FF5MR20KM1H
概要
2000 V/5.2 mΩ CoolSiC™ MOSFET M1Hチップ技術を定評ある62 mmパッケージに搭載したハーフブリッジモジュール。熱伝導材料 (TIM) 事前塗布製品もあります。
特長
- 高い電力密度
- 低スイッチング損失
- ゲート酸化膜の高い信頼性
- 堅牢なボディダイオードを内蔵
- 宇宙線に対する高い堅牢性
- 高速スイッチングモジュール
- 上段と下段のスイッチが同じ動作をするような対称的なモジュール設計
- 標準的な製造技術
利点
- 冷却の手間を最小限に
- 容積とサイズの削減
- システムコストの削減
- 高いチップ性能
図
サポート
