功率mosfet-英飞凌(infineon)官网
英飞凌 N 通道和 P 沟道功率 MOSFET 凭借其独特设计实现更高效率、功率密度和成本效益。
功率mosfet-英飞凌(infineon)官网 子类别
折叠所有子类别 展开所有子类别英飞凌在高效发电、电源和功耗解决方案市场占据领先地位,旗下拥有众多先进功率 MOSFET 产品组合。新一代大功率 MOSFET 旨在提供非凡性能,在提高效率的同时,还可优化热性能和 EMI 特性。作为全球领先的 MOSFET 制造商和供应商,英飞凌提供高质量金属氧化物-硅晶体管以满足各类需求。我们的一系列产品组合涵盖众多可靠解决方案,旨在应对设计人员和制造商在各种应用场合下所面临的巨大考验。
针对需要高电压阻断能力和低损耗快速开关的 AC-DC 应用,突破性CoolMOS™ 超结技术可打造出更为高效的电源。英飞凌的超结 MOSFET 凭借不同拓扑结构把握住当下和未来趋势,从简单的反激式结构到 TCM 图腾柱 PFC 均有涵盖。该产品也为设计人员提供了耐高温性能、更佳的外形尺寸和更高效率。
DC-DC 应用的特点在于需要低损耗的极快开关能力,或者中等频率下的稳健开关特性。英飞凌的独特 OptiMOS™ 功率 MOSFET 技术可大幅降低 100 kHz 以上电源应用的开关损耗,为设计人员提供较高效率,拓宽了硬开关应用的设计思路。 OptiMOS™ 产品系列包括多种低压 MOSFET 组合,助力系统设计人员在保持高可靠性的同时,提高功率密度,降低成本。
在诸如电机控制等需要强大雪崩保护的应用中,高度稳健的 StrongIRFET™ 功率 MOSFET 可为开发人员带来众多优势。 此类 MOSFET 可在需要高能效但空间有限的终端应用中实现卓越效率,如电动和园艺工具、轻型电动车、无人机和电动自行车。英飞凌旗下的创新型 MOSFET 晶体管兼顾低成本和优异性能,使其成为性能驱动型 DC-DC 转换器的理想选择。
对于需要高质量和增强型保护功能的设计,英飞凌的汽车级 N 沟道和 P 沟道 MOSFET 便是理想解决方案。此类大功率 MOSFET 拥有远超 AEC-Q101 行业标准的质量,是迄今为止市场上高可靠性 MOSFET 产品之一。
英飞凌拥有品类齐全的 N 沟道和 P 沟道功率 MOSFET 及系统产品,为客户所需应用带来创新设计、性能和效率,其中包括开关模式电源 (SMPS)、计算、电机控制和驱动器、消费品、移动设备、照明解决方案、汽车等应用。
欲了解英飞凌功率 MOSFET 封装系列,请查看下方产品组合。
功率 MOSFET 产品组合
凭借创新型 OptiMOS™ 和 StrongIRFET™ 中低压功率 MOSFET,以及突破性 CoolMOS™ 超结 MOSFET 产品系列,英飞凌为业界树立了全新标杆。 与此同时,汽车 MOSFET 产品组合依托英飞凌的领先 MOSFET 技术、卓越质量和耐用封装实现了优异性能。针对系统设计人员,碳化硅 CoolSiC™ MOSFET 系列表现出优异的性能、可靠性和易用性。
英飞凌功率 MOSFET 产品组合丰富,涵盖各类功率 MOSFET 和 MOSFET 分立器件,包括 4 引脚 MOSFET (MOSFET 4) 分立器件。以下是大功率和 IRF MOSFET 的完整列表:
- 汽车 MOSFET
- P 沟道 MOSFET
- N 沟道 MOSFET
- 12 V-40 V N 沟道 MOSFET
- 45 V-80 V N 沟道 MOSFET
- 85 V-300 V N 沟道 MOSFET
- 500 V-950 V N 沟道 MOSFET
- -250 V-600 V 小信号/小功率 MOSFET
- 60 V-600 V N 沟道耗尽型 MOSFET
- 20 V-60 V 互补式 MOSFET
- 650 V-1700 V 碳化硅 MOSFET
对于想要购买先进 MOSFET 晶体管的设计和开发人员而言,作为领先功率 MOSFET 制造商的英飞凌公司是理想之选。查看我们的产品组合,了解满足多样需求的各类 MOSFET 封装尺寸和大电流 MOSFET。
功率 MOSFET 应用
功率 MOSFET 对各类工业应用而言必不可少,为此英飞凌提供先进解决方案以满足诸多需求。英飞凌的创新型 OptiMOS™、CoolMOS™ 和 StrongIRFET™ 中低压功率 MOSFET 始终满足电力系统设计关键规范中的严苛质量和性能要求,例如导通电阻特性和品质因数特性。 OptiMOS™ 功率 MOSFET 产品组合辅以 StrongIRFET™ 成就强强组合。 StrongIRFET™ MOSFET的稳健性和出色性价比结合OptiMOS™ MOSFET的卓越技术,优势众多。两款产品系列均具备显著优势,具体如下:
- 通过减少多相转换中的相数来降低整体系统成本
- 在各类负载条件下均可降低功耗,提高效率
- 依托超小型封装或系统级封装解决方案节省空间
- 减少系统 EMI,无需使用外部缓冲器网络,产品更容易设计导入
英飞凌产品组合涵盖多种工业用功率 MOSFET,包括 P 沟道 MOSFET 和 N 沟道 MOSFET,电压等级有 12 V-40 V、45 V-80 V 和 85 V-300 V。我们的产品组合还包括 500 V-950 V CoolMOS™ N 沟道 功率 MOSFET、-250 V-600 V 小信号/小功率 MOSFET、60 V-600 V N 沟道耗尽型 MOSFET、20 V-60 V 互补式 MOSFET 以及650 V-1700 V 碳化硅 MOSFET。
搭配先进的 OptiMOS™ 技术与稳固封装,英飞凌汽车级功率 MOSFET 产品组合可提供卓越性能与出色电流能力。 汽车级 MOSFET 封装系列型号众多,不仅具备大电流特性,还可在 20 V-800 V 电压范围内实现标杆质量。与此同时,其出色的 RDS(on) 性能亦可显著提高系统效率。选用英飞凌汽车用功率 MOFSET 产品组合,将具备以下优势:
- TOLL (10x12 mm) 和 sTOLL (7x8 mm) 封装的大电流特性
- 适用于 5x6 mm 半桥结构的超小尺寸架构
- 顶部冷却型 10x15 mm TOLT 封装
- 极低的开关和传导功率损耗,可提高各类封装的热系统可靠性
- 稳固的环保封装,便于加工处理
依托英飞凌的卓越汽车级 CoolMOS™ 超结技术,600 V-800 V 功率 MOSFET 实现优异性能。英飞凌的超结 MOSFET 凭借满足当下和未来趋势需求,为设计人员提供更低温度,更佳的外形尺寸和更高效率。
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Key takeaways:
- Be provided with a MOSFET overview and learn more about MOSFET types and classifications
- Learn about MOSFET structure, different modes of operation and use cases

After this course, you will know about several parameters effecting MOSFET use, namely:
- Maximum operating temperature
- Heat generation
- Heat dissipation
- Packaging technologies
- Gate charge

在本次培训中,我们将通过详细了解如何驱动高速功率 MOSFET 来帮助您提高效率。


- 进一步了解英飞凌适用于 48 V 轻度混合动力电动汽车 (MHEV) 应用的广泛 MOSFET 选择
- 了解英飞凌巩固其在 40 V MOSFET 市场地位的原因和方式,并了解英飞凌最新的 60 V MOSFET
您是否正在寻找功率 MOSFET 替代品,并想了解英飞凌产品?从未如此简单。

您想了解开关模式电源 (SMPS),但又几乎没有电气工程背景吗?那就请观看此培训系列吧!
此培训系列将带您踏上一段旅程:您将从电气工程的基础知识开始,学习半导体原理,以便为深入了解 SMPS 领域做好充分准备。
第 1 部分 - 电气工程基础 (English version)
第 2 部分 - 半导体原理 (English version)
第 3 部分 - SMPS 简介 (English version)
第 4 部分 - SMPS 拓扑 (English version)