栅极驱动器IC-驱动芯片-英飞凌(Infineon)官网 EiceDRIVER™ 栅极驱动器，用于驱动MOSFETs，IGBTs，碳化硅MOSFET， 以及氮化镓HEMT
栅极驱动器IC-驱动芯片-英飞凌(Infineon)官网 子类别
折叠所有子类别 展开所有子类别每个功率器件都需要一个驱动芯片——合适的驱动芯片让您事半功倍。电力电子应用是基于功率器件技术。而所有功率器件都需要合适的栅极驱动器解决方案。因此，我们提供500多种 EiceDRIVER™ 栅极驱动器，适用于任何功率器件，和任何终端应用。
EiceDRIVER™ 栅极驱动器提供从0.1 A到10 A的一系列的典型输出电流选项。具有全面的保护功能，包括快速短路保护（DESAT），有源米勒钳位，直通短路保护，故障报告，关断，过流保护。使得这些驱动适用于包括CoolGaN™和 CoolSiC™在内的所有功率器件。下载全新的栅极驱动选型指南
Infineon now features the EiceDRIVER™ Power 2EP1xxR family, a full-bridge transformer driver IC housed in a compact TSSOP8 pin package that provides a simple power-supply alternative to generate an asymmetric output voltage to supply isolated gate drivers. The IC features a unique duty-cycle adjustment capability, integrated temperature, short-circuit, and UVLO protections, and frequency adjustment options, all of which contribute to highly efficient, customizable, and flexible design possibilities aimed at reducing system costs and enhancing reliability. Designed to optimally supply gate drivers for various switches, it supports TRENCHSTOP™ IGBTs, OptiMOS™ MOSFETs, CoolMOS™ superjunction MOSFETs, CoolGaN™ high electron mobility transistors, and CoolSiC™ MOSFETs, working seamlessly with EiceDRIVER™ gate driver ICs and other similar products.
每个开关管都需要一个驱动器——合适的驱动器产生的效果会不同
电力电子应用采用的功率器件开关需要优异的栅极驱动解决方案。英飞凌提供 500 多种 EiceDRIVER™ 栅极驱动器 IC 解决方案，适用于任何应用中的任何功率开关。
EiceDRIVER™ 栅极驱动器提供多种输出电流选择，从 0.1 A 到 18 A 不等。强大的栅极驱动保护功能，如快速短路保护（DESAT）、有源米勒钳位和击穿保护，以及故障、关断和过流保护，使这些驱动器 IC 非常适合硅和宽带隙功率器件，包括 CoolGaN™ 和 CoolSiC™。
立即下载《栅极驱动器选型指南》。
EiceDRIVER™栅极驱动器IC技术
英飞凌和国际整流器公司凭借数十年的应用专长和技术开发，推出了一系列栅极驱动器集成电路，可用于硅和宽带隙功率器件，如 MOSFET、分立式 IGBT、IGBT 模块、SiC MOSFET 和 GaN HEMT。英飞凌提供的优秀产品系列包括电隔离栅极驱动器、汽车级栅极驱动器、200 V、500-700 V、1200 V 电平转换栅极驱动器以及非隔离低端驱动器。
该产品组合涵盖各种配置、电压等级、隔离级别、保护功能和封装选项。先进的分立开关系列需要调整栅极驱动电路，以充分利用其容量和功能。无论是分立式还是电源模块中的电源开关，优异的栅极驱动配置都是必不可少的。
查找适合您应用的 EiceDRIVER™ 栅极驱动器 IC。
EiceDRIVER™栅极驱动器IC的特点和应用
EiceDRIVER™ 栅极驱动器具有集成自举二极管（BSD）、过流保护、关断、故障报告、使能、输入滤波器、OPAMP、DESAT、可编程死区时间、击穿保护、有源米勒箝位、有源关断、独立灌电流和源电流输出、短路箝位、软关断、两级关断、压摆率控制、电隔离（功能、基本和增强）等高级功能。
汽车、工业电机驱动、太阳能逆变器、电动车充电站、储能、机器人、UPS、服务器和电信电源、各类大小家电、电池驱动应用、高压照明等数百种终端应用，都有理想的解决方案可供选择。
在这次网络研讨会中，我们将探讨精选的栅极驱动芯片产品组合，它们具有一些共同的优点。
英飞凌定制栅极驱动器解决方案介绍视频解释了为什么栅极驱动器 IC 适用于多种应用，比如汽车、主要的家用电器、工业电机驱动装置、光伏逆变器、不间断电源 (UPS)、开关电源和高压照明。
您是否想了解更多关于英飞凌栅极驱动器的信息？请观看我们的介绍视频，熟悉我们的产品组合。
市场领先的 1200 V 绝缘体硅片电平转换栅极驱动器。本视频展示了英飞凌 SOI 产品优势。例如集成自举二极管、低电平转换损耗、节约空间和成本。
EiceDRIVER™ 电气隔离栅极驱动器采用独特无芯变压器 (CT) 技术，提供跨电气隔离信号传输。我们提供短路保护、100 kV/μs CMTI、有源米勒箝位、软关断和其他功能，该产品特别适用于驱动 SiC MOSFETs 和 GaN HEMT。
PCIM2021深圳英飞凌展出了基于磁隔离技术和SOI技术系列驱动IC新产品，并展示了为客户各类应用设计的评估板和参考设计
When we are designing a switching mode power supply, PCB layout is always an important topic. Solving interference problems by slowing down the switching speed of power devices is no longer a solution. Join us to see how to optimize PCB layouts.
Every switch needs a driver, and the right driver makes a difference.
Infineon offers different isoalted gate driver families, such as the EiceDRIVER™ Compact and the EiceDRIVER™ Enhanced. Each family has different features to protect the switch and application.
The EiceDRIVER™ isolated gate driver offers advanced features such as reinforced isolation, Miller clamp, slew rate control and short circuit protection to protect the switch and application. It also enables condition monitoring and rapid prototyping.
The EiceDRIVER™ is the perfect fit for industrial application, particular in combination with Infineon CoolSiC™ and IGBT switches.
Our 1200 V level-shift gate driver family is a high-voltage, level-shift technology that provides unique, measurable, and best-in-class advantages, including an integrated bootstrap-diode and industry best-in-class robustness to protect against negative transient voltage spikes.
Gate drivers are key components to enable applications, such as EV charging, Solar or Energy Storage Systems. But why are gate drivers so important? Stay tuned!
- 大致了解燃料电池系统及子系统的发展驱动力、市场和技术细节
- 重点介绍英飞凌作为适用产品的一站式供应商，提供了从产品到系统的解决方案
了解在高速开关应用中使用快速输出钳位电路对于输出侧电源低于UVLO检测电压时的重要性。
通过这次培训，您将学习如何计算IGBT应用的栅极电阻值，如何根据峰值电流和耗散功率要求来确定合适的栅极驱动芯片，以及如何在实验室中，根据实际应用环境的最坏情况对栅极电阻值进行微调优化。
碳化硅MOSFET为电力电子应用带来了大量机会。然而，如何通过使用碳化硅MOSFET并搭配合适的栅极驱动芯片来充分实现系统优势呢？这次培训将帮助您学习如何计算碳化硅MOSFET的栅极电阻参考值；如何根据峰值电流和耗散功率要求来确定合适的栅极驱动IC；以及如何在实验室环境中根据最坏条件微调栅极电阻值。
This training will give you some hints on how to select the right gate driver, the requirements of industrial drives, our offering and the dimensioning of the gate driver circuit.
- EiceDRIVER™隔离式栅极驱动芯片系列采用最先进的无芯变压器 (CT) 隔离技术
- 基于CT的隔离式栅极驱动芯片具备更大电流、更低功耗、更好的CMTI和同类产品中最出色的传播延迟匹配
- 非常适合CoolSiC™ SiC MOSFET和IGBT7。通过VDE 0884-11 & UL 1577认证。适用于太阳能应用、电动汽车充电应用、工业驱动系统和UPS等
观看我们的网络研讨会，进一步了解在大功率应用和低功率应用中，硅、碳化硅和氮化镓功率器件不同的技术定位。
我们提供多种多样的电平移位高压栅极驱动产品组合，包括绝缘体上硅 (SOI) 和结隔离 (JI) 技术。了解英飞凌SOI栅极驱动芯片的诸多优势：具备集成自举二极管、电平移位损耗低、节省空间和成本以及负VS稳健性。
