Diskrete Automotive-IGBTs
Produktportfolio mit vollständiger Automotive-Qualifizierung für Motoren und Generatoren in den verschiedensten Leistungsklassen
Das Angebot von Infineon umfasst eine umfangreiche Palette von AEC-Q101-qualifizierten IGBTs speziell für die Automobilindustrie, die den Bereich von 600 V bis 1200 V und bis zu 160 A abdecken. IGBT und Diode wurden exklusiv für Hybrid- und Elektrofahrzeuge entwickelt und so optimiert, dass sie maximale Leistung für Anwendungen mit sehr niedrigen bis ultrahohen Schaltfrequenzen bieten. Mit der Vielzahl von Gehäusen, in denen diese IGBTs erhältlich sind – von den Modellen D2 PAK und TO-247 bis hin zu Hochleistungsgehäusen wie dem Super-TO-220 und dem Super-TO-247 – stehen geeignete Gehäuselösungen zur Verfügung, um höhere Ströme zu schalten oder Anforderungen an Kriechstromfestigkeit zu erfüllen sowie Leistungen auf Benchmark-Niveau zu realisieren.
Die Maßstäbe setzende EDT2-IGBT-Technologie mit Sperrspannungen bis 750 V verbessert die Energieeffizienz von Automobilanwendungen mit Zwischenkreisspannungen bis zu 470 V ganz erheblich, da sie für eine deutliche Verringerung von Schalt- und Leitungsverlusten sorgt. In Verbindung mit der exzellenten Qualität der Produkte von Infineon lässt sich auf diese Weise die Leistungsfähigkeit und Zuverlässigkeit von Wechselrichtersystemen beträchtlich steigern.
Die EDT2-Technologie zeichnet sich durch eine extrem enge Parameterverteilung und einen positiven Temperaturkoeffizienten aus. Auf diese Weise lassen sich die IGBTs problemlos parallel schalten, was für die Designs Systemflexibilität und Skalierbarkeit der Leistung bedeutet.
IGBTs mit EDT2-Technologie unterstützen im Vergleich zu konventionellen IGBT3-Produkten sowohl eine höhere Sperrspannung als auch eine um 20 % niedrigere Sättigungsspannung. Durch Optimierung der Zellenstruktur lassen sich auch Schaltvorgänge mit hohen Gradienten ausführen. Darüber hinaus verhindert das robuste Design Durchbrüche und sorgt für ausreichenden Kurzschlussschutz.
| Hauptmerkmale: | Vorteile | Anwendungen |
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Die brandneue IGBT-Technologie TRENCHSTOP™ 5 AUTO von Infineon definiert durch einen unübertroffenen Wirkungsgrad bei hart schaltenden Anwendungen das Prädikat „Best-in-Class“ für IGBTs völlig neu. Es stellt in der Welt der IGBTs eine Revolution dar, bereits heute einen Wirkungsgrad liefern zu können, der den höchsten Marktanforderungen von morgen gerecht wird. Wenn also maximaler Wirkungsgrad, niedrigere Systemkosten und erhöhte Zuverlässigkeit gefragt sind, ist TRENCHSTOP™ 5 die Technologie der Wahl, die als zusätzlichen Vorteil noch eine spürbare Verringerung der Schalt- und Leitungsverluste bietet.
IGBTs mit TRENCHSTOP™ 5 AUTO sind in zwei Versionen erhältlich: H5 (hohe Schaltgeschwindigkeit) und F5 (maximaler Wirkungsgrad):
| Hauptmerkmale: | Vorteile | Anwendungen |
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Die Kombination aus IGBT und emittergesteuerter Diode mit weicher Abschaltcharakteristik minimiert die Einschaltverluste weiter. Der höchste Wirkungsgrad wird durch einen optimalen Ausgleich von Schalt- und Leitungsverlusten erreicht.
| Hauptmerkmale: | Vorteile | Anwendungen |
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Die IGBT-Technologie RC-Drives wurde von Infineon als kostenoptimierte Lösung entwickelt, die aufgrund der monolithisch integrierten Diode Vorteile durch einen geringeren Platzbedarf bietet. Darüber hinaus ist die Technologie äußerst leistungsfähig, was selbst bei einer maximalen Sperrschichttemperatur von 175 °C ein reibungsloses Schaltverhalten und niedrige EMV-Störpegel ermöglicht.
| Hauptmerkmale: | Vorteile | Anwendungen für RC-DA-IGBTs < 8kHz | Anwendungen für RC-DFA-IGBTs > 5kHz |
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TRENCHSTOP™ 5 AUTO
Infineon’s brand new TRENCHSTOP™ 5 AUTO IGBT technology redefines “Best-in-Class” IGBT by providing unmatched performance in terms of efficiency for hard switching applications. It is a revolution in the IGBT world to match the market’s highest efficiency demand of tomorrow, means when highest efficiency, lower system cost and increased reliability is required, TRENCHSTOP™ 5 is the only option. It provides drastic reduction in switching and conduction losses.
The TRENCHSTOP™ 5 AUTO is available in two versions - H5 (high speed) and F5 (highest efficiency)
| Key Features | Benefits | Applications |
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Reverse Conducting Drives and Drives Fast
RC-Drives IGBT technology has been developed by Infineon as a cost optimized solution by offering space saving advantages due to monolithically integrated diode. Furthermore the technology provides outstanding performance for smooth switching behavior and low EMI levels even at the maximum junction temperature of 175°C.
| Key Features | Benefits | Applications RC-DA < 8kHz | Applications RC-DFA > 5kHz |
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TRENCHSTOP™ 60TA
Combination of IGBT with soft recovery Emitter Controlled-Diode further minimizes the turn-on losses. The highest efficiency is reached due to the best compromise between switching and conduction losses.
| Key Features | Benefits | Applications |
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