碳化硅 CoolSiC™ MOSFETs
英飞凌CoolSiC™半导体解决方案是迈向能源智能型世界的重要一步。
碳化硅 CoolSiC™ MOSFETs 子类别
立足于大量的经验和兼容性的技术知识，英飞凌推出了开拓性的CoolSiC™ MOSFET技术，使完全的新品设计成为可能。与传统的基于的硅的IGBT和MOSFET开关相比，碳化硅MOSFET提供了一系列优势。CoolSiC™ MOSFET 1200V系列的先导产品聚焦光伏逆变器、充电装置和储能的应用。碳化硅 CoolSiC™ MOSFET代表着最佳的性能和可靠性，并为便利系统设计师的使用提供前所未有的效率和系统灵活性。
新材料升级，为客户提供更高水准的性能
碳化硅（SiC）为设计人员提供更高的灵活度，将效率和可靠性推至全新高度。
相比于IGBT和MOSFET等传统高电压（>600V）硅开关器件，SiC MOSFET产品具有诸多优点，例如在1200V级开关中最低的门极电荷和器件电容电平、反并联二极管无反向恢复损耗、低切换损耗不受温度影响以及无阈值导通特性。
除此之外，英飞凌1200V SiC MOSFET还具备额外的优势。得益于领先的沟槽设计、业界最卓越的开关和导通损耗表现、最高的跨电平（增益）性能、阈值电压Vth = 4 V以及短路稳健性，门极氧化层表现优异。这些特性将助力您的方案达到全新高度。
所有这些优点共同组成了强大的SiC MOSFET产品，使其成为硬式开关和谐振开关拓扑结构（如LLC和ZVS）的理想之选。这些器件还可以在标准驱动的配合下产生类似IGBT的驱动效果。这款产品可以在硅器件无法达到的开关频率下提供最高频率，从而使系统尺寸得以降低，同时提高功率密度并提高工作寿命内的可靠性。
产品阵容
CoolSiC™ MOSFET首款产品面向光伏逆变器、电池充电设备及储能装置
TO-247-4引脚封装含有一个与源极（Kelvin连接）相连的附加连接，用作门极驱动电压的参考电位，以消除源极电感电压下降的影响。通过这种方式，该封装的开关损耗较TO247-3引脚版本封装更低，尤其是在电流较大以及开关频率较高的情况下。Easy1B模块提供了散热性能良好的接口、较低的漏电感、稳健的设计以及PressFIT压接式管脚。
Silicon Carbide (SiC) Forum
SiC论坛为您提供了交流想法并分享经验的平台，在这里我们的SiC器件及应用专家为您提供有关CoolSiC™ MOSFET模块和单管的建议。
SiC MOSFET 1200 V门极驱动芯片
CoolSiC™ MOSFET等超快速开关器件的完美使用需要性能优异的门极驱动。因此，建议选择基于英飞凌无铁芯变压器技术的隔离驱动EiceDRIVER™芯片
The changing face of CAV – how electrification is changing the commercial vehicles business
This whitepaper reviews the e-CAV market‘s applications and takes a look at the solutions Infineon has on offer meeting the extreme demands placed on the electronic systems.
推动商用车辆电气化的网络研讨会
