Diskreter 650 V CoolSiC™ Hybrid für Automotive ermöglicht Leistungsschub für schnell schaltende On-Board-Charger-Anwendungen

München – 5. März 2021 – Die Infineon Technologies AG hat den diskreten 650 V CoolSiC™ Hybrid für Automotive auf den Markt gebracht. Der Baustein enthält einen schnell schaltenden 50 A TRENCHSTOP™ 5 IGBT und eine CoolSiC Schottky Diode, die sowohl eine kosteneffiziente Leistungssteigerung als auch eine hohe Zuverlässigkeit ermöglichen. Diese Kombination bildet ein perfektes Kosten-Leistungs-Verhältnis für hart schaltende Topologien und unterstützt neben dem bidirektionalen Laden auch eine hohe Systemintegrität. Dadurch ist der Baustein hervorragend geeignet für schnell schaltende Automotive-Anwendungen wie On-Board-Ladegeräte (OBC), Blindleistungskorrektur (PFC), DC-DC- und DC-AC-Wandler.

Der integrierte schnell schaltende 50 A IGBT ermöglicht ein MOSFET-ähnliches Abschaltverhalten, das die Leistung von reinen Siliziumlösungen übertrifft. Im Gegensatz zu regulären Siliziumkarbid-MOSFETs erreicht die Plug-and-Play-Lösung einen Systemwirkungsgrad von 95 bis 97 Prozent bei niedrigerem Kostenaufwand. Die Lösung ermöglicht außerdem eine schnelle Markteinführung. Darüber hinaus reduziert die CoolSiC Schottky Diode die Schaltverluste. Im Vergleich zu reinen Silizium-Designs ist der Baustein optimal für harte Schaltungen geeignet, mit der Verluste um etwa 30 Prozent reduziert werden. Durch den geringen Kühlaufwand sorgt die Diode für ein hervorragendes Preis-Leistungs-Verhältnis auf Systemebene.

Shenzhen VMAXPower Co,. Ltd. (VMAX) ist ein führender OBC-Lieferant in China, der sich auf die Entwicklung von Leistungselektronik für die Automobilindustrie konzentriert und Kunden mit hochzuverlässigen OBCs und DC-DC-Wandlern versorgt. VMAX setzt in seinem OBC/DC-DC-System der nächsten Generation den neuesten diskreten CoolSiC Hybrid von Infineon ein.

„Die Partnerschaft mit Infineon ist ein wesentlicher Eckpfeiler unserer Philosophie, kontinuierlich maximalen Wert für unsere Kunden zu schaffen“, sagt Xu Jinzhu, Leiter der Forschung und Entwicklung von VMAX. „Mit dem diskreten CoolSiC Hybrid können wir das Treiberdesign vereinfachen, die Produktentwicklung beschleunigen, die Kosten senken und die Robustheit des Systems erhöhen. Die integrierten Siliziumkarbid-Dioden ohne Reverse Recovery Charge optimieren die EMV-Eigenschaften des Systems. Daraus ergeben sich sowohl größere Leistungsvorteile als auch ein besseres Preis-Leistungs-Verhältnis in Topologien wie Totem-Pole-PFC und DAB.“

„Wir freuen uns sehr über die enge Partnerschaft und die gute Zusammenarbeit mit VMAX. Der diskrete CoolSiC Hybrid für Automotive unterstreicht einmal mehr unsere starke Position im Bereich der On-Board-Charger“, sagt Jürgen Spänkuch, Vice President für Automotive High Power Discretes and Chips bei Infineon.

Verfügbarkeit

Der diskrete CoolSiC™ Hybrid für Automotive ist jetzt verfügbar. Weitere Informationen sind erhältlich unter www.infineon.com/automotive-igbt-discretes.