High side GaN gate driver - EiceDRIVER™

概要

高耐圧GaNスイッチ用シングルチャネル絶縁型ゲートドライバIC

CoolGaN™ e-mode HEMTは、インフィニオンのEiceDRIVER™ GaN ICである1EDF5673K, 1EDF5673F, 1EDS5663Hを使用することにより、最適な駆動が行われます.

堅牢で高効率の高電圧GaNスイッチ動作を保証すると同時に, 研究開発の労力を最小限に抑え, 市場投入までの時間を短縮します.

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製品

詳細

EiceDRIVER™ GaN ファミリーを用いた設計の主なメリット

正と負のゲート駆動電流

高速ターンオン/オフGaNスイッチスルーレート

オフ位相中にゲート電圧をゼロに保持

GaNスイッチのスプリアスターンオンから保護
デッドタイム損失を最大50％低減

広範囲のスイッチング周波数とデューティサイクルにわたり、設定可能で一定したGaNスイッチングスルーレート

堅牢でエネルギー効率に優れたSMPS設計
短期間での市場投入

ガルバニック絶縁内蔵

ハードスイッチングアプリケーションでの堅牢な動作
必要に応じて安全な絶縁

主な機能

低抵抗出力:
ソース: 0.85Ω
シンク: 0.35Ω

シングルチャンネルガルバニック絶縁:
機能: V_IO= 1500V_DC              V_IOWM = 510V_rms(16-pin DSO)
              V_IOWM = 460V_rms (LGA 5x5)
  補強: V_IOTM = 8000V_pk
              (VDE 0884-10 pending)
              V_IOWM = 1420 V_DC CMTI min: 200V/ns