車載向けの新しい650V CoolSiC™ハイブリッドディスクリートが、高速スイッチングオンボード充電器アプリケーションのパフォーマンスを向上

2021/03/05 | マーケットニュース

2021年3月5日、ミュンヘン(ドイツ)
 
インフィニオン テクノロジーズ(FSE:IFX / OTCQX:IFNNY)は、車載向けに650V CoolSiC™ハイブリッドディスクリートを発売しました。このデバイスには、50A TRENCHSTOP™ 5高速スイッチングIGBTとCoolSiCショットキーダイオードが搭載されており、コストパフォーマンスの向上と高い信頼性を実現します。組み合わせにより、ハードスイッチングトポロジにおいて完璧なコストパフォーマンスのトレードオフを構築し、双方向充電機能の追加など高いシステム整合要件をサポートします。、 オンボード充電器(OBC)、力率改善(PFC)、DC-DC、DC-ACコンバータなどの高速スイッチング車載用アプリケーションに最適です。
 
統合された高速スイッチング50A IGBTは、スイッチングアプリケーションに特化したスイッチング特性で、MOSFETのようなターンオフ動作を可能にします。市場投入までの時間を短縮するプラグ アンド プレイ ソリューションによって、通常のシリコンカーバイドMOSFETとは対照的に、低コストレベルで95~97%のシステム効率を実現します。さらに、CoolSiCショットキーダイオードは、ターンオン損失とリカバリ損失の低減にを実現し、純粋なシリコンダイオードと比較して、ハードコミュテーション時の損失を30%軽減します。ダイオード、熱特性に優れており、システムレベルで優れたコストパフォーマンスのトレードオフを提供します。
 
深?VMAXPower(VMAX)は、車載用パワーエレクトロニクスの開発に注力し、信頼性の高いOBCおよびDC-DCコンバータをお客様に提供する、中国の大手OBCサプライヤーです。VMAXは、次世代のOBC / DC-DCシステムに、インフィニオンの最新のCoolSiCハイブリッドディスクリートを使用しています。
 
VMAXのR&Dディレクター、Xu Jinzhu氏は、次のように述べています。「インフィニオンとのパートナーシップは、お客様に常に最大の価値を提供するという弊社の哲学の重要な基盤となるものです。CoolSiCハイブリッドディスクリートで、ドライバ設計の簡素化、製品開発の迅速化、コストの削減、システムの堅牢性の向上を可能にします。逆回復電流のない統合シリコンカーバイドダイオードは、システムのEMC特性をさらに最適化します。これにより、トーテムポール型PFCやDABなどのトポロジにおいて、パフォーマンス上のメリットが大きくなり、価格性能比が向上します。 」
 
「VMAXとの緊密なパートナーシップと素晴らしい協力体制に非常に満足しています。このプロジェクトは、オンボード充電器アプリケーションにおける当社の強い地位をさらに際立たせるものです。」と、インフィニオンのオートモーティブ ハイパワー ディスクリート&チップス担当バイスプレジデントであるユルゲン スペンクッヒは述べています。
 
供給状況
車載用CoolSiC™ハイブリッドディスクリートは、現在入手可能です。詳細については 、 www.infineon.com/automotive-igbt-discretesをご覧ください。

Information Number

INFATV202103-046j

Press Photos

  • Infineon’s 650 V CoolSiC™ Hybrid Discrete for Automotive contains a 50 A TRENCHSTOP™ 5 fast-switching IGBT and a CoolSiC Schottky diode to enable a cost-efficient performance boost as well as high reliability. In contrast to regular silicon carbide MOSFETs, the plug-and-play solution for a fast time-to-market achieves 95 to 97 percent system efficiency at a lower cost level.
    Infineon’s 650 V CoolSiC™ Hybrid Discrete for Automotive contains a 50 A TRENCHSTOP™ 5 fast-switching IGBT and a CoolSiC Schottky diode to enable a cost-efficient performance boost as well as high reliability. In contrast to regular silicon carbide MOSFETs, the plug-and-play solution for a fast time-to-market achieves 95 to 97 percent system efficiency at a lower cost level.
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