2ED1324S12P アクティブミラークランプ (AMC)、短絡クランプ (SCC) を備えた1200 Vハイサイド/ローサイド ゲートドライバーIC
概要
EiceDRIVER™ 1200 VハーフブリッジゲートドライバーICは、ソース電流2.3 A、シンク電流2.3 Aと相互伝導防止機能を備え、1200 V SiC MOSFETおよびIGBTパワーデバイス用の十分な沿面距離、クリアランス距離DSO-20 (300 mils) パッケージで提供します。2ED1324S12Pは、アクティブミラークランプ (AMC)、短絡クランプ (SCC)、上下同時導通防止機能を備え、十分な沿面距離と空間距離を持つDSO-20パッケージでクラス最高のスイッチング性能を実現します。SOI技術を使用しており、過渡電圧に対する優れた耐久性を備えています。本デバイスには寄生サイリスタ構造がないため、動作温度と電圧範囲にわたり、寄生ラッチアップに対して非常に堅牢な設計となっています。
特長
- インフィニオン独自の1200 V 薄膜SOI (シリコンオンインシュレータ) 技術
- フローティングチャネルによるブートストラップ動作
- 最大ブートストラップ電圧 (VBノード) は+1225 V
- +1200 Vまでの動作電圧 (VSノード)
- 負のVS過渡耐性は70 0nsの繰り返しパルスで100 V
- 2.3 A / 2.3 A ピーク出力ソース/シンク電流能力
- 超高速過電流保護 (OCP) 内臓
- 高精度なリファレンス閾値: ± 5%
- 過電流検出から出力シャットダウンまで1µs未満
- シンク電流容量 2 Aアクティブミラークランプ (AMC) 内蔵
- 短絡クランプ (SCC) 機能内蔵
- 超高速、低抵抗ブートストラップ内蔵
- デッドタイム、上下短絡防止ロジック搭載
- RFEピン (イネーブル、フォルト、プログラマブル フォルトクリア)
- VS端子-8 Vまでロジック動作可能
- 独立した低電圧ロックアウト (UVLO)
- 25 V VCC電源 (最大)
- 独立したロジック電源 (VSS) とGND出力 (COM)
- 5 mm超の沿面距離と空間距離
- 2 kV HBM ESD耐量
利点
- 1200 V 大電流対応 (2.3 A/2.3 A) ブートストラップダイオードを内蔵し、小型フットプリントでBOMコストを削減、よりシンプルな設計でPCB面積を低減し、コストを削減します。
- 1200 VのIGBT/SiCベースのPIM、ディスクリート スイッチ用に設計の柔軟性を備えた最適化されたゲートドライバソリューション。
- 100 Vの負のVSで信頼性、堅牢性アップ
- レベルシフト損失を50％低減し、低温動作と高信頼性を実現
- アクティブミラークランプは、パワーデバイス全体、特に低閾値デバイス (SiCなど) のスイッチング性能を非常に安定させます。
- 短絡クランプは短絡時に電圧の上昇を抑制
- ラッチアップ耐性により信頼性向上
- 高速 / 高精度な過電流保護機能を搭載し、スイッチを保護しながら、ディスクリート構成のオペアンプ部品と比較してスペースとコストを削減
- 低電圧ロックアウト機能により、低電源電圧時の保護が可能
- DSO-20パッケージによる十分な沿面距離とクリアランス
図
トレーニング
サポート
