CoolSiC™混合单管

以肖特基势垒二极管作为反并联二极管，与IGBT相组合，可拓展 IGBT 的能力，同时大幅降低导通损耗（Eon）和总开关损耗。续流的 SiC 肖特基势垒二极管可大幅降低开关损耗，同时dv/dt和di/dt值几乎不变。

快速、轻松、即插即用地替换650 V TRENCHSTOP™5 IGBT设计，使得可将每10 kHz 开关频率的效率提高0.1%，这意味着如果某个应用的开关速度是 23 kHz，其效率即可提高大约 0.23%。使用4引开尔文-发射极封装的CoolSiC™混合单管，还可进一步降低开关损耗，从而实现更大幅度的效率提升。

650 V CoolSiC™混合单管结合了一流的650 V TRENCHSTOP™5 IGBT技术与单极结构的CoolSiC™肖特基势垒二极管的主要优点：

具有开尔文发射极的 TO-247 4 引脚封装能够实现更快的换向，从而改善 IGBT 的开关行为。与标准 TO-247 相比，动态损耗降低了 20%，从而提高整个系统的效率，使 IGBT 能够在较低的温度下工作。

IGBT 的开关速度越快，TO-247 4 引脚带来的好处就越多。