GaN HEMT用ゲートドライバーIC
GaN HEMTに最適なEiceDRIVER™ゲートドライバーIC
GaN HEMT用ゲートドライバーIC サブカテゴリー
ワイドバンドギャップ半導体は、高い電界強度を実現しているため、シリコンの代替品に比べ大幅な小型化が可能です。それにより、GaN高電子移動度トランジスター (HEMT) は、効率を損なうことなく、高いスイッチング周波数で動作することができます。インフィニオン テクノロジーズには、特長のある2つのGaNパワー デバイス ファミリーがあります: CoolGaN™ショットキーゲート (SG) HEMTとCoolGaN™ゲート注入トランジスター (GIT) HEMTです。
上図は各技術を簡略化 したデバイス図です。この 2 構造の主な違いの 1 つは、ゲートの メタライズです。GIT HEMT はオーミックゲートコンタクトを使用し、SG HEMT はショットキーゲートコンタクトを使用します。この 2 構造の主な違いの 1 つは、ゲートの メタライズです。GIT HEMT はオーミックゲートコンタクトを使用し、SG HEMT はショットキーゲートコンタクトを使用します。GITゲートは非絶縁で、ゲートとチャネル間の等価ダイオードの自己クランプ特性により、過電圧に対して非常に頑丈です。ショットキーゲートは、従来のMOSFETゲートをエミュレートするために、バック トゥ バック ダイオードによって「半絶縁」になり、大きな電流が流れるのを防ぎます。
最新のパワー エレクトロニクス システムにとって、高効率と高電力密度は重要な要素であり、最先端のGaN HEMTがそれを実現します。適切なゲート ドライバーICは、GaNベースのシステムで最高の性能を達成すると同時に、研究開発の労力と関連コストを最小限に抑えます。インフィニオンテクノロジーズは、高性能なCoolGaN™ HEMTファミリーに加えて、CoolGaN™ SG HEMTおよびCoolGaN™ GIT HEMTの駆動に最適化され、ターゲット アプリケーション向けに最高レベルのシステム ソリューションを提供すべく戦略的に設計された、幅広いEiceDRIVER™ゲート ドライバーICを提供しています。
本ビデオでは、EVAL_2EDB_HB_GaN、KIT_1EDB_AUX_GaN、KIT_1EDB_AUX_SiCのデモボードで紹介した専用のEiceDRIVER™シングルチャネルおよびデュアルチャネルゲートドライバICを用いて高電圧SiC MOSFETとGaN HEMTを駆動する最新のソリューションをご覧ください。この小型デモキットは、設定可能な絶縁バイアス電源を備えており、1%の電圧レギュレーションと最大1.5Wの電力レベルで、異なる正負の電圧レベルを生成することができます。これらの使いやすいビルディングブロックを使用して、設計サイクルを高速化し、市場投入までの時間を短縮してください。
インフィニオンの評価ボード EVAL_2EDB_HB_GANを紹介します。本ボードは、窒化ガリウム トランジスターの評価において、ゲートドライバーや電源回路を独自に設計する手間を省くことができます。シンプルなGaNハーフブリッジと専用GaNドライバーICを搭載し、エンドユーザが簡単にセットアップ、使用できる環境を提供しています。
このオンデマンド ウェビナーで、当社のGaN向けの広範なゲート ドライブ ソリューションをご覧ください。さまざまなGaNコンセプトに必要な主要ゲート ドライバー要件と、可能なゲート ドライブ コンセプトをご覧ください。
