sic 碳化硅mosfet-英飞凌(infineon)官网
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碳化硅MOSFET解决方案是实现智慧能源世界的重要一步。
依托丰富经验和兼容性技术专长，英飞凌推出革命性的CoolSiC™ MOSFET技术，可助力实现全新的产品设计。相比传统的硅开关（如IGBT和MOSFET）而言，碳化硅（SiC）功率MOSFET具有一系列优势。1700 V、1200 V和650 V的CoolSiC™ MOSFET产品瞄准的应用包括光伏逆变器、电池充电、储能、电机驱动、UPS（不间断电源）、辅助电源和SMPS等。
碳化硅MOSFET技术
对于系统设计人员而言，碳化硅CoolSiC™ MOSFET技术意味着最佳性能、可靠性和易用性。碳化硅（SiC) 功率晶体管可为设计人员带来新的灵活性，助力实现前所未有的效率和可靠性。高压CoolSiC™ MOSFET技术在反向恢复特性方面也实现了令人印象深刻的诸多改进。
CoolSiC™产品
英飞凌推出的碳化硅CoolSiC™ MOSFET具有高效节能特性及最佳可靠性。我们的产品系列采用分立封装，还提供650 V、1200 V和1700 V电压等级的模块。碳化硅MOSFET功率模块提供三电平、四单元、半桥、六单元和升压配置。我们的碳化硅CoolSiC™ MOSFET系列包括：
CoolSiC™ MOSFET具备一系列优势。这些优势包括碳化硅开关中的最小栅极电荷和器件电容、反并联二极管无反向恢复损耗、与温度无关的低开关损耗，以及无阈值通态特性等。
英飞凌独特的CoolSiC™ MOSFET可以带来额外的优势。通过最先进的沟槽设计实现出色的栅氧化层可靠性，一流的开关和导通损耗，最高跨导电平（增益），Vth=4V的阈值电压，以及短路稳定性。这是您尽可信赖的革命性器件。
所有这一切带来的是强大的碳化硅MOSFET技术，非常适合硬开关和谐振开关拓扑，如LLC和ZVS，可以像IGBT或MOSFET一样使用易于使用的驱动器进行驱动。由于能在高开关频率下带来最高效率，从而可以减小系统尺寸、增大功率密度，并确保高可靠性，延长使用寿命。
产品阵容
CoolSiC™ MOSFET首款产品面向光伏逆变器、电池充电设备及储能装置
TO-247-4引脚封装含有一个与源极（Kelvin连接）相连的附加连接，用作门极驱动电压的参考电位，以消除源极电感电压下降的影响。通过这种方式，该封装的开关损耗较TO247-3引脚版本封装更低，尤其是在电流较大以及开关频率较高的情况下。Easy1B模块提供了散热性能良好的接口、较低的漏电感、稳健的设计以及PressFIT压接式管脚。HybridPACK™ Drive CoolSiC™ MOSFET符合AQG-324标准的要求，并针对180+ kW高功率汽车牵引逆变器进行了优化。这种易于安装的六单元模块，带有Pin-Fin底板，可直接进行水冷，并支持高效的量产组装过程。
全球首款采用最小和最紧凑封装的高性能1200 V CIPOS™Maxi SiC IPM
基于CoolSiC™MOSFET的CIPOS™Maxi IPM IM828系列是全球首款1200 V转移模塑碳化硅（SiC）智能功率模块（IPM），它集成了经过优化的6通道1200V SOI栅极驱动器和6个CoolSiC™MOSFET。IM828-XCC是1200 V IPM中封装最小、最紧凑的产品，它将超过4.8 kW的额定功率与出色的功率密度、可靠性与性能结合起来。
> 探索有关CIPOS™ Maxi的更多信息
Silicon Carbide (SiC) Forum
SiC论坛为您提供了交流想法并分享经验的平台，在这里我们的SiC器件及应用专家为您提供有关CoolSiC™ MOSFET模块和单管的建议。
SiC MOSFET 1200 V门极驱动芯片
CoolSiC™ MOSFET等超快速开关器件的完美使用需要性能优异的门极驱动。因此，建议选择基于英飞凌无铁芯变压器技术的隔离驱动EiceDRIVER™芯片
CoolSiC™ MOSFET 微学习
Understand why to use WBG switches for bi-directional converters, the topologies used and how they function.
您如果想成为 CoolSic™ 分立器件和 .XT 技术的专家，请观看此视频！
随着电动汽车市场的不断壮大，行业对充电桩的性能提出了更多要求。
本次在线学习将向您介绍 CoolSiC™ MOSFET 的出现改善了充电桩行业，使电动汽车充电器更小、更快、更高效。
本培训将向您介绍 CoolSic™ 将如何帮助设计下一代伺服驱动器。
驱动CoolSiC™ MOSFET 比你想象的容易的多。这个微学习会向你展示CoolSiC™ MOSFET甚至可以用0V门级电压关断。
通过本培训，您将学习如何计算碳化硅 MOSFET 的参考栅极电阻值，如何根据峰值电流和功耗要求确定合适的栅极驱动 IC，以及如何根据最差情况在实验室环境中微调栅极电阻值。
了解如何使用英飞凌 CoolSiC™ MOSFET SPICE 紧凑型模型优化器件在其应用中的特性。
在本视频中，您将重点比较 IGBT 和 SiC MOSFET 的功率处理能力，了解在为特定应用确定 IGBT 或 MOSFET 尺寸时需要考虑的不同方面。
了解并联 SiC MOSFET 模块的原因、栅极驱动器和电源布局设计的主要挑战和解决方案，并熟悉优化的系统回路电感，以最大限度地降低开关损耗。
了解 SiC MOSFET 模块并联背后的原因，以及栅极驱动器和电源布局设计的关键挑战和解决方案。了解优化的系统回路电感，最大限度降低开关损耗的解决方案。
了解 1500 V 光伏系统的最新发展趋势、挑战和技术，接受 1500 V 光伏市场全面解决方案培训。
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