ハイサイドドライバ
MOSFETおよびIGBT制御用シングルチャネルおよびデュアルチャネルハイサイドゲートドライバIC
EiceDRIVER™ハイサイドゲートドライバICには、絶縁型ゲートドライバ、レベルシフト型ゲートドライバのオプション、非絶縁型ゲートドライバファミリがあり、差動制御入力によりハイサイドドライバとして使用できます。インフィニオンは、1チャンネルおよび2チャンネルの電気的に絶縁されたゲートドライバICを提供しています。一部製品にはDESATやアクティブミラークランプのような高度な保護機能があり、また、ULおよびVDE認証を取得している製品も取り揃えています。OptiMOS™パワーMOSFET、CoolMOS™スーパージャンクションMOSFET、CoolSiC™ MOSFET、CoolGaN™ HEMTの駆動に最適な複数の低電圧ロックアウト(UVLO)閾値オプションを提供しています。
また、降圧型トポロジーに最適な、過電流保護機能を備えた1チャンネルレベルシフトハイサイドゲートドライバICもご用意しています。車載認証済みのハイサイドゲートドライバICも提供しています。非絶縁型TDIゲートドライバファミリは、ハイサイド電圧が100V以下未満の降圧回路、バッテリ駆動のモータ駆動アプリケーション、ハーフブリッジまたはフルブリッジ同期整流ユニットなどに、魅力的な選択肢となります。
詳細情報については、製品ハイライトの1つを選択してください
インフィニオンおよびインターナショナル・レクティファイアーは、数十年にわたるアプリケーションの専門知識と技術開発により、MOSFET、ディスクリートIGBT、IGBTモジュール、SiC MOSFET、GaN HEMTなどのシリコンおよびワイドバンドギャップパワーデバイス向けのゲートドライバICのポートフォリオを生み出してきました。インフィニオンは、ガルバニック絶縁されたゲートドライバ、車載適合のゲートドライバ、200V、500~700V、1200Vレベルシフトゲートドライバ、非絶縁ローサイドドライバの優れた製品ファミリーを提供しています。
インフィニオンのポートフォリオは、さまざまな構成、電圧クラス、絶縁レベル、保護機能、パッケージオプションにわたっています。最新のディスクリートスイッチファミリーの能力や機能を完全に活用するためには、ゲートドライブ回路のチューニングが必要です。ディスクリートでも、パワーモジュールでも、あらゆるパワースイッチには、最適なゲートドライブ構成が不可欠です。
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推奨ドキュメント
このトレーニングでは、IGBTアプリケーション向けゲート抵抗値の算出法、ピーク電流と電力損失要件に適したゲートドライバICの識別法、最悪条件の試験環境下でのゲート抵抗値の微調整法を学びます。
- EiceDRIVER™ Enhanced now include 1ED34XX (X3 Analog), with DESAT(adjustable filter time), soft-off(adjustable current)
- Up to 9 A output current, 200 kV/µs CMTI, 30 ns Max. propagation delay matching, 40 V Max output supply voltage.
- Perfect for CoolSiC™ SiC MOSFET. VDE 0884-11 & UL 1577 (planned). For solar, EV charging, industrial drive, UPS, etc.