ゲートドライバーIC
すべてのスイッチにはドライバが必要： 適切なドライバの使用が変化をもたらします
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全てのサブカテゴリーを閉じる 全てのサブカテゴリーを開くパワーエレクトロニクスにはスイッチテクノロジーが使用されています。また、すべてのパワーデバイスには、最適なゲートドライバ・ソリューションが必要です。そのため、インフィニオンは、絶縁ゲートドライバ、レベルシフトゲートドライバ、非絶縁ローサイドゲートドライバなど、500種類以上のEiceDRIVER™ ゲートドライバソリューションを提供し、幅広いパワー半導体トポロジー、電力変換トポロジーの設計要件に対応しています。
詳細は、製品グループを選択してご覧ください。
EiceDRIVER™ゲートドライバICテクノロジー
インフィニオンおよびインターナショナル・レクティファイアーは、数十年にわたるアプリケーションの専門知識と技術開発により、MOSFET、ディスクリートIGBT、IGBTモジュール、SiC MOSFET、GaN HEMTなどのシリコンおよびワイドバンドギャップパワーデバイス向けのゲートドライバICのポートフォリオを生み出してきました。インフィニオンは、ガルバニック絶縁されたゲートドライバ、車載適合のゲートドライバ、200V、500～700V、1200Vレベルシフトゲートドライバ、非絶縁ローサイドドライバの優れた製品ファミリーを提供しています。
インフィニオンのポートフォリオは、さまざまな構成、電圧クラス、絶縁レベル、保護機能、パッケージオプションにわたっています。最新のディスクリートスイッチファミリーの能力や機能を完全に活用するためには、ゲートドライブ回路のチューニングが必要です。ディスクリートでもパワーモジュールでも、あらゆるパワースイッチには、最適なゲートドライブ構成が不可欠です。
EiceDRIVER™ゲートドライバICのアプリケーション
インフィニオンのEiceDRIVER™ゲートドライバは、内蔵ブートストラップダイオード（BSD）、過電流保護、シャットダウン、障害レポート、イネーブル、入力フィルタ、オペアンプ、非飽和検出、プログラマブルデッドタイム、シュートスルー保護、アクティブミラークランプ、アクティブシャットダウン、シンク出力とソース出力の分離、短絡クランプ、ソフトシャットダウン、2レベルターンオフ、ガルバニック絶縁（機能、基本、強化）などの高度な機能を備えています。
たとえば、車載、産業用モータドライブ、太陽光発電インバータ、EV充電、ロボット、UPS、サーバおよびテレコム用電源、小型および大型家電、バッテリ駆動アプリケーション、高電圧照明などの市場で、多数の最終アプリケーションのための理想的なソリューションがあります。
白書：新しい小型家電市場におけるパワーデバイスの選択
エネルギー効率が高くモダンなデザインに、サッと一拭きできれいになる表面。これらは、デザインエンジニアが小型家電製品に取り入れなければならない特徴の一部です。
インフィニオンは、小型家電における2つの主要な設計領域 -IH(誘導加熱)とモータ制御- に対して、以下の様にソリューションを提供しています。
IH (誘導加熱)： 保護IGBT搭載のTRENCHSTOP™Fシリーズ
モーター制御 ： 高いエネルギー効率を実現した統合型パワーデバイスCIPOS™インテリジェントパワーモジュールおよびiMOTION™統合デザインプラットフォーム
この無料の白書は、刻々と変化する小型家電市場の状況とエレクトロニクスによるソリューションについて説明しています。ぜひお読みください!
推奨ドキュメント
In this webinar, we will visit a selected Gate Driver IC portfolio which shares a common set of strengths.
用途に応じて調整されたインフィニオンのゲートドライバソリューションについて、このビデオでは、ゲートドライバICが、車載、大型家電、産業用モータドライブ、太陽光発電インバータ、UPS、スイッチング電源、高電圧照明など多くのアプリケーションに適している理由を説明します。
インフィニオンのゲートドライバについてご関心をお持ちですか？インフィニオンのゲートドライバ製品のラインナップについて、ぜひビデオをご覧になってください。
市場リーダーによる1200V シリコンオンインシュレータ レベルシフトゲートドライバ。このビデオでは、インフィニオンのSOI製品のメリットを説明します。たとえば、内蔵ブートストラップダイオード、低いレベルシフト損失による省スペースやコスト削減があります。
EiceDRIVER™ 电气隔离栅极驱动器采用独特无芯变压器 (CT) 技术，提供跨电气隔离信号传输。我们提供短路保护、100 kV/μs CMTI、有源米勒箝位、软关断和其他功能，该产品特别适用于驱动 SiC MOSFETs 和 GaN HEMT。
Discover the importance of using fast output clamping for an output-side supply less than UVLO in a fast-switching application.
- EiceDRIVER™ isolated gate driver family use the state-of-the-art coreless transformer (CT) isolation technology
- The CT based isolated gate driver offers higher current, lower power consumption, better CMTI and best in class propagation delay matching
- Perfect for CoolSiC™ SiC MOSFET and IGBT7. VDE 0884-11 & UL 1577. For solar, EV charging, industrial drive, UPS, etc
You will have a glimpse of the different gate driver technologies available at Infineon and their benefits.
For a better understanding we will take a look at the optimization of external gate resistors to drive MOSFETs in a given application.
With this training, you will learn how to calculate a gate resistance value for an IGBT application, how to identify suitable gate driver ICs based on peak current and power dissipation requirements, and how to fine-tune the gate resistance value in laboratory environment based on worst case conditions.
Silicon Carbide MOSFETs bring a lot of opportunities to power electronics. However, how to achieve sufficient system benefits by using Silicon Carbide MOSFETs with suitable gate drivers? This training helps you to learn how to calculate a reference gate resistance value for your Silicon Carbide MOSFET; how to identify suitable gate driving ICs based on peak current and power dissipation requirements; and how to fine-tune the gate resistance value in laboratory environment based on worst case conditions.
Watch our webinar to discover more about technological positioning of silicon versus SiC and GaN power devices for both high and low power applications.
インフィニオンは、シリコンオンインシュレータ（SOI）および接合分離（JI）テクノロジーによる、レベルシフト高電圧ゲートドライバの膨大なポートフォリオを提供しています。インフィニオンのSOIゲートドライバのメリット：内蔵ブートストラップダイオード、低いレベルシフト損失、省スペース、コスト削減、負のVS堅牢性をご確認ください。
