IRF9910 Überblick 20V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package Vorteile RoHS Compliant Low RDS(ON) at 4.5V VGS Very Low Gate Charge Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Dual N-Channel MOSFET Ihr Browser kann leider keine eingebetteten Frames anzeigen: Sie können die eingebettete Seite hieraufrufen. Parameter Dokumente Bestellung Boards Tools & Software Simulation Videos Partners Trainings Packaging Qualität Support Kontakt