提高系统效率。选用英飞凌汽车用功率 MOFSET 产品组合，将具备以下优势：

• TOLL (10x12 mm) 和 sTOLL (7x8 mm) 封装的大电流特性
• 适用于 5x6 mm 半桥结构的超小尺寸架构
• 顶部冷却型 10x15 mm TOLT 封装
• 极低的开关和传导功率损耗，可提高各类封装的热系统可靠性
• 稳固的环保封装，便于加工处理

依托英飞凌的卓越汽车级 CoolMOS™ 超结技术，600 V-800 V 功率 MOSFET 实现优异性能。英飞凌的超结 MOSFET 凭借满足当下和未来趋势需求，为设计人员提供更低温度，更佳的外形尺寸和更高效率。