Infineon sorgt mit neuer 40V P-Kanal OptiMOS™ P2-Familie für bessere Energieeffizienz und Kosteneinsparungen bei elektronischer Servolenkung, Kleinmotoren und elektrischen Pumpen im Auto

05.09.2011 | Fachpresse

Neubiberg, 5. September 2011 – Infineon Technologies festigt mit der Einführung der neuen 40V P-Kanal-MOSFETs in leistungsfähiger Trench-Technologie seine führende Position bei Leistungshalbleitern für Fahrzeuge. Die neuen 40V OptiMOS™ P2-Produkte unterstützen die nächste Generation von Automobilelektronik-Anwendungen dabei, die Energieeffizienz zu verbessern, den CO2-Ausstoß zu senken und die Kosten einzusparen.

Die umfangreiche Familie mit mehr als 30 Derivaten in unterschiedlichen Gehäusen bietet den industrieweit geringsten Durchlasswiderstand R DS(on) bei P-Kanal-MOSFETs in ihrer jeweiligen Spannungsklasse und liefert Ströme von 50 A bis zu 180 A. Als High-Side-Schalter in Brückenanwendungen im Automobil erfordern die neuen P-Kanal-MOSFETs keine zusätzlichen Ladungspumpen, was Kosten einsparen hilft und die elektromagnetische Verträglichkeit (EMV) verbessert. Verglichen mit N-Kanal-MOSFETs haben P-Kanal-MOSFETs besseres thermisches Verhalten und besseres Avalanche-Verhalten. Sie eignen sich für Verpolungsschutz, für Anwendungen mit Impulsbreitenmodulation (PWM) wie elektronisch geregelte Servolenkungen, für 3-Phasen- und H-Brücken-Motoren wie elektrische Handbremse und Scheibenwischer, für Lüftersteuerungen in der Klimaanlage und für elektrisch angetriebene Pumpen wie die Wasser-, Öl oder Benzinpumpe.

Aufgrund ihrer Kosten- und Effizienzvorteile gibt es einen klaren Trend hin zu Trench-Konzepten. Die OptiMOS P2-Bausteine nutzen Infineons zweite Generation der leistungsfähigen Trench-Technologie und bieten eine geringe Gate-Ladung (Q g), geringe Kapazität, niedrige Schaltverluste, hohe Ströme und exzellente FoM (Figure of Merit, R DS(on) x Q g)-Werte. Mit diesen Spezifikationen machen sie Elektromotoren bei sehr geringer elektromagnetischer Abstrahlung äußerst effizient. Mit dem industrieweit geringsten R DS (on) von nur 2,4 mΩ (bei 10 V in einem D²PAK-Gehäuse) wird ein Durchlasswiderstand erreicht, der im Vergleich zu bisherigen MOSFETs im entsprechenden Gehäuse um etwa ein Drittel geringer ist.

Mit den neuen 40V P-Kanal-Bausteinen erweitert Infineon sein Produktportfolio speziell für alle Arten von Motorsteuerungen mit Brücken-Konfigurationen im Auto. Derartige Brücken-Konfigurationen erfordern MOSFETs sowohl auf der High-Side als auch der Low-Side. Im Unterschied zu N-Kanal-MOSFETs benötigen die neuen P-Kanal-Bausteine keine zusätzliche Ladungspumpe für High-Side-Schalter, die Bürsten-Gleichstrommotoren oder bürstenlose 3-Phasen-Motoren treiben. Da die P-Kanal-Bausteine mit einer einfacheren Treiberschaltung auskommen, führt dies zu erheblichen Kosteneinsparungen. Bei H-Brücken-Motoren liegen die Kosteneinsparungen bei etwa 5 bis 10 Prozent.

Während bei konventionellen hydraulischen Servolenkungen der Motor kontinuierlich laufen muss, wird bei elektrischen Lenkhilfen der Motor nur dann genutzt, wenn es erforderlich ist. Damit wird weniger Treibstoff verbraucht. Werden in Fahrzeugen die hydraulischen Pumpen durch elektrisch geregelte Wasser- und Ölpumpen ersetzt, lassen sich etwa vier Kilogramm an Gewicht sparen. Auch das senkt den Treibstoffverbrauch. Zudem sind elektrische Pumpen umweltfreundlicher, da beim Recycling des Wagens kein Öl zu entsorgen ist. Für Hybrid-Fahrzeuge sind elektrische Wasserpumpen unerlässlich.

Die OptiMOS P2-Bausteine sind in ihren robusten Gehäusen für Reflow-Lötprozesse mit Temperaturen bis zu 260 °C und MSL1 (Moisture Sensitivity Level 1) geeignet. Die bleifreien Bausteine sind RoHS-kompatibel und gemäß dem Automotive Electronics Council (AEC-Q101) spezifiziert.

Verfügbarkeit

Für die OptiMOS P2 40V-Familie mit insgesamt 34 Derivaten und Strömen von 50 A bis 180 A ist die Produktionsfreigabe erteilt. Für alle Derivate in Standard-Gehäusen wie TO-220, DPAK, D²PAK und TO-262 sowie in einem 7-poligen D²PAK stehen Muster zur Verfügung. Bei sehr kleinen Bestellmengen liegt der Stückpreis z. B. für einen 5 mΩ OptiMOS P2 im DPAK-Gehäuse, den IPD90P04P4-05, bei 1,02 Euro.

Weitere Informationen

Weitere Informationen über Infineons Leistungs-MOSFETs für Automobile unter www.infineon.com/automotivemosfet

Über Infineon

Die Infineon Technologies AG bietet Halbleiter- und Systemlösungen an, die drei zentrale Herausforderungen der modernen Gesellschaft adressieren: Energieeffizienz, Mobilität sowie Sicherheit. Mit weltweit rund 26.6501 Mitarbeiterinnen und Mitarbeitern erzielte Infineon im Geschäftsjahr 2010 (Ende September) einen Umsatz von 3,295 Milliarden Euro. Das Unternehmen ist in Frankfurt unter dem Symbol „IFX“ und in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International Premier unter dem Symbol „IFNNY“ notiert.

1Die Mitarbeiterzahl beinhaltet noch rund 3.075 Mitarbeiterinnen und Mitarbeiter des Mobilfunkgeschäfts (Wireless Solutions), das an die Intel Corporation verkauft wurde.

Informationsnummer

INFATV201109-059

Pressefotos

  • Die Familie OptiMOS(tm) P2 bietet den industrieweit geringsten Durchlasswiderstand RDS(on) bei P-Kanal-MOSFETs und liefert Ströme von 50 A bis zu 180 A. Sie eignet sich für Verpolungsschutz, elektronisch geregelte Servolenkung, elektrische Handbremse, Scheibenwischer, Klimaanlage und elektrische Wasser-, Öl oder Benzinpumpe.
    Die Familie OptiMOS(tm) P2 bietet den industrieweit geringsten Durchlasswiderstand RDS(on) bei P-Kanal-MOSFETs und liefert Ströme von 50 A bis zu 180 A. Sie eignet sich für Verpolungsschutz, elektronisch geregelte Servolenkung, elektrische Handbremse, Scheibenwischer, Klimaanlage und elektrische Wasser-, Öl oder Benzinpumpe.
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