シリコンカーバイド MOSFET ディスクリート
650 V, 1200 V, and 1700 V CoolSiC™ MOSFET discretes ideally suited for hard- and resonant-switching topologies
インフィニオンのCoolSiC™ SiC MOSFETは、最先端トレンチ半導体プロセスに基づいて構築されており、アプリケーションにおける低損失、ならびに高い動作信頼性を実現するよう最適化されています。TOパッケージおよびSMDパッケージのディスクリートCoolSiC™ラインアップは、650V、1200V、1700Vの電圧クラスから構成され、オン抵抗定格は27mΩ～1000mΩです。 CoolSiC™トレンチ技術は、柔軟なパラメータ設定が可能で、各製品ラインアップにおけるアプリケーション固有の機能（例えば、ゲートソース電圧、アバランシェ耐量、短絡耐量、ハードコミュテーション用の定格を備えた内蔵ボディダイオード）の実装に使用されます。
ディスクリートパッケージのCoolSiC™ MOSFETは、力率改善（PFC）回路、双方向トポロジ、DC/DCコンバータ、DC/ACインバータなど、ハードウェアトポロジおよび共振スイッチングトポロジの両方に最適です。不要な寄生ターンオン効果に対する優れた耐性により、ブリッジトポロジのターンオフ電圧が0Vであっても、低ダイナミック損失のベンチマークを実現します。インフィニオンのTOパッケージおよびSMDパッケージ製品には、スイッチング性能最適化用のケルビンソースピンも追加できます。
インフィニオンは、超高速SiC MOSFETスイッチング機能の要求を満たす、厳選されたドライバIC製品を取り揃え、SiCディスクリート製品を完成させています。CoolSiC™ MOSFETとEiceDRIVER™ゲートドライバICは、高効率、小型化、軽量化、部品点数の削減、高いシステム信頼性といったSiC技術の利点を活かしています。
ディスクリートハウジングのCoolSiC™ MOSFETは還流ダイオードを内蔵しているため、追加のダイオードチップを要することなくハードスイッチングが可能です。MOSFETはユニーポーラ特性を持つことから、特に部分負荷状態ではスイッチング損失は温度に依存することなくきわめて低く、導通損失も低いという特徴があります。
インフィニオンの1200V／650V SiC（シリコンカーバイド） CoolSiC™ MOSFETディスクリート製品は、LLCやZVSといったハードおよび共振スイッチングトポロジに理想的であり、IGBTやCoolMOS™と同様に標準的なドライバで作動させることができます。これらの堅牢なデバイスは、最先端のトレンチ設計により実現される卓越したゲート酸化膜信頼性、クラス最小レベルのスイッチング損失と導通損失、最高の相互コンダクタンスレベル（利得）、しきい値電圧Vth=4V、短絡耐量を提供します。
シリコンカーバイド（SiC）フォーラム
SiCウェブフォーラムは、コミュニティとのアイディア交換や、インフィニオンのSiC専門家にアドバイスを求めて頂くことで、CoolSiCTM MOSFETモジュールやディスクリートの経験を共有するためのプラットフォームです。
SiC MOSFET 1200VゲートドライバIC
CoolSiC™ MOSFETのような超高速スイッチングのパワートランジスタは、絶縁ゲート出力部を使うと取り扱いが容易です。その最適解としてインフィニオンのコアレストランス技術に基づくガルバニック絶縁EiceDRIVER™ ICを勧めします。
