sic 碳化硅mosfet-英飞凌(infineon)官网
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碳化硅MOSFET解决方案是实现智慧能源世界的重要一步。
依托丰富经验和兼容性技术专长,英飞凌推出革命性的CoolSiC™ MOSFET技术,可助力实现全新的产品设计。相比传统的硅开关(如IGBT和MOSFET)而言,碳化硅(SiC)功率MOSFET具有一系列优势。1700 V、1200 V和650 V的CoolSiC™ MOSFET产品瞄准的应用包括光伏逆变器、电池充电、储能、电机驱动、UPS(不间断电源)、辅助电源和SMPS等。
碳化硅MOSFET技术
对于系统设计人员而言,碳化硅CoolSiC™ MOSFET技术意味着最佳性能、可靠性和易用性。碳化硅(SiC) 功率晶体管可为设计人员带来新的灵活性,助力实现前所未有的效率和可靠性。高压CoolSiC™ MOSFET技术在反向恢复特性方面也实现了令人印象深刻的诸多改进。
CoolSiC™产品
英飞凌推出的碳化硅CoolSiC™ MOSFET具有高效节能特性及最佳可靠性。我们的产品系列采用分立封装,还提供650 V、1200 V和1700 V电压等级的模块。碳化硅MOSFET功率模块提供三电平、四单元、半桥、六单元和升压配置。我们的碳化硅CoolSiC™ MOSFET系列包括:
CoolSiC™ MOSFET具备一系列优势。这些优势包括碳化硅开关中的最小栅极电荷和器件电容、反并联二极管无反向恢复损耗、与温度无关的低开关损耗,以及无阈值通态特性等。
英飞凌独特的CoolSiC™ MOSFET可以带来额外的优势。通过最先进的沟槽设计实现出色的栅氧化层可靠性,一流的开关和导通损耗,最高跨导电平(增益),Vth=4V的阈值电压,以及短路稳定性。这是您尽可信赖的革命性器件。
所有这一切带来的是强大的碳化硅MOSFET技术,非常适合硬开关和谐振开关拓扑,如LLC和ZVS,可以像IGBT或MOSFET一样使用易于使用的驱动器进行驱动。由于能在高开关频率下带来最高效率,从而可以减小系统尺寸、增大功率密度,并确保高可靠性,延长使用寿命。
产品阵容

CoolSiC™ MOSFET首款产品面向光伏逆变器、电池充电设备及储能装置
TO-247-4引脚封装含有一个与源极(Kelvin连接)相连的附加连接,用作门极驱动电压的参考电位,以消除源极电感电压下降的影响。通过这种方式,该封装的开关损耗较TO247-3引脚版本封装更低,尤其是在电流较大以及开关频率较高的情况下。Easy1B模块提供了散热性能良好的接口、较低的漏电感、稳健的设计以及PressFIT压接式管脚。HybridPACK™ Drive CoolSiC™ MOSFET符合AQG-324标准的要求,并针对180+ kW高功率汽车牵引逆变器进行了优化。这种易于安装的六单元模块,带有Pin-Fin底板,可直接进行水冷,并支持高效的量产组装过程。
全球首款采用最小和最紧凑封装的高性能1200 V CIPOS™Maxi SiC IPM

基于CoolSiC™MOSFET的CIPOS™Maxi IPM IM828系列是全球首款1200 V转移模塑碳化硅(SiC)智能功率模块(IPM),它集成了经过优化的6通道1200V SOI栅极驱动器和6个CoolSiC™MOSFET。IM828-XCC是1200 V IPM中封装最小、最紧凑的产品,它将超过4.8 kW的额定功率与出色的功率密度、可靠性与性能结合起来。
> 探索有关CIPOS™ Maxi的更多信息
Silicon Carbide (SiC) Forum

SiC论坛为您提供了交流想法并分享经验的平台,在这里我们的SiC器件及应用专家为您提供有关CoolSiC™ MOSFET模块和单管的建议。
SiC MOSFET 1200 V门极驱动芯片

CoolSiC™ MOSFET等超快速开关器件的完美使用需要性能优异的门极驱动。因此,建议选择基于英飞凌无铁芯变压器技术的隔离驱动EiceDRIVER™芯片
CoolSiC™ MOSFET 微学习

Understand why to use WBG switches for bi-directional converters, the topologies used and how they function.
您如果想成为 CoolSic™ 分立器件和 .XT 技术的专家,请观看此视频!
随着电动汽车市场的不断壮大,行业对充电桩的性能提出了更多要求。
本次在线学习将向您介绍 CoolSiC™ MOSFET 的出现改善了充电桩行业,使电动汽车充电器更小、更快、更高效。
本培训将向您介绍 CoolSic™ 将如何帮助设计下一代伺服驱动器。
驱动CoolSiC™ MOSFET 比你想象的容易的多。这个微学习会向你展示CoolSiC™ MOSFET甚至可以用0V门级电压关断。
通过本培训,您将学习如何计算碳化硅 MOSFET 的参考栅极电阻值,如何根据峰值电流和功耗要求确定合适的栅极驱动 IC,以及如何根据最差情况在实验室环境中微调栅极电阻值。
了解如何使用英飞凌 CoolSiC™ MOSFET SPICE 紧凑型模型优化器件在其应用中的特性。
在本视频中,您将重点比较 IGBT 和 SiC MOSFET 的功率处理能力,了解在为特定应用确定 IGBT 或 MOSFET 尺寸时需要考虑的不同方面。
了解并联 SiC MOSFET 模块的原因、栅极驱动器和电源布局设计的主要挑战和解决方案,并熟悉优化的系统回路电感,以最大限度地降低开关损耗。
了解 SiC MOSFET 模块并联背后的原因,以及栅极驱动器和电源布局设计的关键挑战和解决方案。了解优化的系统回路电感,最大限度降低开关损耗的解决方案。
了解 1500 V 光伏系统的最新发展趋势、挑战和技术,接受 1500 V 光伏市场全面解决方案培训。

- 区分英飞凌 CoolSiC™ 解决方案在目标应用中的特性和优势,并了解英飞凌可完全扩展的 CoolSiC™ 产品系列,以应对此汽车市场转型
- 解释在汽车应用中越来越多地引入碳化硅技术的原因


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英飞凌 650V CoolSiC™ MOSFET 可完美应对不断发展的大趋势:更高的效率和功率密度。
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650 V CoolSiC™ 技术参数与 600 V CoolMOS™ CFD7 的直接比较。
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