インフィニオン、OptiMOS™ 6 100 Vにより、テクノロジーを大幅に改善し、高スイッチング周波数アプリケーションの新しい業界標準を打ち立てる

2021/11/22 | マーケットニュース

2021年11月15日、ミュンヘン (ドイツ)

最新のスイッチング電源（SMPS）やバッテリー駆動のアプリケーションでは、高効率化と信頼性の向上といった要求が顕著になっています。この傾向をサポートするため、インフィニオン テクノロジーズAG（FSE：IFX / OTCQX：IFNY）は、新しいパワーMOSFET技術を搭載したOptiMOS™ 6 100 Vを発表しました。この新技術は、電荷（スイッチング）やオン状態の抵抗（導通）に伴う損失が発生する、 通信インフラや ソーラーエネルギーシステム向けソリューションなどの高スイッチング周波数のアプリケーションに特に最適化されています。
同時に、クラス最高のRDS(on)と広い安全動作領域(SOA)により、 バッテリー駆動アプリケーション(BPA)や バッテリーマネジメントシステム(BMS)にも最適です。

新しい設計コンセプトを採用したOptiMOS™ 6 100VファミリーのMOSFETは、RDS(on)が改善され、業界最高のFOM(figure of merit)を実現しています。この製品は、非常に低いオン抵抗と優れたスイッチング性能の利点を兼ね備えています。OptiMOS™ 6のユニークな特長は、熱設計を容易にし、並列化を減らすことで、優れた効率性、電力密度の向上、システムコストの削減、寿命の延長を可能にします。

特にテレコム市場においてOptiMOS™ 6は、最先端の OptiMOS™ 5と比較して、RDS(on)を18%低減し、FOM(RDS(on)×QgおよびQgd)を30%以上改善し「ゲームチェンジャー」となります。600W、-(36-60)V～12VのZVS降圧型コンバータにおいて、 SuperSO8パッケージのOptiMOS™ 6（2.2mΩ）は、全負荷範囲でOptiMOS™ 5 BSC027N10NS5 （2.7mΩ）よりも1パーセント高い効率を達成することができます。この結果、電荷とRDS(on)の改善により、電力損失が7W減少し、最大15%の電力密度の向上が可能になります。
主な利点としては、100Vシリーズの新技術により、伝導損失とスイッチング損失の低減が可能となり、部品の並列化の必要性を最小限に抑えることができます。

OptiMOS™ 6 100 Vは、より環境に優しい世界に貢献するエネルギー効率の高いソリューションです。テレコム電源システムの枠組みの中で、新しいMOSFET技術に切り替えることにより、年間の節電効果は170世帯分の電力消費量に相当します。（＊1）
 このデバイスは、10年間で100万ユーロのエネルギー消費量削減に貢献できます。

（＊1）EUにおける家庭の年間平均エネルギー消費量を考慮した値。公称ライン電圧における600Wの36～75V/12Vテレコム用中間バスコンバーターの一次側でOptiMOS™ 5をOptiMOS™ 6に置き換えた際に得られた効率に基づく数値。Eurostatが発表した企業向けの電力価格とその傾向を仮定し、人口約8,000万人のEUにおける、通信電力システム内のBBU機器の標準的な平均DC電力消費量に従って計算されています。


供給体制について
OptiMOS™ 6 100Vは現在、SuperSO8 5x6およびPQFN 3.3x3.3パッケージで提供されており、業界最高クラスのものから価格と性能が最適化されたものまで、幅広いRDS(on)クラスが用意されています。詳しい情報は、 OptiMOS™ 6 100Vをご覧ください。

インフィニオンのエネルギー効率への貢献については www.infineon.com/green-energy/jp をご覧ください。

Information Number

INFPSS202111-018j

Press Photos

  • Taking advantage of a novel design concept, Infineon’s OptiMOS™ 6 100 V family of MOSFETs comes with improved RDS(on) and industry’s best figures-of-merit (FOMs). It combines the benefits of exceptionally low on-state resistance and superior switching performances. The unique features of OptiMOS 6 allow for easier thermal design and less paralleling, leading to excellent efficiency, improved power density, system cost reduction, and prolonged lifetime.
    Taking advantage of a novel design concept, Infineon’s OptiMOS™ 6 100 V family of MOSFETs comes with improved RDS(on) and industry’s best figures-of-merit (FOMs). It combines the benefits of exceptionally low on-state resistance and superior switching performances. The unique features of OptiMOS 6 allow for easier thermal design and less paralleling, leading to excellent efficiency, improved power density, system cost reduction, and prolonged lifetime.
    OptiMOS_6_PQFN-3_3x3

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  • Taking advantage of a novel design concept, Infineon’s OptiMOS™ 6 100 V family of MOSFETs comes with improved RDS(on) and industry’s best figures-of-merit (FOMs). It combines the benefits of exceptionally low on-state resistance and superior switching performances. The unique features of OptiMOS 6 allow for easier thermal design and less paralleling, leading to excellent efficiency, improved power density, system cost reduction, and prolonged lifetime.
    Taking advantage of a novel design concept, Infineon’s OptiMOS™ 6 100 V family of MOSFETs comes with improved RDS(on) and industry’s best figures-of-merit (FOMs). It combines the benefits of exceptionally low on-state resistance and superior switching performances. The unique features of OptiMOS 6 allow for easier thermal design and less paralleling, leading to excellent efficiency, improved power density, system cost reduction, and prolonged lifetime.
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