2ED1322S12M ブートストラップ ダイオードとOCPを内蔵した1200 Vハイサイド/ローサイド ゲートドライバーIC

概要

EiceDRIVER™ 1200 Vハーフブリッジ ゲートドライバーICは、ソース電流2.3 A (Typ.)、シンク電流4.6 A (Typ.) と上下同時導通防止機能を備え、1200 VのSiC MOSFETとIGBTパワーデバイス用にDSO-16 (300 mil) パッケージを採用しています。2ED1322S12Mは、インフィニオンのSOI技術を使用しており、VS端子の負の過渡電圧に対して優れた耐久性とノイズ耐性を備えています。本デバイスには寄生サイリスタ構造がないため、動作温度と電圧範囲にわたって寄生ラッチアップに対して非常に堅牢な設計となっています。

特長

  • フローティングチャネルによるブートストラップ動作
  • 最大ブートストラップ電圧 (VBノード) は+1225 V
  • +1200 Vまでの動作電圧 (VSノード)
  • 負のVS過渡耐性は70 0nsの繰り返しパルスで100 V
  • 2.3 A / 4.6 A ピーク出力ソース/シンク電流能力
  • 超高速過電流保護 (OCP) 内臓
  • 高精度なリファレンス閾値: ± 5%
  • 過電流検出から出力シャットダウンまで1µs未満
  • 超高速、低抵抗ブートストラップ内蔵
  • デッドタイム、上下短絡防止ロジック搭載
  • RFEピン (イネーブル、フォルト、プログラマブル フォルトクリア)
  • VS端子-8 Vまでロジック動作可能
  • 独立した低電圧ロックアウト (UVLO)
  • 25 V　VCC電源 (最大)
  • 独立したロジック電源 (VSS) とGND出力 (COM)
  • 5 mm超の沿面距離と空間距離
  • 2 kV HBM ESD耐量

 

利点

  • 1200 V 大電流対応 (2.3 A/4.6 A) ブートストラップダイオードを内蔵し、小型フットプリントでBOMコストを削減、よりシンプルな設計でPCB面積を低減し、コストを削減します。
  • 1200 VのIGBT/SiCベースのPIM、ディスクリート スイッチ用に設計の柔軟性を備えた最適化されたゲートドライバソリューション。
  • 100 Vの負のVSで信頼性、堅牢性アップ
  • レベルシフト損失を50％低減し、低温動作と高信頼性を実現
  • ラッチアップ耐性により信頼性向上
  • 高速 / 高精度な過電流保護機能を搭載し、スイッチを保護しながら、ディスクリート構成のオペアンプ部品と比較してスペースとコストを削減
  • 低電圧ロックアウト機能により、低電源電圧時の保護が可能
product image for 2ED1322S12M
図
トレーニング

Meet the EiceDRIVER™ 1200 V level-shift gate driver family

Our 1200 V level-shift gate driver family is a high-voltage, level-shift technology that provides unique, measurable, and best-in-class advantages, including an integrated bootstrap-diode and industry best-in-class robustness to protect against negative transient voltage spikes.

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