ハイサイドドライバ
MOSFETおよびIGBT制御用シングルチャネルおよびデュアルチャネルハイサイドゲートドライバIC
EiceDRIVER™ハイサイドゲートドライバICには、絶縁ゲートドライバとレベルシフトゲートドライバのオプションがあります。インフィニオンは、非飽和検出およびアクティブミラークランプなど高度な保護機能を備えた、1チャネルおよび2チャネルガルバニック絶縁ゲートドライバICを提供しています。これらのゲートドライバは、ULおよびVDE認証済みであり、SiC MOSFETおよびGaN HEMTの駆動に最適です。
また、インフィニオンは、バックトポロジに最適な、過電流保護を備えた1チャネルレベルシフトハイサイドゲートドライバICも提供しています。インフィニオンは、車載適合のハイサイドゲートドライバICも提供しています。
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インフィニオンおよびインターナショナル・レクティファイアーは、数十年にわたるアプリケーションの専門知識と技術開発により、MOSFET、ディスクリートIGBT、IGBTモジュール、SiC MOSFET、GaN HEMTなどのシリコンおよびワイドバンドギャップパワーデバイス向けのゲートドライバICのポートフォリオを生み出してきました。インフィニオンは、ガルバニック絶縁されたゲートドライバ、車載適合のゲートドライバ、200V、500～700V、1200Vレベルシフトゲートドライバ、非絶縁ローサイドドライバの優れた製品ファミリーを提供しています。
インフィニオンのポートフォリオは、さまざまな構成、電圧クラス、絶縁レベル、保護機能、パッケージオプションにわたっています。最新のディスクリートスイッチファミリーの能力や機能を完全に活用するためには、ゲートドライブ回路のチューニングが必要です。ディスクリートでも、パワーモジュールでも、あらゆるパワースイッチには、最適なゲートドライブ構成が不可欠です。
