ワイドバンドギャップ半導体 (SiC/GaN)

高いエネルギー効率の世界へ向かうのに重要な次のステップへのカギは、電力効率化、小型化、軽量化、コストダウンを可能にするワイドバンドギャップ半導体などの新材料になってきます。現在インフィニオンテクノロジーズは、シリコン（Si）、シリコンカーバイド（SiC）、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（IGBT）、および窒化ガリウム（GaN）デバイスを提供する唯一の企業であり、パワー半導体ビジネスにおいて独自の地位を築いています。

CoolSiC™：高電圧セグメントによる変革

炭化ケイ素（SiC）は、３電子ボルト（eV）の広いバンドギャップ、シリコンに比べはるかに高い熱伝導率を持ちます。 SiCベースのMOSFETは、高周波で動作する高耐圧、高電力アプリケーションに最適です。R_DS(ON)などのデバイスパラメータは、シリコンに比べ温度による変化が少ないため、少ない設計マージンで設計することができ、性能を向上させることができます。実績のある高品質な量産体制により、インフィニオンのCoolSiC™ソリューションは、革新的な技術とベンチマークとなる信頼性を兼ね備えています。 >詳細

EiceDRIVER™：CoolSiC™ MOSFETに最適なゲートドライバーIC

EiceDRIVER™ SiC MOSFETゲートドライバーICは、SiC MOSFET、特にインフィニオンの超高速スイッチングCoolSiC™SiC MOSFETの駆動に最適です。これらのゲートドライバーには、SiCを駆動するのに最も重要な特長とパラメーター（優れた伝搬遅延マッチング、正確な入力フィルター、広い出力側供給範囲、負のゲート電圧駆動機能、アクティブミラークランプ、DESAT保護機能、高い同相過渡除去特性 (CMTI)）を実装しています。>詳細

CoolGaN™：窒化ガリウム（GaN）技術を次のレベルへ

GaNは、SiCよりもはるかに高いバンドギャップ（3.4電子ボルト）に、著しく高い電子移動度を持ちます。絶縁破壊電界強度は、シリコン（Si）の10倍、電子移動度は２倍になります。高周波動作において重要な出力電荷およびゲート電荷はSiの1/10、逆回復電荷はほとんどゼロです。GaNは、新しいトポロジーや電流変調など、新しいアプローチを可能にする最新共振トポロジーに最適な技術です。インフィニオンのGaNソリューションは、市場でもっとも堅牢で高性能なコンセプトである、エンハンスメントモード（eモード）コンセプトに基づいており、高速なターンオンおよびターンオフを実現しています。 CoolGaN™窒化ガリウム製品は、高い性能と堅牢性に重きを置き、サーバ、テレコム、ワイヤレス充電、アダプタ、充電器、オーディオなど、さまざまなアプリケーションの幅広いシステムに大きな付加価値を提供します。 また、CoolGaN™スイッチは、インフィニオンの専用GaN EiceDRIVER™ゲートドライバICを使用すれば、使いやすく設計が簡単になります。 >詳細