sic 碳化硅mosfet-英飞凌(infineon)官网
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碳化硅MOSFET解决方案是实现智慧能源世界的重要一步。
依托丰富经验和兼容性技术专长，英飞凌推出革命性的CoolSiC™ MOSFET技术,可助力实现全新的产品设计。相比传统的硅开关(如IGBT和MOSFET)而言,碳化硅(SiC)功率MOSFET具有一系列优势。2000 V、1700 V、1200 V和650 V CoolSiC™ MOSFET产品适用于光伏逆变器、电池充电、储能、电机驱动器、UPS、辅助电源和开关电源等应用。
碳化硅MOSFET技术
对于系统设计人员而言，碳化硅CoolSiC™ MOSFET技术意味着最佳性能、可靠性和易用性。碳化硅（SiC) 功率晶体管可为设计人员带来新的灵活性，助力实现前所未有的效率和可靠性。高压CoolSiC™ MOSFET技术在反向恢复特性方面也实现了令人印象深刻的诸多改进。
CoolSiC™产品
英飞凌的碳化硅CoolSiC™ MOSFET具有高效节能特性和最佳可靠性。该系列产品采用分立封装，还提供650 V、1200 V和1700 V电压等级的模块。CoolSiC™ MOSFET系列包含碳化硅MOSFET分立器件和MOSFET功率模块。其中，SiC MOSFET功率模块拥有三电平、fourpack、半桥、 sixpack和电流扩展等不同配置。
CoolSiC™ MOSFET具备一系列优势。这些优势包括碳化硅开关中的最小栅极电荷和器件电容、反并联二极管无反向恢复损耗、与温度无关的低开关损耗，以及无阈值通态特性等。
英飞凌独特的CoolSiC™ MOSFET可以带来额外的优势。通过最先进的沟槽设计实现出色的栅氧化层可靠性，一流的开关和导通损耗，最高跨导电平（增益），Vth=4V的阈值电压，以及短路稳定性。这是您尽可信赖的革命性器件。
所有这一切带来的是强大的碳化硅MOSFET技术，非常适合硬开关和谐振开关拓扑，如LLC和ZVS，可以像IGBT或MOSFET一样使用易于使用的驱动器进行驱动。由于能在高开关频率下带来最高效率，从而可以减小系统尺寸、增大功率密度，并确保高可靠性，延长使用寿命。
产品阵容
CoolSiC™ MOSFET首款产品面向光伏逆变器、电池充电设备及储能装置
TO-247-4引脚封装含有一个与源极（Kelvin连接）相连的附加连接，用作门极驱动电压的参考电位，以消除源极电感电压下降的影响。通过这种方式，该封装的开关损耗较TO247-3引脚版本封装更低，尤其是在电流较大以及开关频率较高的情况下。Easy1B模块提供了散热性能良好的接口、较低的漏电感、稳健的设计以及PressFIT压接式管脚。HybridPACK™ Drive CoolSiC™ MOSFET符合AQG-324标准的要求，并针对180+ kW高功率汽车牵引逆变器进行了优化。这种易于安装的六单元模块，带有Pin-Fin底板，可直接进行水冷，并支持高效的量产组装过程。
全球首款采用最小和最紧凑封装的高性能1200 V CIPOS™Maxi SiC IPM
基于CoolSiC™MOSFET的CIPOS™Maxi IPM IM828系列是全球首款1200 V转移模塑碳化硅（SiC）智能功率模块（IPM），它集成了经过优化的6通道1200V SOI栅极驱动器和6个CoolSiC™MOSFET。IM828-XCC是1200 V IPM中封装最小、最紧凑的产品，它将超过4.8 kW的额定功率与出色的功率密度、可靠性与性能结合起来。
> 探索有关CIPOS™ Maxi的更多信息
Silicon Carbide (SiC) Forum
SiC论坛为您提供了交流想法并分享经验的平台，在这里我们的SiC器件及应用专家为您提供有关CoolSiC™ MOSFET模块和单管的建议。
SiC MOSFET 1200 V门极驱动芯片
CoolSiC™ MOSFET等超快速开关器件的完美使用需要性能优异的门极驱动。因此，建议选择基于英飞凌无铁芯变压器技术的隔离驱动EiceDRIVER™芯片
This video highlights the benefits of CoolSiC™, as seen through the eyes of our customers. Featuring testimonials from alpitronic, Tritium, Lite-On, Siemens Mobility, and Fronius, we see how SiC is driving innovation in energy generation, storage, and consumption.
CoolSiC™ MOSFET 网络研讨会
The switching performance in particular is influenced by the chip's inherent properties, the device's operating conditions and the external circuitry. Optimizing operating conditions and circuitry can significantly improve the device performance in an application.
Circuit designers benefit from SPICE compact models that they can use in computer simulation to understand, troubleshoot and optimize the static and dynamic device behavior of applications through virtual prototyping.
This training explains the characteristics and use cases of simulation models offered by Infineon for CoolSiC™ MOSFETs, what to use them for and how to use them effectively.
This training provides an insight about the system benefits of wide-bandgap devices, which will conquer market share in areas where power density, efficiency and/or battery range are decisive. The training focuses on two applications, mobile chargers and on-board chargers, and will talk about the challenges faced by the solutions today and how SiC and GaN provide next levels of performance.
观看我们的网络研讨会，了解更多关于硅材料与碳化硅和氮化镓功率器件在高、低功率应用中的技术定位。.
CoolSiC™ MOSFET 微学习
By taking this course you will learn more about…
- The gate driving limitation in SiC MOSFETs
- The reason for gate driving limitation parameters in datasheets
- The possible solution to overcome those issues and improve the reliability
By the end of this training, you will be familiar with CoolSiC™ MOSFET 1200 V M1H technology for Easy modules and with Infineon ever-expanding Easy module portfolio in the area of wide band gap material and know about the key features and benefits that are coming along with our latest M1H 1200 V series.
Understand why to use WBG switches for bi-directional converters, the topologies used and how they function.
您如果想成为 CoolSic™ 分立器件和 .XT 技术的专家，请观看此视频！
随着电动汽车市场的不断壮大，行业对充电桩的性能提出了更多要求。
本次在线学习将向您介绍 CoolSiC™ MOSFET 的出现改善了充电桩行业，使电动汽车充电器更小、更快、更高效。
本培训将向您介绍 CoolSic™ 将如何帮助设计下一代伺服驱动器。
驱动CoolSiC™ MOSFET 比你想象的容易的多。这个微学习会向你展示CoolSiC™ MOSFET甚至可以用0V门级电压关断。
通过本培训，您将学习如何计算碳化硅 MOSFET 的参考栅极电阻值，如何根据峰值电流和功耗要求确定合适的栅极驱动 IC，以及如何根据最差情况在实验室环境中微调栅极电阻值。
了解如何使用英飞凌 CoolSiC™ MOSFET SPICE 紧凑型模型优化器件在其应用中的特性。
在本视频中，您将重点比较 IGBT 和 SiC MOSFET 的功率处理能力，了解在为特定应用确定 IGBT 或 MOSFET 尺寸时需要考虑的不同方面。
了解并联 SiC MOSFET 模块的原因、栅极驱动器和电源布局设计的主要挑战和解决方案，并熟悉优化的系统回路电感，以最大限度地降低开关损耗。
了解 SiC MOSFET 模块并联背后的原因，以及栅极驱动器和电源布局设计的关键挑战和解决方案。了解优化的系统回路电感，最大限度降低开关损耗的解决方案。
了解 1500 V 光伏系统的最新发展趋势、挑战和技术，接受 1500 V 光伏市场全面解决方案培训。
- 区分英飞凌 CoolSiC™ 解决方案在目标应用中的特性和优势，并了解英飞凌可完全扩展的 CoolSiC™ 产品系列，以应对此汽车市场转型
- 解释在汽车应用中越来越多地引入碳化硅技术的原因
通过观看本次在线学习，您将：
- 了解封装电感
- 了解宽禁带晶体管更易受到封装电感影响的原因，以及
- 判断哪些英飞凌封装类型具有较低的电感
英飞凌在所有 3 种主要的功率半导体技术方面都能提供值得信赖的专业技术。查看如何在 AC-DC 应用中对其进行定位！
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英飞凌 650V CoolSiC™ MOSFET 可完美应对不断发展的大趋势：更高的效率和功率密度。
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650 V CoolSiC™ 技术参数与 600 V CoolMOS™ CFD7 的直接比较。
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了解主要目标拓扑结构和 650 V CoolSic™ 必须包含的优势。
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了解关键设计信息，充分发挥 650 V CoolSiC™ 的优势。
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