Infineon erweitert die OptiMOS™-Familie der Source-Down-Leistungs-MOSFETs um das 25-150 V PQFN-Portfolio mit doppelseitiger Kühlung

München – 15. Dezember 2022 – Das Design zukünftiger Systeme der Leistungselektronik wird kontinuierlich weiterentwickelt, um Leistung und Leistungsdichte zu verbessern. Die Infineon Technologies AG unterstützt diesen Trend mit der Einführung einer neuen Source-Down-PQFN-Produktfamilie in den Spannungsklassen 25-150 V mit Bottom-Side-Cooling- und Dual-Side-Cooling-Varianten. Die neue Produktfamilie bietet deutliche Verbesserungen auf der Komponentenebene und damit attraktive Lösungen für Systeminnovationen bei der DC-DC-Spannungsversorgung für Anwendungen im Bereich Server- und Telekommunikation, OR-ing, Batterieschutz, Akku-Werkzeuge und Ladegeräte.

Das neue Portfolio kombiniert die neueste MOSFET-Technologie von Infineon mit bester Packaging-Technologie und hebt damit die Systemleistung auf das nächst-höhere Niveau. Beim Source-Down-Konzept ist der Source-Kontakt des MOSFETs zur Leiterplatten-Seite hin orientiert. Das Source-Down-Gehäuse verfügt außerdem über ein verbessertes Clip-Design an der Oberseite des Chips für den Drain-Kontakt und ein herausragendes Verhältnis von Chip- zu Gehäusefläche.

Da Systeme immer kompakter werden, sind zwei Aspekte von entscheidender Bedeutung: die Reduktion von Verlustleistung und verbessertes Wärmemanagement. Verglichen mit klassenbesten Drain-Down-Varianten im Gehäuse PQFN 3,3 x 3,3 mm² erzielt das Source-Down-Konzept eine Verringerung des Einschaltwiderstands (R _DS(on)) um bis zu 35 Prozent. Der OptiMOS Source-Down PQFN mit Dual-Side-Cooling von Infineon bietet eine optimale thermische Schnittstelle, um die Verlustleistung vom Schalter weg hin zum Kühlkörper abzuleiten. Damit wird eine bis zu dreimal höhere Kühlleistung im Vergleich zu ähnlichen Bottom-Side-Cooling-Bauteilen erreicht.

Für höchste Flexibilität beim PCB-Routing stehen zwei verschiedene Footprint-Varianten zur Verfügung. Das traditionelle Standard-Gate-Design ermöglicht eine schnelle und einfache Modifikation bestehender Drain-Down-Designs. Die Center-Gate-Variante eröffnet neue Möglichkeiten für die Parallelschaltung von Bauteilen, um die Verbindung zwischen Treiber und Gate so kurz wie möglich zu gestalten. Die hervorragende Dauerstromfähigkeit von bis zu 298 A ermöglicht für die gesamte OptiMOS Source-Down PQFN 3,3 x 3,3 mm² 25-150 V-Produktfamilie höchste Systemleistung.

Verfügbarkeit

Die OptiMOS Leistungs-MOSFETS im Source-Down-PQFN 3,3 x 3,3 mm²-Gehäuse sind in den Spannungsklassen 25-150 V erhältlich in einer Standard-Gate- und Center-Gate-Variante. Beide Varianten im Dual-Side-Cooling-Gehäuse können ab sofort bestellt werden. Weitere Informationen sind erhältlich unter www.infineon.com/source-down.

Mehr Informationen zum Beitrag von Infineon im Bereich Energieeffizienz: www.infineon.com/green-energy