600 V CoolMOS™ S7 / S7T
低周波数スイッチングアプリケーションに向けてこの上ない価格性能比を発揮する高電圧スーパージャンクションMOSFETファミリー
高電圧スーパージャンクションMOSFETのS7ファミリーは、22 mΩ RDS(on)チップを革新的な小型TOリードレス(TOLL)SMDパッケージに実装し、さらに近い将来には10 mOhm RDS(on)チップを上面冷却型SMDパッケージに実装することで、電力密度の新たな基準を打ち立てます。
スイッチング損失が重要ではないアプリケーションに焦点を絞ることで、CoolMOS™ S7 SJ MOSFETは、非常に低いRDS(on)値に達する一方で、スイッチング性能に関連する機能を排除し、コストを最適化することを可能にします。これにより、CoolMOS™ S7 SJ MOSFETは、インフィニオンの高い品質基準を維持する一方で、この上ない価格性能比を発揮しながら、最良のコストで低い導通損失の必要条件を満たすことができます。
インフィニオンの600 V CoolMOS™ S7スーパージャンクションMOSFETは、アクティブブリッジ整流、インバータステージ、インラッシュリレー、PLC、HV DCライン、パワーソリッドステートリレー、ソリッドステート回路遮断器など、MOSFETのスイッチングが低周波数で生じるアプリケーションを対象にしています。
PFCアクティブブリッジ整流では、設計に関してほとんど労力を払うことなく600 V CoolMOS™ S7が効率性をおよそ1%向上させることが可能となります。
ソリッドステートリレーとソリッドステート回路遮断器の設計のために、CoolMOS™ S7 MOSFETは、残りのスーパージャンクションMOSFETのCoolMOS™ファミリー、IGBT、OptiMOS™低電圧および中電圧MOSFET、ガルバニ絶縁型ゲートドライバ、およびPVI(太陽光発電アイソレータ)により補完されます。