Netzteile und Ladegeräte
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Bedarfsgerechte Ladeoptionen:
USB-C-Ladegeräte und -Netzteile
Infineon bietet ein umfangreiches Portfolio an Halbleitern und Referenzdesigns für USB-PD-Ladeoptionen – von Leistungsschaltern auf Silizium- und GaN-Basis bis hin zu Leistungs- und USB-C-Controllern. Zu den Anwendungen für USB-PD gehören Ladegeräte für Smartphones und Tablets, Laptop-Netzteile sowie weitere Ladevorrichtungen für tragbare elektronische Geräte.
Drahtloses Laden
Sie haben die Auswahl aus einem umfangreichen Angebot an Halbleitern, die mittels induktiver oder resonanter Ladetechnologien für sichere Ladevorgänge mit hohem Wirkungsgrad sorgen. Unsere Lösungen unterstützen Anwendungen in den unterschiedlichsten Leistungsbereichen von wenigen Watt bis zu mehreren Kilowatt.
Laden im Automotive-Bereich mit USB-C
Effiziente und zuverlässige Fahrzeug-PD-Module für Head-Units von Infotainment-Systemen und Rear-Seat-Entertainment sowie induktive Drahtlos-Ladelösungen für das Laden von Smartphones im Fahrzeug.
Akkuladegeräte
Entwickeln Sie Ladegeräte für Lithium-Ionen-Akkus mit den branchenweit führenden Produkten von Infineon in den Bereichen Hochspannungsschalter, (CoolMOS™), Klein- und Mittelspannungsschalter (OptiMOS™) sowie Leistungsregler. Mit unseren Lösungen lassen sich unterschiedliche Topologien und Leistungsklassen bis 300 W realisieren.
USB Power Delivery (USB-PD) ist ein universeller Standard für das Laden bzw. die Stromversorgung von beliebigen Geräten über einen USB-C-Anschluss. Hierzu gehören auch Geräte, die eine höhere Leistung benötigen, wie Festplatten, Drucker, Laptops und Smartphones mit großer Akkukapazität. Mit USB-PD-Ladevorrichtungen und -Netzteilen lassen sich die unterschiedlichsten Geräte laden bzw. mit Strom versorgen, da diese Technologie in der Lage ist, exakt die geforderte Leistung zu liefern. Stromquelle und -senke kommunizieren über das USB-PD-Protokoll, und die Stromsenke legt fest, wie viel Leistung benötigt wird. Ladespannung und -strom werden dann von der Stromquelle, dem USB-PD-Ladegerät oder -Netzteil entsprechend angepasst.
Die Technologie CoolGaN™ von Infineon definiert einen neuen Standard für Leistungstransistoren. In CoolGaN™-Produkten werden Transistoren auf der Basis von Galliumnitrid (GaN) anstelle von Silizium verbaut. Da deren kritische elektrische Felder höher sind, bieten sie im Vergleich zu Silizium-MOSFETs eine hervorragende spezifische Dynamik beim Durchlasswiderstand und benötigen einen geringeren Blindwiderstand (Kondensator-Kapazitanz). Dadurch sind GaN-HEMT-Transistoren die Bausteine der Wahl für Anwendungen, bei denen Hochgeschwindigkeits-Schaltvorgänge benötigt werden. Galliumnitrid-Transistoren können mit niedrigeren Totzeiten betrieben werden. Dadurch weisen sie einen höheren Wirkungsgrad und verbesserte thermische Eigenschaften auf. Hohe Schaltfrequenzen ermöglichen einen Betrieb mit kompakteren passiven Komponenten, was wiederum die Gesamtleistungsdichte erhöht. Mit GaN lassen sich somit kleinere und leichtere Ladegeräte und Netzteile konstruieren.
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