EiceDRIVER™ SiC MOSFETゲートドライバIC

概要

CoolSiC™MOSFETに最適なゲートドライバIC

CoolSiC™MOSFETなどの超高速スイッチング1200Vパワートランジスタは、絶縁ゲート出力部を使い容易に制御できます。
そのため、インフィニオンのコアレストランス技術に基づく、EiceDRIVER™ガルバニック絶縁ゲートドライバICのご使用をお勧めします。

EiceDRIVER™ゲートドライバは、優れた伝搬遅延マッチング、正確な入力フィルタ、広い出力側供給範囲、負のゲート電圧駆動能力、高い同相過渡除去特性（CMTI）、アクティブミラークランプ、DESAT保護機能など、SiC MOSFETを駆動するうえで重要な機能やパラメータを実装しています。

製品
ハイライト

絶縁ゲートドライバのラインナップについては、インフィニオンのEiceDRIVER™ゲートドライバ・セレクションガイドの製品ラインナップ概要をご覧ください。
EiceDRIVER™ゲートドライバは、優れた伝搬遅延マッチング、正確な入力フィルタ、広い出力側供給範囲、負のゲート電圧駆動能力、高い同相過渡除去特性（CMTI）、アクティブミラークランプ、DESAT保護機能など、SiC MOSFETを駆動するうえで重要な機能やパラメータを実装しています。

主な特長 アプリケーション
  • 沿面距離8mmのワイドボディパッケージ
  • 高温での動作に最適
  • アクティブミラークランプ
  • 短絡クランプおよびアクティブシャットダウン
  • 100kV/μs以上のCMTI (1EDU20I12SV: ≥ 50 kV/μs CMTI )
  • 高精度DESAT保護
  • 12V/11Vの標準的なUVLO閾値
  • 太陽光発電（PV）
  • EV充電
  • 無停電電源(UPS)システム
  • 産業用モータ駆動機器
  • スイッチング電源（SMPS）

 

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SiC MOSFETモジュールおよびSiC MOSFETモジュール用のゲートドライバの選び方

シリコンカーバイド(SiC)MOSFETは、パワーエレクトロニクスにあらゆる可能性を提供します。しかし、適切なゲートドライバを備えたSiC MOSFETを使用し、システムの利点を十分に活かすには、どうすれば良いでしょうか。本トレーニングでは、次のことが学べます：お客様のSiC MOSFET用に基準ゲート抵抗値を算出する方法。ピーク電流と消費電力の要件をもとに最適なゲートドライバICを選択する方法。最悪の条件下を想定し、実験室の環境でゲート抵抗値を微調整する方法。

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