1EDN7116U
综述
适用于GaN SG HEMT 和 MOSFET 的 200 V 高边 TDI 栅极驱动器 IC
1EDN7116U 是一款单通道栅极驱动器 IC，旨在驱动英飞凌 CoolGaN™ 肖特基栅极 (SG) HEMT 以及其他 GaN SG HEMT 和 Si MOSFET。该款栅极驱动器具备几大关键特性，包括真差分输入 (TDI)、2 A 峰值拉电流/灌电流、有源米勒箝位以及自举电压箝位，有助于配合快速开关晶体管打造高性能系统。得益于 TDI 功能，只要共模电压低于 150 V（静态）/200 V（动态），栅极驱动器的输出状态就完全由两个输入之间的电压差控制，与驱动器的参考（接地）电位无关。该设计能有效避免因低边应用接地反弹引起的误触发，同时还可助力 1EDN7116U 运用于高边应用。
特征描述
- 全差分逻辑输入电路可避免低边或高边运行时出现误触发
- 共模输入电压范围 (CMR) 高达 ± 200 V，适用于高边运行
- 对共模压摆率 (100 V/ns) 的高抗扰度，可在快速开关瞬态期间实现稳健运行
- 兼容 3.3 V 或 5 V 逻辑输入
- 2 A 拉电流/灌电流能力
- 有源米勒箝位具备 5 A 灌电流能力，可防止感应导通
- 有源自举箝位
- 适于驱动 GaN HEMT 或 Si MOSFET
- 符合目标应用 JEDEC 标准
优势
- 可防止快速开关转换期间出现高边驱动和低边接地反弹
- 采用 1EDN71x6x 系列驱动器，无需外部栅极电阻即可优化开关速度
- 防止快速开关转换期间出现感应导通
- 通过消除死区时间内自举电容的过度充电现象输出稳定自举电压
潜在应用
支持
