碳化硅 MOSFET 单管

综述

适合硬开关和谐振开关拓扑的碳化硅CoolSiC™ MOSFET单管

英飞凌CoolSiC™ MOSFET立足于最先进的沟槽工艺，该工艺经过优化可使应用中的损耗最低和可靠性最高。开关损耗低，受温度影响小，以及适用于硬换向的快速内部续流二极管，使得CoolSiC™ MOSFET非常适合硬开关和谐振开关拓扑，如功率因数校正（PFC）电路、双向拓扑和DC-DC或DC-AC电路。英飞凌CoolSiC™ MOSFET不易发生寄生导通，可在桥接拓扑中选用0 V的关断电压，实现极低的动态损耗。

英飞凌提供了一系列精选的驱动芯片产品，可满足超快速SiC MOSFET开关特性的需求。CoolSiC™ MOSFET与EiceDRIVER™门极驱动芯片相结合可充分发挥出技术优势，其中包括：提高效率，节省空间，减轻重量，减少零部件数，以及提高系统可靠性。

产品
周边/配套产品

CoolSiC™ MOSFET拥有快速内部续流二极管，因而可在无需额外二极管的情况下实现硬开关。由于是单极性，尤其在部分负载条件下，MOSFET具有与温度无关的极低开关损耗及导通损耗。

英飞凌独特的1200 V和650 V CoolSiC™ MOSFET，非常适合LLC和ZVS等硬开关和谐振开关拓扑，可以像IGBT或CoolMOS™一样选用标准驱动。得益于先进的沟槽设计，最优的开关损耗和导通损耗，最高的跨导电平（增益），Vth = 4 V的阈值电压，以及卓越的短路能力，这些器件具有绝佳的门极氧化层可靠性。

特性

  • 低器件电容
  • 开关损耗受温度影响小
  • 具有极低反向恢复电荷的内部续流二极管
  • 无门槛电压导通特性

优势

  • 绝佳的门极氧化层可靠性
  • 最优的开关损耗和导通损耗
  • 与IGBT兼容的驱动（+18 V）
  • 阈值电压Vth > 4 V
  • 短路抗雪崩能力强

益处

  • 效率高，使得冷却需求降低
  • 寿命延长，可靠性提高
  • 运行频率更高
  • 系统成本降低
  • 功率密度提高
  • 系统复杂度降低
  • 易于设计和实现

Silicon Carbide (SiC) Forum

SiC论坛为您提供了交流想法并分享经验的平台，在这里我们的SiC器件及应用专家为您提供有关CoolSiC™ MOSFET模块和单管的建议。

立即注册加入论坛

SiC MOSFET 1200 V门极驱动芯片

CoolSiC™ MOSFET等超快速开关器件的完美使用需要性能优异的门极驱动。因此，建议选择基于英飞凌无铁芯变压器技术的隔离驱动EiceDRIVER™芯片

> 进一步了解适用于SiC MOSFET的EiceDRIVER™芯片

视频

CoolSiC™ - Revolution to rely on

Infineon CoolSiC™ semiconductor solutions are the next step towards an energy-smart world. Combining revolutionary SiC technology with extensive system understanding, best-in-class packaging and manufacturing excellence, Infineon CoolSiC™ enables you to develop radical new product designs with best system cost-performance ratio.

CoolSiC™ MOSFET - Delivering reliable and cost-effective top performance

The latest CoolSiC™ MOSFET 650 V is built on a state-of-the-art trench semiconductor process, optimized to allow no compromises in getting both the lowest losses in the application and the highest reliability in operation. It leverages the strong physical characteristics of silicon carbide, adding unique features that increase the device performance, robustness and ease of use.

Expert video – The CoolSiC™ MOSFET 650 V

Thanks to its technological behavior, CoolSiC™ is best-suited for high-power applications. CoolSiC™ sets an industry technology benchmark by combining high performance with robustness and ease-of-use. It enables reliability gains, especially with high temperatures and in harsh environments. Watch this video to learn more about the benefits CoolSiC™ can bring to your designs!

培训
支持