ダイオードとサイリスタ (Si/SiC)
Power Diodes and Thyristors in different designs and housings
ダイオードとサイリスタ (Si/SiC) サブカテゴリー
全てのサブカテゴリーを閉じる 全てのサブカテゴリーを開くThe goal of the highest reliability and efficiency in a core technology is always a moving target; therefore we understand that continuous improvement is essential. As a market leader for power diodes and thyristors, we offer the core technology for power generation, transmission, supply, and control – on every continent in the world.
Our strongest wish is to make our customers successful in their markets. That is why we innovate, develop and manufacture the most advanced solutions for their systems: high-performance discs with highest power density and additional functions, thyristor/diode modules offering an attractive price-performance ratio, high efficient silicon or CoolSiC™ silicon carbide diodes in discrete housings as well as bare dies for the highest flexibility.
High-power diodes and thyristors are used to boost efficiency significantly in many applications. They have set standards in a power range from 10 kW to over 10 GW. Discrete silicon or silicon carbide (SiC) Schottky diodes aim for applications like server farms, solar plants orenergy storage systems. Qualified for both industrial and automotive applications.
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送配電アプリケーション向けには、数十年にわたサイリスりサイリスタが使用されてきましたが、現在はサイリスタやIGBTがHVDCシステムおよびFACTSに使用され、様々な要件を満たしています。
The latest most price-performance generation of Infineon CoolSiC™ Schottky diode 650 V G6 offers the best efficiency per dollar.
インフィニオンは、電力変換向け高出力製品の包括的なラインアップをご提供し、お客様の目的達成のお手伝いをいたします。
エネルギー即ち生活です。家を温め、自動車に給電し、巨大都市に明かりを灯します。リソースが減少する一方で、エネルギー消費は世界的に増えています。世界規模のエネルギー消費の1/3は電力消費で、その傾向は強まっています。
インフィニオンのRapid1およびRapid2ダイオードは、ハイパワー600V/650Vダイオードの従来品を補完し、SiCダイオードとエミッタ制御ダイオード間の隙間を埋めます。
インフィニオンのRapid1ダイオードファミリーは、1.35Vの安定した温度特性の順方向電圧(VF)を備えており、伝導損失を最小限にし、EMI発生を最小限に抑えます。
Rapid 2ダイオードは、逆方向の回復電荷(Qrr)と時間(trr)を低くすることによって40kHzと100kHzを切り替えることで、電力スイッチのターンオン損失に起因する逆伝導時間を最小限に抑え、最高効率を実現しています。
