IMT65R107M1H | TOLL パッケージに搭載された650 V、CoolSiC™ MOSFETディスクリート

概要

小型フットプリント、低インダクタンス、熱インピーダンスの低減により高密度設計を実現

TOLLパッケージのCoolSIC™ MOSFET 650V、107mΩは、インフィニオンのSiC技術の長所を活かし、より高密度な設計とより高いスイッチング周波数での動作を実現します。小型で寄生インダクタンスが低いTOLLパッケージにより、基板スペースを効率的かつ効果的に使用し、MOSFETをより高い周波数で駆動できるため、より高い電力密度を達成できます。TOLLパッケージのCoolSIC™ MOSFET 650V、107mΩは、CoolMOS™とCoolGaN™のTOLLパッケージも利用でき、様々なシステム向けの魅力的なワンストップショップオプションとなっています。107mΩの製品は、中電力システムに適しており、価格あたりの性能を最適化します。中電力システムにおいて採用されつつあるトーテムポールPFCトポロジーに理想的に適し、DC-DCおよびAC-DCステージにおける高効率と高密度も実現します。また、インターリーブトポロジーに使用することで、高～中電力システムの高効率目標に対応することも可能です。

特長