Leistungssteigerung mit zusätzlichen Stromklassen für das TRENCHSTOP™ IGBT7 Easy-Portfolio

27.04.2020 | Market News

München, 27. April 2020 – Die Infineon Technologies AG erweitert die 1200 V TRENCHSTOP™ IGBT7-Module um neue Stromklassen. Damit wird das Easy 1B- und 2B-Portfolio mit neuester Chip-Technologie vervollständigt; es bietet nun Powerlösungen für bis zu 11 kW in PIM- und bis zu 22 kW in Six-Pack-Topologien. Kunden haben damit die Wahl: Sie können entweder die Leistung für das Easy 2B-Modul erhöhen, indem sie die IGBT4- durch IGBT7-Technologie ersetzen. Oder sie können den Platzbedarf bei gleicher Leistung reduzieren, indem sie in einigen Fällen den Easy 2B IGBT4 durch den Easy 1B IGBT7 ersetzen. Wie die anderen bereits eingeführten TRENCHSTOP IGBT7 Easy-Module passen die neuen Stromklassen perfekt zu den Design-Anforderungen von industriellen Antriebsplattformen.

Der TRENCHSTOP IGBT7-Chip bietet im Vergleich zu früheren Generationen eine höhere Leistungsdichte, stark reduzierte Verluste und ein hohes Maß an Steuerbarkeit für Antriebsanwendungen. Alle Module, die mit dieser neuen Chip-Technologie ausgestattet sind, sind rückwärts-kompatibel mit der Pinauslegung der früheren Generation der TRENCHSTOP IGBT4-Module. Dies reduziert den Designzyklus der Umrichterhersteller bei jeder neuen Plattform.

Basierend auf der neuen Mikro-Trenchtechnologie weist der TRENCHSTOP IGBT7-Chip geringere statische Verluste aus als der IGBT4. Die Durchlassspannung wird um 20 Prozent reduziert. Das führt zu einer deutlichen Reduzierung von Verlusten in der Anwendung – insbesondere bei industriellen Antrieben, die in der Regel mit geringeren Schaltfrequenzen arbeiten. Die Leistungsmodule verfügen über eine maximal zulässige Überlast-Sperrschichttemperatur von 175°C. Zusätzlich zeichnen sie sich durch weicheres Schalten aus.

Verfügbarkeit

Das vollständige 1200 V TRENCHSTOP IGBT7 EasyPIM™- und EasyPACK™-Portfolio kann ab sofort bestellt werden. Je nach Kundenbedarf wird dieses ergänzt durch Varianten mit Lötstiften und TIM. Weitere Informationen sind erhältlich unter www.infineon.com/IGBT7.

Informationsnummer

INFIPC202004-051

Pressefotos

  • Basierend auf der neuen Mikro-Trenchtechnologie weist der TRENCHSTOP™ IGBT7-Chip des Easy 1B/2B-Portfolios geringere statische Verluste aus als der IGBT4. Die Durchlassspannung wird um 20 Prozent reduziert. Das führt zu einer deutlichen Reduzierung von Verlusten in der Anwendung – insbesondere bei industriellen Antrieben, die in der Regel mit geringeren Schaltfrequenzen arbeiten.
    Basierend auf der neuen Mikro-Trenchtechnologie weist der TRENCHSTOP™ IGBT7-Chip des Easy 1B/2B-Portfolios geringere statische Verluste aus als der IGBT4. Die Durchlassspannung wird um 20 Prozent reduziert. Das führt zu einer deutlichen Reduzierung von Verlusten in der Anwendung – insbesondere bei industriellen Antrieben, die in der Regel mit geringeren Schaltfrequenzen arbeiten.
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  • Basierend auf der neuen Mikro-Trenchtechnologie weist der TRENCHSTOP™ IGBT7-Chip des Easy 1B/2B-Portfolios geringere statische Verluste aus als der IGBT4. Die Durchlassspannung wird um 20 Prozent reduziert. Das führt zu einer deutlichen Reduzierung von Verlusten in der Anwendung – insbesondere bei industriellen Antrieben, die in der Regel mit geringeren Schaltfrequenzen arbeiten.
    Basierend auf der neuen Mikro-Trenchtechnologie weist der TRENCHSTOP™ IGBT7-Chip des Easy 1B/2B-Portfolios geringere statische Verluste aus als der IGBT4. Die Durchlassspannung wird um 20 Prozent reduziert. Das führt zu einer deutlichen Reduzierung von Verlusten in der Anwendung – insbesondere bei industriellen Antrieben, die in der Regel mit geringeren Schaltfrequenzen arbeiten.
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