Infineon präsentiert 80-V-MOSFET OptiMOS™ 7 mit branchenweit niedrigstem Einschaltwiderstand für Automotive-Anwendungen

27.03.2024 | Market News

München, 27. März 2024 – Die Infineon Technologies AG bringt das erste Produkt seiner neuen fortschrittlichen Leistungs-MOSFET-Technologie OptiMOS™ 7 80 V auf den Markt: Der IAUCN08S7N013 zeichnet sich durch eine deutlich erhöhte Leistungsdichte aus und ist im vielseitigen, robusten und hochstromfähigen SSO8 5 x 6 mm² SMD-Gehäuse erhältlich. Der OptiMOS™ 7 80 V eignet sich perfekt für die kommenden 48-V-Bordnetz-Anwendungen. Er wurde speziell entwickelt, um die hohe Leistung, Qualität und Robustheit zu erzielen, die für anspruchsvolle Automotive-Anwendungen notwendig sind, darunter DC-DC-Wandler in Elektrofahrzeugen, 48-V-Motorsteuerung, beispielsweise für elektrische Servolenkung (EPS), 48-V-Batterieschalter sowie elektrische Zwei-und Dreiräder.

Im Vergleich zur Vorgängergeneration wurde der Einschaltwiderstand (R DS(on)) des Infineon IAUCN08S7N013 um mehr als 50 Prozent reduziert und ist nun mit maximal 1,3 mΩ der beste R DS(on) in der Branche. Anwenderinnen und Anwender profitieren von minimierten Leitungsverlusten, überlegener Schaltleistung und höchster Leistungsdichte in einem 5 x 6 mm² großen Gehäuse. Darüber hinaus zeichnet sich der IAUCN08S7N013 durch einen geringen Gehäusewiderstand, eine geringe Induktivität sowie eine hohe Lawinenstromfestigkeit aus. Der MOSFET verfügt über eine erweiterte Qualifikation für Automotive-Anwendungen, die über AEC-Q101 hinausgeht.

Verfügbarkeit

Der IAUCN08S7N013 befindet sich in der Serienproduktion und ist ab sofort verfügbar. Weitere Informationen sind erhältlich unter www.infineon.com/iaucn08s7n013/.

Infineon auf der Embedded World

Die Embedded World findet vom 9. bis 11. April 2024 in Nürnberg statt. Infineon wird seine Produkte und Lösungen für die Dekarbonisierung und Digitalisierung in Halle 4A, Stand 138 sowie virtuell präsentieren. Vertreterinnen und Vertreter des Unternehmens halten außerdem mehrere TechTalks sowie Vorträge auf der begleitenden Embedded World Conference – im Anschluss stehen die Referierenden für Diskussionen zur Verfügung. Interessierte, die mit Fachleuten sprechen möchten, können unter media.relations@infineon.com einen Termin ausmachen. Industrieanalystinnen und -analysten können sich per E-Mail MarketResearch.Relations@infineon.com wenden. Informationen über die Highlights der Embedded World Messe sind erhältlich unter www.infineon.com/embedded-world.

Über Infineon

Die Infineon Technologies AG ist ein weltweit führender Anbieter von Halbleiterlösungen für Power-Systems und das Internet der Dinge (IoT). Mit seinen Produkten und Lösungen treibt Infineon die Dekarbonisierung und Digitalisierung voran. Das Unternehmen hat weltweit rund 58.600 Beschäftigte und erzielte im Geschäftsjahr 2023 (Ende September) einen Umsatz von rund 16,3 Milliarden Euro. Infineon ist in Frankfurt unter dem Symbol „IFX“ und in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International unter dem Symbol „IFNNY“ notiert.

Weitere Informationen erhalten Sie unter www.infineon.com

Diese Presseinformation finden Sie online unter www.infineon.com/presse

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Informationsnummer

INFATV202403-084

Pressefotos

  • Infineon hat den neuen OptiMOS™ 7 80 V vorgestellt, eine verbesserte Leistungs-MOSFET-Technologie mit erhöhter Leistungsdichte, die in einem vielseitigen SSO8 5 x 6 mm² SMD-Gehäuse erhältlich ist. Sie eignet sich ideal für 48-V-Boardnet-Anwendungen in anspruchsvollen Automobilsystemen wie Elektrofahrzeugen, elektrischen Servolenkungen und Batterieschaltern
    Infineon hat den neuen OptiMOS™ 7 80 V vorgestellt, eine verbesserte Leistungs-MOSFET-Technologie mit erhöhter Leistungsdichte, die in einem vielseitigen SSO8 5 x 6 mm² SMD-Gehäuse erhältlich ist. Sie eignet sich ideal für 48-V-Boardnet-Anwendungen in anspruchsvollen Automobilsystemen wie Elektrofahrzeugen, elektrischen Servolenkungen und Batterieschaltern
    TDSON-Automotive-OptiMOS7

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