EconoDUAL™ 3-Module mit TRENCHSTOP™ 1700 V IGBT7 ermöglichen höchste Leistungsdichten

06.05.2022 | Market News

München – 6. Mai 2022 – Die Infineon Technologies AG bringt den neuen TRENCHSTOP™ 1700 V IGBT7-Chip im bewährten Standard-Industriegehäuse EconoDUAL™ 3 auf den Markt. Mit der neuen Chiptechnologie liefert das EconoDUAL 3 einen führenden Nennstrom von 900 A und 750 A, es ermöglicht damit einen verbesserten Leistungsbereich für Wechselrichter. Die Module zielen auf eine breite Palette von Anwendungen ab, wobei der Fokus auf Wind-, Antriebs- sowie SVG-Anwendungen (Static VAR Generator) liegt.

Im Vergleich zu Modulen mit dem bisher verwendeten IGBT4-Chipsatz ermöglicht das FF900R17ME7_B11 mit dem TRENCHSTOP IGBT7-Chip bei gleicher Baugröße einen bis zu 40 Prozent höheren Ausgangsstrom für Wechselrichter. Die neuen
1700 V IGBT7-Module zeichnen sich außerdem durch deutlich geringere statische und dynamische Verluste aus und eignen sich für Anwendungen, bei denen statische Verluste bei Diodenchips überwiegen. Darüber hinaus bietet die neue Chip-Technologie eine verbesserte du/dt-Steuerbarkeit und Diodenweichheit. Auch die durch kosmische Strahlung induzierte FIT-Rate wurde deutlich verbessert – ein wichtiger Parameter bei der Arbeit mit hoher Zwischenkreisspannung. Darüber hinaus weisen die neuen Leistungsmodule eine maximal zulässige Überlast-Sperrschichttemperatur von 175°C auf.

Neben dem 1700 V EconoDUAL 3 mit 900 A wurde auch ein 750-A-Modul mit einer vergrößerten Diode entwickelt, um die Flexibilität des neuen Portfolios weiter zu erhöhen. Insgesamt können die neuen EconoDUAL 3 1700-V-Module mit TRENCHSTOP IGBT 7-Chip die Leistungsdichte des Wechselrichters erhöhen und ein neues Leistungsniveau in einem breiten Spektrum von Anwendungen erreichen.

Verfügbarkeit

Die Modultypen FF900R17ME7_B11, FF750R17ME7D_B11 und FF225R17ME7_B11 können ab sofort bestellt werden. Der Roll-out eines Portfolios mit den Stromklassen von 300 A bis 750 A wird bis Ende 2022 erfolgen. Weitere Informationen sind erhältlich unter www.infineon.com/econodual3.

Hinweis: Am 10. Mai (14.00 Uhr, Konferenzbereich, Raum München 2) hält Aleksei Gurvich, Senior Manager of Product Definition & Application Engineering, im Rahmen der PCIM 2022 einen Vortrag mit zusätzlichen Informationen über die neuen 900 A und 750 A 1700 V EconoDUAL 3-Module mit TRENCHSTOP IGBT7.

Infineon auf der PCIM 2022

Auf der PCIM 2022 präsentiert Infineon innovative Produkt-zu-System-Lösungen für Anwendungen, die die Welt bewegen und die Zukunft gestalten werden. Auf der begleitenden PCIM Conference und dem Industry & E-Mobility Forum halten Vertreter des Unternehmens mehrere Vorträge mit Live- und On-Demand-Videopräsentationen, gefolgt von Diskussionen mit den Referenten. „Experience the difference in power” am Infineon-Stand #412 in Halle 7 (10.-12. Mai 2022, Nürnberg/Deutschland). Informationen zu den PCIM-Show-Highlights sind erhältlich unter www.infineon.com/pcim.

Mehr Informationen zum Beitrag von Infineon im Bereich Energieeffizienz: www.infineon.com/green-energy

Informationsnummer

INFIPC202205-077

Pressefotos

  • Mit der neuen Chiptechnologie TRENCHSTOP™ 1700 V IGBT7 liefert das EconoDUAL 3 von Infineon einen führenden Nennstrom von 900 A und 750 A. Es ermöglicht damit einen verbesserten Leistungsbereich für Wechselrichter. Die neuen Module zeichnen sich außerdem durch deutlich geringere statische und dynamische Verluste aus und eignen sich für Anwendungen, bei denen statische Verluste bei Diodenchips überwiegen. Darüber hinaus bietet die neue Chip-Technologie eine verbesserte du/dt-Steuerbarkeit und Diodenweichheit. Auch die durch kosmische Strahlung induzierte FIT-Rate wurde deutlich verbessert – ein wichtiger Parameter bei der Arbeit mit hoher Zwischenkreisspannung.
    Mit der neuen Chiptechnologie TRENCHSTOP™ 1700 V IGBT7 liefert das EconoDUAL 3 von Infineon einen führenden Nennstrom von 900 A und 750 A. Es ermöglicht damit einen verbesserten Leistungsbereich für Wechselrichter. Die neuen Module zeichnen sich außerdem durch deutlich geringere statische und dynamische Verluste aus und eignen sich für Anwendungen, bei denen statische Verluste bei Diodenchips überwiegen. Darüber hinaus bietet die neue Chip-Technologie eine verbesserte du/dt-Steuerbarkeit und Diodenweichheit. Auch die durch kosmische Strahlung induzierte FIT-Rate wurde deutlich verbessert – ein wichtiger Parameter bei der Arbeit mit hoher Zwischenkreisspannung.
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