碳化硅MOSFET分立器件-coolsic mosfet-英飞凌(infineon)官网
650 V、1200 V和1700 V CoolSiC™ MOSFET分立器件非常适合硬开关和谐振开关拓扑
英飞凌CoolSiC™ MOSFET立足于一流的沟槽半导体工艺，经过优化，可实现应用中的最低损耗和运行中的最高可靠性。分立式CoolSiC™ MOSFET产品组合提供650 V、1200 V和1700 V电压等级，导通电阻额定值为7 mΩ至1000 mΩ不等。CoolSiC™沟槽技术可实现灵活的参数设置，用于实施各自产品组合中的具体特性，譬如，栅源电压、雪崩技术参数、短路能力或适用于硬整流的内部体二极管等。
我们的650 V CoolSiC™ MOSFET系列可优化大电流和低电容条件下的开关性能，适用于各种工业应用场合，包括服务器、电信设备、电机驱动等。1200 V MOSFET系列适用于工业和汽车领域，如车载充电器/PFC、辅助逆变器和不间断电源（UPS）。最后，1700 V CoolSiC™ MOSFET具有反激式拓扑结构，可用于储能系统、电动汽车快速充电、电源管理（SMPS) 和太阳能系统解决方案。
采用分立封装的CoolSiC™ MOSFET非常适合硬开关和谐振开关拓扑，如功率因数校正（PFC）电路、双向拓扑以及DC-DC转换器或DC-AC逆变器等。其抵御有害寄生导通效应的出色能力，树立了低动态损耗方面的标杆，即使在桥接拓扑中的零伏关断电压下也是如此。我们的TO-和SMD产品还配有开尔文源引脚，用于优化开关性能。
我们利用一系列精选驱动IC产品来使得碳化硅分立模块趋于完备，充分满足超快碳化硅MOSFET开关功能的需求。总之，CoolSiC™ MOSFET和EiceDRIVER™栅极驱动IC利用了碳化硅技术的优势：效率得到提升，节省空间、重量减轻，零件数量减少，系统可靠性增强。
CoolSiC™ MOSFET拥有快速内部续流二极管，因而可在无需额外二极管的情况下实现硬开关。由于是单极性，尤其在部分负载条件下，MOSFET具有与温度无关的极低开关损耗及导通损耗。
英飞凌独特的1200 V和650 V CoolSiC™ MOSFET，非常适合LLC和ZVS等硬开关和谐振开关拓扑，可以像IGBT或CoolMOS™一样选用标准驱动。得益于先进的沟槽设计，最优的开关损耗和导通损耗，最高的跨导电平（增益），Vth = 4 V的阈值电压，以及卓越的短路能力，这些器件具有绝佳的门极氧化层可靠性。
SiC MOSFET 1200 V门极驱动芯片
CoolSiC™ MOSFET等超快速开关器件的完美使用需要性能优异的门极驱动。因此，建议选择基于英飞凌无铁芯变压器技术的隔离驱动EiceDRIVER™芯片
我们正在推出采用 .XT 互连技术的 CoolSiC™ MOSFET，产品采用 1200 V 优化型 D2PAK-7 SMD 封装。SiC MOSFET 欧姆导通损耗及完全可控开关瞬态与此类电机的负载分布完美匹配。逆变器可借助 SMD 器件实现被动冷却，因此逆变器现可设计为免维护式。
演示文稿将向您介绍器件详细信息。此外，演示专家将就如何构建免维护逆变器提供见解。专家还将介绍其他应用，这些应用都会从 CoolSiC™ SMD MOSFET 中获益。
Steffen Metzger 博士解释了 650V CoolSiC™ MOSFET 的技术细节，并强调了其为特定应用带来的优势。此外，Steffen Metzger 博士将 650 V CoolSiC™ MOSFET 与 GoolGaN™、CoolMOS™ 及其各自在更大功率半导体领域中的定位作了比较。
最新的 CoolSiC™ MOSFET 650 V 以最先进的沟槽半导体工艺为基础，产品经过优化，可在应用中实现最低损耗，在工作中实现最高可靠性。该产品利用了碳化硅强大的物理特性，增加了独特特性，这些特性可提高器件性能、稳健性和易用性。
CoolSiC™ 得益于其技术特性，最适合大功率应用。CoolSiC™ 将高性能与稳健性、易用性相结合，树立了行业技术标杆。该产品可提高可靠性，尤其是在高温和恶劣环境下。观看此视频，详细了解 CoolSiC™ 可为设计提供的优势！
CoolSiC™ MOSFET 微学习
Understand why to use WBG switches for bi-directional converters, the topologies used and how they function.
您如果想成为 CoolSic™ 分立器件和 .XT 技术的专家，请观看此视频！
随着电动汽车市场的不断壮大，行业对充电桩的性能提出了更多要求。
本次在线学习将向您介绍 CoolSiC™ MOSFET 的出现改善了充电桩行业，使电动汽车充电器更小、更快、更高效。
本培训将向您介绍 CoolSic™ 将如何帮助设计下一代伺服驱动器。
驱动CoolSiC™ MOSFET 比你想象的容易的多。这个微学习会向你展示CoolSiC™ MOSFET甚至可以用0V门级电压关断。
通过本培训，您将学习如何计算碳化硅 MOSFET 的参考栅极电阻值，如何根据峰值电流和功耗要求确定合适的栅极驱动 IC，以及如何根据最差情况在实验室环境中微调栅极电阻值。
了解如何使用英飞凌 CoolSiC™ MOSFET SPICE 紧凑型模型优化器件在其应用中的特性。
在本视频中，您将重点比较 IGBT 和 SiC MOSFET 的功率处理能力，了解在为特定应用确定 IGBT 或 MOSFET 尺寸时需要考虑的不同方面。
了解并联 SiC MOSFET 模块的原因、栅极驱动器和电源布局设计的主要挑战和解决方案，并熟悉优化的系统回路电感，以最大限度地降低开关损耗。
了解 SiC MOSFET 模块并联背后的原因，以及栅极驱动器和电源布局设计的关键挑战和解决方案。了解优化的系统回路电感，最大限度降低开关损耗的解决方案。
了解 1500 V 光伏系统的最新发展趋势、挑战和技术，接受 1500 V 光伏市场全面解决方案培训。
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英飞凌在所有 3 种主要的功率半导体技术方面都能提供值得信赖的专业技术。查看如何在 AC-DC 应用中对其进行定位！
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英飞凌 650V CoolSiC™ MOSFET 可完美应对不断发展的大趋势：更高的效率和功率密度。
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650 V CoolSiC™ 技术参数与 600 V CoolMOS™ CFD7 的直接比较。
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了解主要目标拓扑结构和 650 V CoolSic™ 必须包含的优势。
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