CoolSiC™ショットキーダイオード

概要

シリコンカーバイドCoolSiC™ショットキーダイオードソリューション - 効率向上およびソリューションコスト改善

インフィニオンは世界初のSiCディスクリートパワーサプライヤーです。長い市場での存在感と経験により、インフィニオンは信頼性の高い業界最高のSiC性能を提供します。シリコンカーバイドとシリコンとの間の材料特性の差異は、実用的なシリコンユニポーラダイオード（ショットキダイオード）の製造を100V〜150Vまでの範囲で、比較的高いオン抵抗とリーク電流を制限します。 SiC材料では、ショットキダイオードは非常に高い降伏電圧に対応します。 SiCデバイスのInfineonポートフォリオは、600Vおよび650V〜1200Vのショットキー・ダイオードをカバーしています。

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製品

ハイライト

主な特長	メリット	主な利点	アプリケーション
逆回復電荷がない純容量性スイッチング高い動作温度（T jmax 175°C）	低いターンオフ損失 CoolMOS™またはIGBTのターンオン損失低減負荷電流、スイッチング速度、温度に依存しないスイッチング損失	シリコンダイオードと比べて、システム効率改善冷却必要性の低減高周波数動作が可能で電力密度を向上動作温度低下によりシステム信頼性が向上 EMI低減	サーバテレコム太陽光発電 UPS 充電器 PC電源モータ駆動系照明

SiCショットキーダイオードとSi PINダイオードの逆回復電荷

デバイスの多数キャリア特性からは、逆回復電荷は見られず、スイッチング損失の原因となるものは容量性の微小な変位電荷からだけのものです。同一の電圧範囲では、シリコンデバイスはバイポーラコンポーネントにおいて高いスイッチング損失の結果となることがわかります。このグラフはさまざまな600Vデバイス間の比較を示しています。

システム効率改善（CCMモード動作でのPFC、最大負荷、ローライン）

SiC（シリコンカーバイド）ダイオードの高速スイッチング特性によりシステムレベルでの明白な効率向上が実現します。動作周波数が上がるにつれてSiCとハイエンドシリコンデバイスとの性能差が拡大します。

PFCのためのシステムソリューション

CCM PFC電力 [W]	CoolMOS™ R DS(on) [mΩ]		CoolSiC™ ダイオード I F [A]
CCM PFC電力 [W]	サーバ	テレコム	サーバおよびテレコム
500	1 x 90	1 x 190	1 x (4~6)
750	1 x 99/2 x 190	2 x 190	1 x (6~8)
1200	2 x (70~99)		1 x (8~10)
2000		2 x 99	2 x (6~8)/1 x (12~16)
2700	3 x (41~80)		2 x (8~10)/1 x (16~20)
3000		2 x 65/1 x 19	2 x (8~10)/1 x (16~20)