High side gate drivers │GaN EiceDRIVER™

概要

高耐圧GaNスイッチ用シングルチャネル絶縁型ゲートドライバIC

CoolGaN™ e-mode HEMTは、インフィニオンのGaN EiceDRIVER™ ICである1EDF5673K, 1EDF5673F, 1EDS5663Hを使用することにより、最適な駆動が行われます.

堅牢で高効率の高電圧GaNスイッチ動作を保証すると同時に, 研究開発の労力を最小限に抑え, 市場投入までの時間を短縮します.

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製品
詳細

GaN EiceDRIVER™ ファミリーを用いた設計の主なメリット

正と負のゲート駆動電流

  • 高速ターンオン/オフGaNスイッチスルーレート

オフ位相中にゲート電圧をゼロに保持

  • GaNスイッチのスプリアスターンオンから保護

  • デッドタイム損失を最大50％低減

広範囲のスイッチング周波数とデューティサイクルにわたり、設定可能で一定したGaNスイッチングスルーレート

  • 堅牢でエネルギー効率に優れたSMPS設計

  • 短期間での市場投入

ガルバニック絶縁内蔵

  • ハードスイッチングアプリケーションでの堅牢な動作

  • 必要に応じて安全な絶縁

主な機能

低抵抗出力:
  ソース: 0.85Ω
  シンク: 0.35Ω

シングルチャンネルガルバニック絶縁:
  機能: VIO= 1500VDC
              VIOWM = 510Vrms (16-pin DSO)
              VIOWM = 460Vrms (LGA 5x5)
  補強: VIOTM = 8000Vpk
              (VDE 0884-10 pending)
              VIOWM = 1420 VDC
  CMTI min: 200V/ns 

タイミング:
  最小出力パルス幅: 18ns
  伝搬遅延精度: 13ns

主なユースケース

  • トーテムポールPFC
  • Vienna整流器
  • マルチレベルトポロジー
  • 共振LLC
ソフトウエア&ツール
ビデオ

Introducing gallium nitride CoolGaN™ e-mode HEMTs

2:10

CoolGaN™ the new power paradigm. Ultimate efficiency and reliability. This is what Infineon’s gallium nitride CoolGaN™ e-mode HEMTs offer to you

Get the know-how of driving gallium nitride CoolGaN™ e-mode HEMTs from an expert!

2:40

Hubert Baierl, Senior Product Marketing, introduces Infineon's dedicated single-channel isolated GaN EiceDRIVER™ family.

Learn more

Driver ICs for GaN HEMTs


1:25

GaN devices have an ultra low turn-on threshold and to properly drive them it is important that there is a negative gate voltage provided when the HEMT is intended to turn-off. In that way, it is fast turned off. Secondly, this gate drivers can hold the gate voltage firmly at zero when the HEMT is intendeded to turned-off. No spurios turn-on of the HEMTs.

サポート